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公开(公告)号：KR1020170000546A
公开(公告)日：2017-01-03
申请号：KR1020150089543
申请日：2015-06-24
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L51/448 , H01L27/307 , H01L51/0046 , H01L51/0058 , H01L51/006 , H01L51/0061 , H01L51/0062 , H01L51/5253 , H01L2251/303 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 유기물을포함하는유기소자, 상기유기소자의일면에위치하는제1 보호막, 상기제1 보호막의일면에위치하고상기제1 보호막과동일한물질을포함하는제2 보호막, 그리고상기제2 보호막의일면에위치하는제3 보호막을포함하는유기전자소자및 그제조방법과유기전자소자를포함하는전자장치에관한것이다.
Abstract translation: 有机电子器件包括有机材料，有机器件上的第一保护膜，第一保护膜上的第二保护膜和与第一保护膜相同的材料，第二保护膜在第二保护膜上 保护膜。
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公开(公告)号：KR101664958B1
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：KR1020100026314
申请日：2010-03-24
Applicant: 삼성전자주식회사 , 연세대학교 산학협력단
IPC: H01B1/08 , H01L29/786
Abstract: 아연을함유하는제1 화합물, 인듐을함유하는제2 화합물및 마그네슘을함유하는제3 화합물을포함하는산화물박막형성용용액조성물과상기용액조성물로부터형성되며아연, 인듐및 마그네슘을포함하는산화물반도체를포함하는전기소자를제공한다. 또한아연을함유하는제1 화합물, 인듐을함유하는제2 화합물및 하프늄을함유하는제3 화합물을포함하고, 상기아연과상기하프늄의원자수비율이 1:0.01 내지 1:1인산화물박막형성용용액조성물또한제공한다.
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公开(公告)号：KR1020160026239A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：KR1020140114367
申请日：2014-08-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/307 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14645 , H01L27/14665 , Y02E10/549
Abstract: 순차적으로적층되어있는제1 투명전극층, 활성층, 제2 투명전극층을포함하는제2 광전변환소자를포함하고, 파장이 440nm~480nm인빛은상기활성층의양 표면으로부터활성층전체두께의 1/5 깊이이내에서흡수되는이미지센서.
Abstract translation: 图像传感器包括具有第一透明电极层，有源层和第二透明电极层的第二光电转换元件。 波长为440-480nm的光在有源层的两个表面的活性层的总厚度的1/5深度内被吸收。 本发明可以根据偏置电压抑制绿色光敏光电转换装置的外部量子效率（EQE）的变化。
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公开(公告)号：KR1020150120243A
公开(公告)日：2015-10-27
申请号：KR1020140046266
申请日：2014-04-17
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: C07F5/022 , H01L27/307 , H01L51/0053 , H01L51/0069 , H01L51/0071 , H01L51/008 , H01L51/4253
Abstract: 화학식 1로표현되는화합물, 서로마주하는제1 전극과제2 전극및 상기제1 전극과상기제2 전극사이에위치하고화학식 1로표현되는화합물을포함하는활성층을포함하는유기광전소자및 상기유기광전소자를포함하는이미지센서에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及由化学式1表示的化合物; 包括彼此面对的第一电极和第二电极以及置于第一电极和第二电极之间的有源层的有机光电子器件，包括由化学式1表示的化合物; 以及包含有机光电子器件的图像传感器。
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公开(公告)号：KR101512818B1
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：KR1020080099608
申请日：2008-10-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786
Abstract: 개시된산화물반도체트랜지스터는산화물반도체로이루어진채널층과제1 게이트사이에형성되는제1 게이트절연막; 및채널층과제2 게이트사이에형성되는제2 게이트절연막;을포함하며, 상기제1 게이트절연막및 제2 게이트절연막은서로다른물질로이루어진다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101413655B1
公开(公告)日：2014-08-07
申请号：KR1020070123809
申请日：2007-11-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02614 , H01L21/02631
Abstract: 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조 방법에 관해 개시된다. 채널 층과 소스 전극 및 드레인 전극이 형성한 후 채널 층의 표면을 습식 산화제로 처리하여 채널 층 표면의 캐리어를 감소시킨다. 이러한 채널 층의 표면 산화처리에 따르면 자연적으로 발생하거나 공정 중에 발생한 채널 층 표면의 과잉 캐리어를 효과적으로 조절할 수 있다.
