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公开(公告)号：KR102226901B1
公开(公告)日：2021-03-11
申请号：KR1020140064010A
申请日：2014-05-27
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: C23C14/28 , C01B19/007 , C23C14/024 , C23C14/0623 , H01B1/06
Abstract: Hf
3 Te
2 를 포함하는 박막의 원료를 얻는 단계;
Hf
3 Te
2 를 포함하는 박막의 형성을 위한 표면을 가진 결정성 재료를 얻는 단계; 및
상기 원료로부터 상기 결정성 재료의 상기 표면 상에 Hf
3 Te
2 를 포함하는 박막을 형성하는 단계를 포함한 Hf
3 Te
2 를 포함하는 박막의 제조 방법이 제공되며, 이 때, 상기 결정성 재료는 구성하는 원자들의 규칙적 배열을 포함하는 결정 구조를 가지고, 상기 규칙적 배열 내에 규칙적으로 반복하는 임의의 다각형 또는 다면체가 그려질 수 있으며, Hf
3 Te
2 의 격자 상수에 대한, 상기 다각형 또는 다면체의 한 변의 길이와 상기 격자 상수 간의 최소 차이의 비율이 5% 이하이다.-
公开(公告)号：WO2022211488A1
公开(公告)日：2022-10-06
申请号：PCT/KR2022/004504
申请日：2022-03-30
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01B1/12 , H01M8/1016
Abstract: 본원은 화학식 1 내지 3으로 구성된 군에서 선택된 하나 이상의 화합물을 포함하는 수소화물에 있어서, 상기 수소화물은 전자화물에 포함된 전자가 수소로 치환된 것인, 수소화물에 대한 것이다.
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公开(公告)号：WO2019156337A1
公开(公告)日：2019-08-15
申请号：PCT/KR2018/016083
申请日：2018-12-18
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 전자방출(electron emitting) 물질 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 더욱 상세하게는 낮은 일함수 특성으로 낮은 구동 전압에서 방출 전류를 크게 할 수 있으며, 공기 중에서 안정한 비정질 전자방출 물질 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 전자방출 물질은 상용 전자방출 소재인 Mo 및 카본의 약 4.3 eV 수준의 일함수와 비교하여 30% 이상 낮은 일함수 특성을 가져, FED 및 형광관에 적용하면 기존 디바이스 구조의 변경 없이 낮은 구동 전압에서 큰 방출 전류를 얻을 수 있다. 또한, 본 발명의 전자방출 물질은 단순한 열처리, 용융-응고 및 기계적 분쇄 공정을 이용하여 대량 생산이 가능하다.
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公开(公告)号：WO2018164302A1
公开(公告)日：2018-09-13
申请号：PCT/KR2017/002609
申请日：2017-03-10
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 Hf 및 S를 포함하는 전자방출 물질 및 그 제조방법에 대한 것이다. 본 발명의 전자방출 물질은 낮은 일함수 특성으로 낮은 구동 전압에서 방출 전류를 크게 할 수 있어 FED 및 형광관에 유용하게 사용될 수 있다. 본 발명에서 제공되는 Hf 2+x S의 일함수는 x에 크게 의존하지 않으며 약 2.7 eV의 값을 나타낸다. 이는 상용 전자방출 소재인 Mo 및 카본의 4 eV 수준의 일함수와 비교하여 30% 이상 낮은 특성으로, FED 및 형광관에 적용하면 기존 디바이스 구조의 변경 없이 낮은 구동 전압에서 큰 방출 전류를 얻을 수 있다.
