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公开(公告)号：KR1019970008602A
公开(公告)日：1997-02-24
申请号：KR1019950023179
申请日：1995-07-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108
Abstract: 박막 트랜지스터를 구비하는 반도체 메모리 장치에 관하여 개시한다. 본 발명은 채널 전도층 형성후 사진공정으로 형성되어지는 소스 및 드레인 전극단의 정렬 오차 문제를 근본적으로 해결하기 위해서 채널전도층 형성후 절연막 스페이서를 채널전도층 측벽에만 국부적으로 만드는 것으로써 형성된 소스 및 드레인 전극 패드채널전도층을 스페이서 식각에서 노출하고 후속 전도층으로 연결하는 방법 및 구조로부터 이온 주입 마스크가 필요없는 자기 정렬 방식의 TFT 오프셋 및 소스/드레인 영역 형성이 가능한 반도체 메모리 장치를 제시한다.
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公开(公告)号：KR1019940004726A
公开(公告)日：1994-03-15
申请号：KR1019920015206
申请日：1992-08-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
Abstract: 도전 또는 비도전성의 하부막질상에 불순물 함유하는 제1반도체 도전층을 형성하고 이 위에 버퍼층을 형성하고 다시 그 위에 제2의 반도체 도전층을 형성하는 단계, 상기 제2의 반도체 도전층 위에 내화 금속층을 형성하고 열처리하는 단계를 포함하여 상기 제1도전층상에 실리사이드층을 형성하며 실리사이데이션시 상기 버퍼층은 제1도전층의 구성물질이 제2도전층으로 이동하는 것을 억제하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법에 관한 것.
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公开(公告)号：KR102235608B1
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：KR1020190050335
申请日：2019-04-30
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 송윤흡
IPC: H01L27/1157 , H01L27/105
Abstract: 스몰블록이적용된 3차원플래시메모리가개시된다. 일실시예에따르면, 3차원플래시메모리는기판상 일방향으로연장형성되는복수의메모리셀 스트링들-상기복수의메모리셀 스트링들각각은채널층및 상기채널층을감싸는전하저장층을포함함-; 상기복수의메모리셀 스트링들에대해수직방향으로연결되는복수의워드라인들-상기복수의워드라인들은상기복수의메모리셀 스트링들이그룹핑된스몰블록들에각각대응하여복수의워드라인세트들로그룹핑됨--; 및상기복수의워드라인들을제어하는워드라인배선과연결된채, 상기복수의워드라인세트들중 어느하나의워드라인세트에선택적으로전압을인가하는적어도하나의스위칭소자를포함한다.
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公开(公告)号：KR102211752B1
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：KR1020190022150
申请日：2019-02-26
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 송윤흡
IPC: H01L27/11573 , H01L27/11582 , H01L27/11568
Abstract: 집적도를도모하는동시에제조공정을단순화하는 3차원플래시메모리및 그제조방법이개시된다. 일실시예에따르면, 일방향으로연장형성되는복수의수직스트링들-상기복수의수직스트링들각각은, 상기일 방향으로연장형성되는채널층및 상기채널층을둘러싸도록상기일 방향으로연장형성되는전하저장층으로구성됨-을포함하는 3차원플래시메모리에있어서, 상기복수의수직스트링들은, 서로다른단면적을갖는적어도두 개이상의그룹들로그룹핑되는것을특징으로한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR102210326B1
公开(公告)日：2021-02-01
申请号：KR1020190056135
申请日：2019-05-14
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 송윤흡
IPC: H01L27/11573 , H01L27/11556 , H01L27/11548 , G11C16/26 , G11C16/24 , G11C16/30
Abstract: 대칭되는 U자형태의 BICs 구조가적용된 3차원플래시메모리가개시된다. 일실시예에따르면, 3차원플래시메모리는, 기판에대한수평부분및 수직부분들을포함하도록 U자형태로형성된채, 내부가빈 튜브형태로연장형성되는전하저장층및 상기전하저장층의내부에채워지는채널층으로구성되는적어도하나의스트링; 상기적어도하나의스트링의수직부분들에직교하며연결되는복수의워드라인들; 및상기적어도하나의스트링의수평부분과평행하도록연장형성된채, 상기적어도하나의스트링의양단에연결되는두 개의비트라인들을포함하고, 상기적어도하나의스트링은, 상기수평부분을기준으로상기수직부분들이대칭을이루는것을특징으로한다.
