公开(公告)号：KR1020160074157A

公开(公告)日：2016-06-28

申请号：KR1020140183069

申请日：2014-12-18

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이효영 ,  서소현 ,  윤여흥

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L29/66977 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78618

Abstract: 그래핀양자점박막의제조방법, 상기방법에의하여제조되는그래핀양자점박막, 상기그래핀양자점박막을채널층에이용하는박막트랜지스터에관한것이다.

Abstract translation: 本发明涉及用于制造石墨烯量子点薄膜的方法，通过该方法制造的石墨烯量子点薄膜和在沟道层中使用石墨烯量子点薄膜的薄膜晶体管。 用于制造石墨烯量子点薄膜的方法包括通过在基板上蒸发含石墨烯量子点的溶液沉积石墨烯量子点薄膜。