Abstract:
본 발명은 다양한 두께를 갖는 기질 위에 균일하게 b-축으로 배향된 MFI 형 제올라이트 박막 및 그 제조방법에 관한 것이다. 더욱 상세하게는 기질 위에 다양한 두께를 갖는 제올라이트 또는 유사 분자체 종자결정을 생성시키는 단계 및 상기 기질을 구조형성제를 포함하는 MFI 형 제올라이트 합성 젤에 넣어 MFI 형 제올라이트 또는 유사 분자체 결정을 성장시키는 단계를 포함하는 제올라이트 제조방법 및 그 방법으로 제조된 제올라이트 박막을 제공하는 것이다. 본 발명의 균일하게 b-축 방향으로 배향되고, 다양한 두께를 갖는 MFI형 제올라이트는 종전 제올라이트가 갖는 한계를 극복하여 그 응용성을 극대화할 수 있다. MFI 형 제올라이트 박막, 균일하게 b-축 배향, 박막 두께 조절, 구조형성제, 스트레이트 채널, 제올라이트 합성 젤, 유사 분자체, 기질, 문지르기, 연결화합물
Abstract:
PURPOSE: A hydrogen ion transferring membrane, a hydrogen generating membrane, and a manufacturing method of the same are provided to improve the efficiency of hydrogen generation and the rate of hydrogen ion transference by using a porous thin film with a plurality of holes. CONSTITUTION: A hydrogen ion transferring membrane(100) includes a porous thin film(110) and a hydrogen ion transferring material(120). The porous thin film includes a plurality of holes which is regularly arranged. The hydrogen ion transferring material is injected into the holes of the porous thin film. The hydrogen generating membrane includes a photocatalyst layer, a hydrogen ion transferring material, and a cocatalyst layer.
Abstract:
PURPOSE: A method for dispersing and stabilizing quantum dots or quantum wires in zeolite and quantum dot-containing or quantum wire-containing zeolite based on the method are provided to uniformly disperse quantum dots or quantum wires in the cage of the zeolite. CONSTITUTION: Zeolite containing quantum dots or quantum wires is treated with basic gas. The quantum dots or the quantum wires are uniformly dispersed in the pores of the zeolite. The quantum dots or the quantum wires are based on metals, oxides, or compound semiconductors. The compound semiconductors are selected from a group including CdS, CdO, CdSe, CdTe, ZnS, ZnO, ZnSe, ZnTe, MnS, MnO, MnSe, MnTe, MgO, MgS, MgSe, MgTe, CaO, CaS, CaSe, CaTe, SrO, SrS, SrSe, SrTe, BaO, BaS, BaSe, BaTE, HgO, HgS, HgSe, HgTe, Al_2O_3, Al_2S_3, Al_2Se_3, Al_2Te_3, Ga_2O_3, Ga_2S_3, Ga_2Se_3, Ga_2Te_3, In_2O_4, In_2S_3, In_2Se_3, In_2Te_3, SiO_2, GeO_2, SnO_2, SnS, SnSe, SnTe, PbO, PbO2, PbS, PbSe, PbTe, AlN, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InN, InP, InAs, InSb, BP, Si, Ge, or the combination of the same.
Abstract:
본원은 이산화티타늄 입자의 신규 제조방법 및 상기 방법에 의해 제조되는 이산화티타늄 입자에 관한 것으로서, 구체적으로, 실온 이하의 온도에서의 반응에 의하여 균일한 입자 크기를 가지는 이산화티타늄 입자를 제조할 수 있으며 또한 이산화티타늄 입자의 크기를 용이하게 조절할 수 있는 이산화티타늄 입자의 신규 제조방법 및 상기 방법에 의해 제조되는 균일한 크기를 가지는 이산화티타늄 입자에 관한 것이다.
Abstract:
PURPOSE: A porous thin film with holes and a method for manufacturing the same are provided to rapidly implement manufacturing processes by using the array layer of particles as a template. CONSTITUTION: A method for manufacturing a porous thin film(180) with holes includes the following: an array layer(150) of particles is formed on a first substrate; the first substrate is in contact with a second substrate(200) to transfer the array layer to the second substrate; the transferred array layer is coated with a first thin film forming material(160) to form a particle-first thin film composite(170); a part of the first thin film is eliminated from the particle-first thin film composite to form a plurality of holes; and particles are eliminated through the holes.
Abstract:
본원은, 입자의 정렬층이 형성된 제 1 기재와 제 2 기재를 접촉시켜 상기 입자의 정렬층을 상기 제 2 기재로 전사(transfer)하는 단계; 상기 제 2 기재 상에 전사된 입자의 정렬층을 박막 형성 물질로 코팅하여 입자-박막 복합체를 형성하는 단계; 상기 복합체 중 박막 형성 물질의 일부를 제거하여 상기 입자를 노출시킨 후 상기 노출된 입자를 제거하여 홀(hole)을 가지는 주형(template)을 형성하는 단계; 및 상기 주형의 홀 표면에 제 1 물질을 코팅한 후 상기 주형을 제거하여 보울(bowl)-형태의 구조체를 형성하는 단계: 를 포함하는, 보울(bowl)-형태 구조체의 제조방법, 상기 방법에 의하여 제조된 보울(bowl)-형태 구조체, 및 상기 보울(bowl)-형태 구조체를 이용한 보울 어레이를 제공한다.