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公开(公告)号：WO2019146914A1
公开(公告)日：2019-08-01
申请号：PCT/KR2018/016089
申请日：2018-12-18
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 신규 자기열 물질 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 하기 화학식 1로 표현되는 신규 자기열 물질: [화학식 1] (Gd 1-x A x ) 3 SnC (여기서, A는 La 또는 Ce이고, x는 소수이며 0 3 SnC 대비 효율이 현저히 높아서 저가, 고효율의 자기냉각장치 구현과 자기열 효과의 적용 온도 범위의 확장과 제어에 유용하게 사용될 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2019146913A1
公开(公告)日：2019-08-01
申请号：PCT/KR2018/016087
申请日：2018-12-18
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 Hf과 Se 또는 S 중 어느 하나를 포함하는 촉매 물질과 구리 프로모터를 포함하는 수소발생 반응용 촉매에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 Hf 2+x A (여기서, A는 Se 또는 S이고, x는 0 또는 소수이고 0≤x≤0.4임), Hf 2 A 1-y (여기서, A는 Se 또는 S이고, y는 소수이고 0
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公开(公告)号：WO2018164479A1
公开(公告)日：2018-09-13
申请号：PCT/KR2018/002708
申请日：2018-03-07
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 전자화물과 유기구리화합물을 이용하여 제조한 저온 소결 가능한 구리입자 물질 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 입자 크기가 작고 분산성이 높아 전도성 구리잉크 재료로서 유용하게 사용될 수 있 구리 나노입자, 및 전자화물을 환원제로 사용하여 유기구리화합물을 환원시켜 상기 구리 나노입자를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명은 구리의 산화가 억제되고, 평균 입자 직경이 5 nm 내외로, 융점의 강하를 일으킬 수 있으며, 분산성이 높고, 간단한 초음파처리 공정으로서 전자화물을 제거할 수 있어, 전도성 구리 나노 잉크 재료에 적합하게 사용할 수 있는 구리 나노입자를 제공하며, 제조된 구리나노 입자는 입자 크기가 작고 분산성이 높은 산화방지 보호체 또는 전도성 구리잉크 재료로서의 유용하게 사용될 수 있다.
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公开(公告)号：WO2019151644A1
公开(公告)日：2019-08-08
申请号：PCT/KR2018/016085
申请日：2018-12-18
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 층상형 ZnSb, ZnSb 나노시트 및 이들의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 기존 3차원 ZnSb와는 다른 구조의 다형체 층상물질인 ZnSb를 효율적으로 박리하여 ZnSb 나노시트를 형성할 수 있다. 상기 공정에 의해 만들어지는 고품질 층상 ZnSb 나노시트는 대량 생산이 가능하여 열전 물질 등의 응용이 가능하다. 본 발명에 의하면, ZnSb 3차원 구조에 K 삽입 및 제거를 통해 층상형 ZnSb 구조를 만들 수 있으며, 새롭게 제작된 층상형 구조는 쉽게 박리가 가능하다.
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公开(公告)号：WO2019151643A1
公开(公告)日：2019-08-08
申请号：PCT/KR2018/016084
申请日：2018-12-18
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 층상형 AZnBi(여기서, A는 K, Na, Li 중 어느 하나임), 층상형 ZnBi, ZnBi 나노시트 및 이들의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 기존 2차원 소재 연구의 한계인 모상의 구조를 극복하기 위한 것으로, 이온 삽입을 이용하여 결정구조 전이를 통해 층상형 KZnBi, NaZnBi, LiZnBi를 제조하고, 이를 이용하여 자연계에서 존재하지 않는 ZnBi 층상구조 및 ZnBi 나노시트를 제조할 수 있다. 본 발명의 층상형 화합물 및 나노시트는 우수한 열전 특성을 가져 Bi 2 Te 3 계 재료와 PbTe계 재료를 대신하여 열전 소재로 활용될 수 있으며, 아울러 강자성 특성으로 인해 자성반도체로서 응용될 수 있다.
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公开(公告)号：KR102250676B1
公开(公告)日：2021-05-13
申请号：KR1020190102665
申请日：2019-08-21
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본발명은신규초전도체용화합물및 이의제조방법에관한것이다. 본발명에의하면, 상압의 0.84K 부근에서초전도성을갖는 KZnBi 화합물을제공할수 있다. 또한, 본발명에의해상압의 0.84K 부근에서초전도성을갖는 KZnBi 화합물의제조방법을제공할수 있다.
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