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公开(公告)号：KR102207215B1
公开(公告)日：2021-01-25
申请号：KR1020190047209
申请日：2019-04-23
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 송윤흡
IPC: H01L27/11582 , H01L27/11565 , H01L27/11568
Abstract: 집적화를도모하는 3차원플래시메모리및 그제조방법이개시된다. 일실시예에따르면, 3차원플래시메모리는일 방향으로연장형성되는적어도하나의메모리셀 스트링-상기적어도하나의메모리셀 스트링은적어도하나의채널층및 상기적어도하나의채널층을감싸는적어도하나의전하저장층을포함함-; 및상기적어도하나의메모리셀 스트링에대해수직방향으로연결되는복수의워드라인들을포함하고, 상기복수의워드라인들각각의컨택트는, 상기복수의워드라인들각각의전체영역중 최소화된일부영역에만형성되는것을특징으로한다.
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公开(公告)号：KR1020210002370A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：KR1020190076373
申请日：2019-06-26
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 송윤흡
IPC: H01L27/11582 , H01L27/1157 , H01L29/792 , H01L27/11551 , H01L27/11524 , H01L21/28 , G11C16/10
Abstract: 비대칭구조를갖는수평저장층기반 3차원플래시메모리및 그동작방법이개시된다. 일실시예에따르면, 3차원플래시메모리는, 기판상 수직방향으로연장형성되는적어도하나의채널층; 상기적어도하나의채널층에연결되도록수평방향으로연장형성되는복수의전극층들; 및상기복수의전극층들사이에교번하여개재되며수평방향으로연장형성된채, 상기복수의전극층들에인가되는전압으로인한전계의프린징효과로발생되는 FN 터널링을이용하여, 상기적어도하나의채널층으로부터이동되는전하를저장하는복수의수평전하저장층들을포함하고, 상기복수의수평전하저장층들각각은, 상기복수의수평전하저장층들각각을사이에두는두 개의전극층들중 어느하나의대응전극층에만인가되는프로그램전압에의해프로그램동작이수행되도록하는비대칭구조를갖는것을특징으로한다.
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公开(公告)号：KR1020200132561A
公开(公告)日：2020-11-25
申请号：KR1020190058286
申请日：2019-05-17
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 송윤흡
IPC: H01L27/11573 , H01L29/792 , H01L27/1157 , H01L27/11582 , G11C16/08
Abstract: 부스팅의면적을감소시킨 3차원플래시메모리가개시된다. 일실시예에따르면, 3차원플래시메모리는기판상 일방향으로연장형성되는적어도하나의스트링-상기적어도하나의스트링은상기일 방향으로연장형성되는적어도하나의채널층및 상기적어도하나의채널층을감싸도록형성되는전하저장층을포함함-; 및상기적어도하나의스트링에대해수직방향으로연결되는복수의워드라인들을포함하고, 상기복수의워드라인들중 적어도하나의워드라인은, 상기적어도하나의스트링의일부영역을오프(Off)시켜나머지일부영역상 특정메모리셀에대한프로그램동작을수행하고, 상기적어도하나의스트링의일부영역을공핍(Depletion)시켜나머지일부영역에대한소거동작을수행하는 MSL(Middle Signal Line)으로사용되는것을특징으로한다.
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公开(公告)号：KR102161740B1
公开(公告)日：2020-10-05
申请号：KR1020190039735
申请日：2019-04-04
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 송윤흡
IPC: H01L27/11582 , H01L27/11565 , H01L27/11568 , H01L21/027
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