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公开(公告)号：KR102230653B1
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：KR1020130169391A
申请日：2013-12-31
Applicant: 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/36
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L29/36
Abstract: 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법이 개시된다. 개시된 박막 트랜지스터는 채널층이 게이트 전극과 상대적으로 가까운 제 1영역과 상대적으로 거리가 먼 제 2영역을 포함할 수 있으며, 채널층을 구성하는 물질 중 적어도 하나는 제 1영역보다 제 2영역에서의 농도가 더 클 수 있다. 채널층은 아연(Zn) 및 불소(F)를 포함할 수 있으며, 제 2영역에서의 불소의 농도가 제 1영역에서의 불소의 농도보다 클 수 있다.
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公开(公告)号：KR101980196B1
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：KR1020120143031
申请日：2012-12-10
Applicant: 삼성전자주식회사 , 삼성디스플레이 주식회사
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
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公开(公告)号：KR101878731B1
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：KR1020110129910
申请日：2011-12-06
Applicant: 삼성전자주식회사 , 삼성디스플레이 주식회사
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: B32B3/26 , H01L29/4908 , H01L29/786 , H01L29/7869 , Y10T428/24479
Abstract: 트랜지스터와그 제조방법및 트랜지스터를포함하는전자소자에관해개시되어있다. 개시된트랜지스터는산화물반도체로형성된채널층을포함할수 있다. 상기산화물반도체는 GaZnON을포함할수 있다. 이경우, 상기채널층에서 Ga과 Zn의총 함유량에대한 Ga의비율은 0.5∼4.5 at% 정도일수 있다. 상기 Ga과 Zn의총 함유량에대한 Ga의비율은 1∼3 at% 정도일수 있다.
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公开(公告)号：KR101694876B1
公开(公告)日：2017-01-23
申请号：KR1020100138043
申请日：2010-12-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786 , G02F1/136
Abstract: 트랜지스터와그 제조방법및 트랜지스터를포함하는전자소자에관해개시되어있다. 개시된트랜지스터는산화물반도체로형성된채널층을포함할수 있다. 상기채널층은서로다른전기적특성을갖는적어도두 영역을포함할수 있다. 상기채널층은, 예컨대, HfInZnO 를포함할수 있고, 상기채널층에서백 채널영역(back channel region)의전기전도도는프론트채널영역(front channel region)의전기전도도보다낮을수 있다. 상기백 채널영역과프론트채널영역은서로다른조성비를가질수 있다. 상기백 채널영역의 In 함유량및 Hf 함유량중 적어도하나는상기프론트채널영역과다를수 있다.
Abstract translation: 目的：提供晶体管及其制造方法以及包括该晶体管的电子器件，以通过不同地布置背沟道区域和前沟道区域的金属组成比来抑制光电流产生。 构成：沟道层（C1）包括氧化物半导体。 沟道层包括HfInZnO。 源极和漏极分别连接到沟道层的两端。 门（G1）对应于沟道层。 栅极绝缘层（GI1）布置在沟道层和栅极之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160092608A
公开(公告)日：2016-08-05
申请号：KR1020150013193
申请日：2015-01-28
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01Q1/38 , H01Q1/243 , H01Q21/28 , H01Q9/0407 , H04M1/026
Abstract: 다양한실시예에따르면, 전자장치의정면을형성하는정면(front) 유리커버; 상기전자장치의후면을형성하는후면(rear) 커버; 상기전자장치내에내장되고, 상기정면커버를통하여노출된화면영역을포함하는디스플레이장치; 상기전자장치내에위치하고, 상기정면커버를향하는제 1 표면및 상기후면커버를향하는제 2 표면을포함하는비금속구조물; 상기비금속구조물의일부분을관통하여, 상기비금속구조물의상기제 1 표면으로부터상기제 2 표면으로연장된금속부재(metal structure); 및상기제 1 표면또는상기제 2 표면의일부에배치되며, 상기금속부재에전기적으로연결되는안테나패턴을포함하며, 상기안테나패턴은, 상기제 1 표면또는상기제 2 표면의일부상에부착되고, 상기금속부재의위치에형성된개구부를포함하는제 1 접착층; 상기제 1 접착층상에배치며, 상기개구부를통하여상기금속부재에전기적으로연결되는도전성패턴; 상기도전성패턴및 상기제 1 접착층상에배치되는제 2 접착층; 및상기제 2 접착층상에배치되는절연층을포함하는휴대용전자장치(portable terminal)를제공할수 있다.
