Abstract:
본 발명은 반도체 나노입자를 포함하는 평면 페로브스카이트 태양전지(Planar perovskite solar cells) 및 그의 제조 방법을 제공한다. 평면 페로브스카이트 태양전지는 기판 상에 순차 적층 된 투명 전극, 전자 추출 층, 광 활성 층, 정공 이동 층 및 금속 전극 층을 포함하고, 상기 전자 추출 층은 금속 산화물 박막 위에 반도체 나노입자를 갖는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 전력 변환 효율이 우수한 평면 페로브스카이트 태양전지를 제작할 수 있다.
Abstract:
기판 상에 형성된 제1 전극층; 상기 제1 전극층 상에 결합된 금속 나노입자; 상기 금속 나노입자 상에 형성되며, 나노 범프 구조를 갖는 정공수송층; 상기 정공수송층 상에 형성된 광활성층; 및 상기 광활성층 상에 형성된 제2 전극층;을 구비하는 유기 태양전지가 제공된다. 상기 유기 태양전지는 전극 상에 금속 나노입자를 포함하고, 그 위에 형성된 정공수송층이 나노범프 구조를 가짐에 따라 증가된 플라즈모닉 효과가 발생하여 광전류가 증가하며, 또한 광활성층이 요철 구조를 가짐에 따라 광흡수량이 증가하므로 광효율이 개선될 수 있다. 또한 복잡한 노광공정이나 전사 공정 없이 건식 에어로졸 방식의 간단한 공정을 사용하여 나노 범프 구조를 형성할 수 있으므로 경제성을 크게 개선할 수 있게 된다.
Abstract:
PURPOSE: A quantum dot light emitting diode device and a display using the same are provided to prevent a hole-transport layer from being solved in a solution by forming the hole-transport layer after a liquid solution process for forming the quantum dot light emitting diode. CONSTITUTION: In a quantum dot light emitting diode device and a display using the same, a cathode(310) is formed on a substrate(300). A quantum dot light-emitting layer(330) is formed on the cathode. An anode(350) is formed on the quantum dot light-emitting layer. An electron-transport layer(320) is formed between the cathode and the quantum dot light-emitting layer. A hole-transport layer(340) is formed between the quantum dot light-emitting layer and the anode.