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公开(公告)号：KR101465214B1
公开(公告)日：2014-12-01
申请号：KR1020130137140
申请日：2013-11-12
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L51/00
CPC classification number: H01B1/04 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G03C1/52 , G03C1/54 , G03F7/016 , H01L29/1606 , H01M4/133 , H01M8/04216 , H01M10/0525 , Y02P70/56
Abstract: 본원은, 그래핀 전극-분자 박막 복합 구조체에 관한 것으로서, 구체적으로, 제 1 그래핀 전극 및 제 2 그래핀 전극 사이에 형성된 자기조립 단분자층을 포함하며, 상기 제 1 그래핀 전극과 상기 자기조립 단분자층은 화학적으로 결합된 것이며, 상기 제 2 그래핀 전극과 상기 자기조립 단분자층은 물리적으로 결합된 것인, 그래핀 전극-분자 박막 복합 구조체에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及石墨烯电极 - 分子薄膜复合结构。 更具体地，石墨烯电极 - 分子薄膜复合结构包括在第一石墨烯电极和第二石墨烯电极之间形成的自组装单层，其中第一石墨烯电极和自组装单层被化学耦合，并且第二石墨烯电极 并且自组装单层物理耦合。
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公开(公告)号：KR1020120086621A
公开(公告)日：2012-08-03
申请号：KR1020110007980
申请日：2011-01-26
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a field effect transistor based on a reduced graphene oxide using a floor contact graphene oxide is provided to efficiently manufacture a graphene oxide channel having a single layer or a few layers by using solution pre-processing and spin coating which can improve solvent dispersion. CONSTITUTION: A silicon oxide substrate(120) is formed on a silicon substrate(110). An electrode(130) reacting with a source electrode and a drain electrode is formed on the silicon oxide substrate. A graphene oxide dispersion solution is coated on the substrates. A graphene oxide is adsorbed between the drain electrode and the source electrode. The adsorbed graphene oxide is reduced.
Abstract translation: 目的：提供一种基于使用地板接触石墨烯氧化物的还原型石墨烯氧化物制造场效应晶体管的方法，以通过使用溶液预处理和旋涂来有效地制造具有单层或几层的石墨烯氧化物通道，所述溶液预处理和旋涂可以 改善溶剂分散。 构成：在硅衬底（110）上形成氧化硅衬底（120）。 在氧化硅衬底上形成与源电极和漏电极反应的电极（130）。 将氧化石墨烯分散液涂覆在基材上。 氧化石墨烯被吸附在漏电极和源电极之间。 吸附的氧化石墨烯被还原。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150136960A
公开(公告)日：2015-12-08
申请号：KR1020140064754
申请日：2014-05-28
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01H35/00
Abstract: 그래핀전극및 분자박막을포함하는구조체, 상기구조체를포함하는단분자층디바이스, 상기구조체를포함하는유연성전자디바이스, 및상기구조체의제조방법에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及包括石墨烯电极和分子薄膜的结构，包括该结构的单层器件，包括该结构的柔性电子器件以及该结构的制造方法。 该结构包括：第一石墨烯电极; 布置成与第一石墨烯电极间隔开的第二石墨烯电极; 以及布置在第一石墨烯电极和第二石墨烯电极之间的单层。 第一个石墨烯电极化学或物理连接到单层的一端。 并且第二个石墨烯电极化学或物理连接到单层的一端。
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公开(公告)号：KR101534313B1
公开(公告)日：2015-07-06
申请号：KR1020140099997
申请日：2014-08-04
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: G02F1/15
CPC classification number: G02F1/1521 , C09K9/02 , G02F1/15
Abstract: 제 1 전극과제 2 전극사이에배치된활성층을포함하며, 상기활성층은탄소계물질및 비올로겐계화합물을포함하고, 상기탄소계물질및 상기비올로겐계화합물은비-공유상호작용에의하여결합되어있는것인, 전기변색소자및 이의제조방법에관한것이며, 상기전기변색소자는유연성디스플레이, 스마트윈도우, 및변색거울등에사용될수 있다.
Abstract translation: 电致变色装置及其制造方法技术领域本发明涉及电致变色装置及其制造方法。 本发明的电致变色装置包括设置在第一和第二电极之间的活性层，其中活性层包括通过非共价相互作用结合的碳基材料和基于紫精的化合物。 电致变色装置可用于柔性显示器，智能窗，变色镜等。
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公开(公告)号：KR101823523B1
公开(公告)日：2018-03-14
申请号：KR1020140183069
申请日：2014-12-18
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/786 , H01L29/66
Abstract: 그래핀양자점박막의제조방법, 상기방법에의하여제조되는그래핀양자점박막, 상기그래핀양자점박막을채널층에이용하는박막트랜지스터에관한것이다.
Abstract translation: 本发明提供一种石墨烯量子点薄膜的制造方法，由该方法制造的石墨烯量子点薄膜以及使用该石墨烯量子点薄膜作为沟道层的薄膜晶体管。
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公开(公告)号：KR1020160074157A
公开(公告)日：2016-06-28
申请号：KR1020140183069
申请日：2014-12-18
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/786 , H01L29/66
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L29/66977 , H01L29/78606 , H01L29/78618
Abstract: 그래핀양자점박막의제조방법, 상기방법에의하여제조되는그래핀양자점박막, 상기그래핀양자점박막을채널층에이용하는박막트랜지스터에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及用于制造石墨烯量子点薄膜的方法，通过该方法制造的石墨烯量子点薄膜和在沟道层中使用石墨烯量子点薄膜的薄膜晶体管。 用于制造石墨烯量子点薄膜的方法包括通过在基板上蒸发含石墨烯量子点的溶液沉积石墨烯量子点薄膜。
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公开(公告)号：KR101190219B1
公开(公告)日：2012-10-16
申请号：KR1020110007980
申请日：2011-01-26
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 본 발명은 바닥접촉식 그래핀옥사이드 채널 또는 환원그래핀옥사이드 채널의 전계효과 트랜지스터 제조방법 및 이에 의해 제조된 바닥접촉식 전계효과 트랜지스터를 제공한다. 구체적으로, 본 발명은 기판상에 트랜지스터의 소스 전극과 드레인 전극으로 작용하는 전극을 형성하는 단계; 그래핀 옥사이드 분산 용액을 상기 기판에 도포하여 상기 드레인 전극과 소스 전극의 사이 채널이 형성될 영역에 그래핀옥사이드를 흡착시키는 단계; 및 상기 흡착된 그래핀옥사이드를 환원시키는 단계를 포함하는 바닥접촉식 전계효과 트랜지스터의 제조방법을 제공한다.
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