公开(公告)号：WO2019146913A1

公开(公告)日：2019-08-01

申请号：PCT/KR2018/016087

申请日：2018-12-18

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 김성웅 ,  이규형 ,  김예지 ,  강세황

IPC: B01J27/057 ,  B01J23/72 ,  B01J35/02 ,  B01J37/02 ,  B01J37/08 ,  C25B11/04 ,  C25B1/04

Abstract: 본 발명은 Hf과 Se 또는 S 중 어느 하나를 포함하는 촉매 물질과 구리 프로모터를 포함하는 수소발생 반응용 촉매에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 Hf 2+x A (여기서, A는 Se 또는 S이고, x는 0 또는 소수이고 0≤x≤0.4임), Hf 2 A 1-y (여기서, A는 Se 또는 S이고, y는 소수이고 0

公开(公告)号：WO2019156337A1

公开(公告)日：2019-08-15

申请号：PCT/KR2018/016083

申请日：2018-12-18

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 김성웅 ,  이규형 ,  강세황

IPC: H01J1/30 ,  C01G27/00

Abstract: 본 발명은 전자방출(electron emitting) 물질 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 더욱 상세하게는 낮은 일함수 특성으로 낮은 구동 전압에서 방출 전류를 크게 할 수 있으며, 공기 중에서 안정한 비정질 전자방출 물질 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 전자방출 물질은 상용 전자방출 소재인 Mo 및 카본의 약 4.3 eV 수준의 일함수와 비교하여 30% 이상 낮은 일함수 특성을 가져, FED 및 형광관에 적용하면 기존 디바이스 구조의 변경 없이 낮은 구동 전압에서 큰 방출 전류를 얻을 수 있다. 또한, 본 발명의 전자방출 물질은 단순한 열처리, 용융-응고 및 기계적 분쇄 공정을 이용하여 대량 생산이 가능하다.

公开(公告)号：WO2018164302A1

公开(公告)日：2018-09-13

申请号：PCT/KR2017/002609

申请日：2017-03-10

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 김성웅 ,  이규형 ,  강세황

IPC: H01J1/14 ,  H01J1/20 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J1/14 ,  H01J1/20 ,  H01J9/02

Abstract: 본 발명은 Hf 및 S를 포함하는 전자방출 물질 및 그 제조방법에 대한 것이다. 본 발명의 전자방출 물질은 낮은 일함수 특성으로 낮은 구동 전압에서 방출 전류를 크게 할 수 있어 FED 및 형광관에 유용하게 사용될 수 있다. 본 발명에서 제공되는 Hf 2+x S의 일함수는 x에 크게 의존하지 않으며 약 2.7 eV의 값을 나타낸다. 이는 상용 전자방출 소재인 Mo 및 카본의 4 eV 수준의 일함수와 비교하여 30% 이상 낮은 특성으로, FED 및 형광관에 적용하면 기존 디바이스 구조의 변경 없이 낮은 구동 전압에서 큰 방출 전류를 얻을 수 있다.

公开(公告)号：KR101965813B1

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：KR1020180016486

申请日：2018-02-09

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 김성웅 ,  이규형 ,  강세황

IPC: H01J1/30 ,  C01G27/00

公开(公告)号：KR102080027B1

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：KR1020180010599

申请日：2018-01-29

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 김성웅 ,  이규형 ,  김예지 ,  강세황

IPC: B01J27/057 ,  B01J23/72 ,  B01J35/02 ,  B01J37/02 ,  B01J37/08 ,  C25B11/04 ,  C25B1/04

公开(公告)号：KR102057963B1

公开(公告)日：2019-12-20

申请号：KR1020180010598

申请日：2018-01-29

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 김성웅 ,  이규형 ,  황재열 ,  강세황

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/00 ,  H01L21/285 ,  C23C14/06

公开(公告)号：KR102080029B1

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：KR1020180010600

申请日：2018-01-29

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 김성웅 ,  이규형 ,  김예지 ,  강세황

IPC: B01J27/057 ,  B01J27/04 ,  B01J35/00 ,  B01J37/02 ,  B01J35/02 ,  B01J37/08 ,  C25B11/04 ,  C25B1/04 ,  B01J21/06 ,  B01J21/18 ,  H01B1/04

公开(公告)号：KR102042836B1

公开(公告)日：2019-11-08

申请号：KR1020180053828

申请日：2018-05-10

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 김성웅 ,  이규형 ,  강세황

IPC: C01G27/00 ,  H01J1/32

公开(公告)号：KR1020170055082A

公开(公告)日：2017-05-19

申请号：KR1020150157671

申请日：2015-11-10

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 김성웅 ,  강세황 ,  이규형

IPC: H01J61/067 ,  C01G27/06 ,  H05B33/14

Abstract: 본발명은 Hf 및 S를포함하는전자방출물질및 그제조방법에대한것이다. 본발명의전자방출물질은낮은일함수특성으로낮은구동전압에서방출전류를크게할 수있어 FED 및형광관에유용하게사용될수 있다. 본발명에서제공되는 HfS의일함수는 x에크게의존하지않으며약 2.7 eV의값을나타낸다. 이는상용전자방출소재인 Mo 및카본의 4 eV 수준의일함수와비교하여 30% 이상낮은특성으로, FED 및형광관에적용하면기존디바이스구조의변경없이낮은구동전압에서큰 방출전류를얻을수 있다.

Abstract translation: 包含Hf和S的电子发射材料及其制造方法本发明涉及包含Hf和S的电子发射材料及其制造方法。 本发明的电子发射材料具有低功函数并且可以在低驱动电压下增加发射电流，因此可以有效地用于FED和荧光管。 本发明提供的HfS的功能不依赖于x因子并且显示约2.7eV的值。 这比商业电子发射材料Mo和碳的4eV的功函数低30％。当应用于FED和荧光管时，在低驱动电压下可以获得大的发射电流而不改变现有的器件结构。

公开(公告)号：KR102214812B1

公开(公告)日：2021-02-10

申请号：KR1020190102700

申请日：2019-08-21

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 김성웅 ,  강세황

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/66

Abstract: 본발명은비정질 Hf2S, Hf2Se 및 Hf2S1-xSex (0