산화물, 반도체, 트랜지스터, 습식, 산화, 캐리어, 감소-
公开(公告)号：KR1020140056458A
公开(公告)日：2014-05-12
申请号：KR1020120119252
申请日：2012-10-25
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L51/0056 , C07C13/62 , C07C2603/54 , C07D471/06 , H01L51/0053 , H01L51/4253 , H01L2251/308 , H01L51/0057 , H01L27/307 , Y02E10/549
Abstract: The present invention relates to an organic photoelectric device and an image sensor including an anode and a cathode facing each other, and an active layer positioned between the anode and cathode, wherein the active layer includes the compound expressed as the chemical formula 1 and the compound expressed as the chemical formula 2. The chemical formula 1 and chemical formula 2 are as described in the specification.
Abstract translation: 本发明涉及一种有机光电装置和包括彼此面对的阳极和阴极的图像传感器和位于阳极和阴极之间的有源层，其中活性层包括表示为化学式1的化合物和化合物 表示为化学式2.化学式1和化学式2如说明书所述。
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公开(公告)号：KR101377596B1
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：KR1020060049993
申请日：2006-06-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78603 , H01L29/78645
Abstract: 플렉시블 기판 상에 형성된 박막 트랜지스터 및 그 제조방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 본 발명은 플렉시블 기판 상에 형성되어 있고 소오스 및 드레인 영역과 채널영역을 포함하는 폴리 실리콘층 및 상기 폴리 실리콘층의 상기 채널영역 상에 형성된 게이트 적층물을 포함하는 박막 트랜지스터에 있어서, 상기 게이트 적층물은 소정 간격으로 이격된 제1 및 제2 게이트 적층물(듀얼 게이트)을 포함하고, 상기 폴리 실리콘층의 상기 제1 및 제2 게이트 적층물사이로 노출된 영역은 오프 셋(offset) 영역인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법을 제공한다.
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公开(公告)号：KR1020120117508A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：KR1020110035301
申请日：2011-04-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146 , H01L51/00
CPC classification number: H01L51/0043 , H01L51/4253 , H01L27/146 , H01L27/14621 , Y02E10/549
Abstract: PURPOSE: An image sensor is provided to improve photoelectric conversion efficiency by using block copolymer for a photoelectric conversion layer. CONSTITUTION: An optical sensing device includes a first electrode, a second electrode, and a photoelectric conversion layer(53). A color filter is located on the second electrode of the optical sensing device. The photoelectric conversion layer includes a block copolymer with an electron donor block(B) and an electron acceptor block(A). The electron donor blocks are laminated and connected to the first electrode and the second electrode. The electron acceptor blocks are laminated and connected to the first electrode and the second electrode.
Abstract translation: 目的：提供一种通过使用光电转换层的嵌段共聚物来提高光电转换效率的图像传感器。 构成：光感测装置包括第一电极，第二电极和光电转换层（53）。 滤色器位于光学感测装置的第二电极上。 光电转换层包括具有电子给体嵌段（B）和电子受体嵌段（A）的嵌段共聚物。 电子供体嵌段层叠并连接到第一电极和第二电极。 电子受体嵌段层叠并连接到第一电极和第二电极。
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公开(公告)号：KR101186294B1
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：KR1020060090147
申请日：2006-09-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L21/268 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/02678 , H01L21/02691 , H01L27/1285
Abstract: 간단하고 용이한 제조공정에 의해 전자의 이동도 및 전기적 특성이 우수한 반도체층을 제조할 수 있는 측면 결정화된 반도체층의 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따른 측면 결정화된 반도체층의 제조방법은 기판 상에 반도체층을 형성하는 단계, 상기 반도체층 상에 레이저광을 조사하는 단계, 다수의 프리즘 어레이를 갖는 프리즘 쉬트를 이용하여 상기 조사된 레이저광을 분할하여 상기 반도체층으로 진행시킴으로써, 상기 반도체층 상에 레이저광이 조사되는 제1 영역과, 조사되지 않는 제2 영역을 교번으로 반복형성하여, 상기 제1 영역을 완전 용융시키는 단계 및 상기 제2 영역을 씨드로 이용하여 상기 제1 영역의 측면 결정화를 유도하는 단계를 포함한다.
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