Abstract translation: 根据本发明的各种实施例，便携式终端包括：形成电子设备的前表面的前玻璃盖; 形成电子设备的后表面的后盖; 显示装置，其内置在电子设备中，并且包括通过前玻璃罩曝光的屏幕区域; 布置在电子设备中并且包括朝向前玻璃盖布置的第一表面和朝向后盖布置的第二表面的非金属结构; 金属结构，其穿透非金属结构的一部分并从非金属结构的第一表面延伸到第二表面; 以及布置在第一或第二表面的一部分上并且电连接到金属结构的天线图案。 天线图案包括：第一粘合剂层，其附接到第一或第二表面的一部分并且包括形成在金属结构上的位置的开口; 导电图案，布置在第一粘合剂层上并通过开口与金属结构电连接; 布置在第一粘合剂层和导电图案上的第二粘合剂层; 以及布置在第二粘合剂层上的绝缘层。
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公开(公告)号：KR101644581B1
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：KR1020100006497
申请日：2010-01-25
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 각픽셀을구동하도록투명한기판상에마련된투명한박막트랜지스터백플레인과, 유기발광소자의유기발광층이형성되어발광이이루어지는픽셀영역을가지는투명디스플레이가개시된다. 개시된투명디스플레이에서, 유기발광소자는, 픽셀영역에대응하는위치에형성된양극전극과, 양극전극상에형성되는유기발광층과, 유기발광층을덮는제1스트라이프영역과이 제1스트라이프영역에크로스되는방향으로픽셀의중심에서벗어난영역에제1스트라이프영역보다작은폭을가지도록형성된제2스트라이프영역을포함하는음극전극을포함한다.
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公开(公告)号：KR1020150058643A
公开(公告)日：2015-05-29
申请号：KR1020130140554
申请日：2013-11-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/78606 , H01L29/78696
Abstract: 징크옥시나이트라이드박막트랜지스터가개시된다. 개시된박막트랜지스터는, 기판상의게이트전극과, 상기게이트전극상방의징크옥시나이트라이드채널과, 상기징크옥시나이트라이드채널상의식각정지층과, 상기상기징크옥시나이트라이드채널의양단에각각연결된소스전극및 드레인전극을포함한다. 상기식각정지층은실리콘나이트라이드, 알루미늄나이트라이드, 알루미늄옥사이드, 마그네슘옥사이드중 선택된적어도하나를포함한다.
Abstract translation: 公开了一种氮氧化锌薄膜晶体管。 所公开的薄膜晶体管包括：在基板上的栅电极; 栅电极上方的氧氮化锌通道; 氧氮化锌通道上的蚀刻停止层; 以及分别与氧氮化锌通道的两端连接的源电极和漏电极。 蚀刻停止层包括氮化硅，氮化铝，氧化铝和氧化镁中的至少一种。
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公开(公告)号：KR1020150018917A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：KR1020130094323
申请日：2013-08-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , G02F1/1368 , H01L27/3262 , H01L29/06 , H01L29/66742 , H01L29/66969
Abstract: Disclosed are a thin film transistor, a manufacturing method thereof, and a display including the same. The disclosed thin film transistor includes a gate electrode, a channel layer which is formed to correspond to the gate electrode and further includes a first element whose N vacancy formation energy is higher than Zn-N bonding in a ZnON based semiconductor material which includes F, a gate insulation layer which is formed between the gate electrode and the channel layer, and a source electrode and a drain electrode which are in contact with the channel layer.
Abstract translation: 公开了一种薄膜晶体管及其制造方法以及包括该薄膜晶体管的显示器。 所公开的薄膜晶体管包括栅电极，形成为对应于栅电极的沟道层，并且还包括第一元素，其N空位形成能量高于ZnON基半导体材料中的Zn-N键合，其包括F， 形成在栅电极和沟道层之间的栅极绝缘层，以及与沟道层接触的源电极和漏电极。
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公开(公告)号：KR1020140070344A
公开(公告)日：2014-06-10
申请号：KR1020130097345
申请日：2013-08-16
Applicant: 삼성전자주식회사 , 삼성디스플레이 주식회사
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/26 , H01L27/1225 , H01L29/04 , H01L29/06 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L29/78606 , H01L29/7869
Abstract: A semiconductor material, a transistor including semiconductor material, and an electronic device including a transistor are provided. The disclosed semiconductor material may include zinc, nitrogen, and fluorine. The semiconductor material may further include oxygen. The semiconductor material may further include a compound, such as, zinc fluorooxynitride, zinc oxynitride containing fluorine, and zinc fluoronitride. The semiconductor material can be used for the channel material of a thin film transistor.
Abstract translation: 提供半导体材料，包括半导体材料的晶体管和包括晶体管的电子器件。 所公开的半导体材料可以包括锌，氮和氟。 半导体材料还可以包括氧。 半导体材料还可以包括化合物，例如氟氧氮化锌，含氟的氮氧化锌和氟氮化锌。 半导体材料可用于薄膜晶体管的沟道材料。
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