열전소재 및 이의 제조방법

    公开(公告)号:KR102241257B1

    公开(公告)日:2021-04-16

    申请号:KR1020180166164

    申请日:2018-12-20

    Abstract: 본발명은 Bi, Te 및 Se를포함하고, 하기화학식 1로표시되는 1차상; 및 Ag 및 Te를포함하고, 하기화학식 2로표시되는 2차상을포함하는열전소재에관한것으로, 1차상인매트릭스(matrix) 및 2차상인 Ag2Te 나노침전물(nanoprecipitate)을포함함으로써, 냉각모듈에서요구되는상온에서의전기전도도의범위를발현하면서, 파워팩터의증대와열전도도저감효과를동시에구현하여열전성능을향상시킬수 있다. Bi2Te3-xSex (단, 0.2 ≤ x ≤ 0.4) Ag2Te -zCuzTe3-xSex (단, 0.2 ≤ x ≤ 0.4, 0.01 ≤ y ≤ 0.2, 0.01 ≤ z ≤ 0.4)

    전자방출 물질 및 이의 제조방법

    公开(公告)号:KR101757309B1

    公开(公告)日:2017-07-13

    申请号:KR1020150157671

    申请日:2015-11-10

    Abstract: 본발명은 Hf 및 S를포함하는전자방출물질및 그제조방법에대한것이다. 본발명의전자방출물질은낮은일함수특성으로낮은구동전압에서방출전류를크게할 수있어 FED 및형광관에유용하게사용될수 있다. 본발명에서제공되는 HfS의일함수는 x에크게의존하지않으며약 2.7 eV의값을나타낸다. 이는상용전자방출소재인 Mo 및카본의 4 eV 수준의일함수와비교하여 30% 이상낮은특성으로, FED 및형광관에적용하면기존디바이스구조의변경없이낮은구동전압에서큰 방출전류를얻을수 있다.

Patent Agency Ranking