公开(公告)号：KR1019910002812B1

公开(公告)日：1991-05-04

申请号：KR1019880004590

申请日：1988-04-22

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 세끼구찌다께시 ,  니시구찌마사노리

IPC: H01L23/50

CPC classification number: H01L23/147 ,  H01L23/36 ,  H01L23/498 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2924/15173 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/30111 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599

Abstract: 내용 없음.

公开(公告)号：KR1019910001249B1

公开(公告)日：1991-02-26

申请号：KR1019870011773

申请日：1987-10-23

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 니시구찌마사노리 ,  소가와이찌로 ,  스나고가쯔요시

IPC: G01L9/08

CPC classification number: G01L9/0054 ,  G01L9/06

Abstract: 내용 없음.

公开(公告)号：KR1019880006533A

公开(公告)日：1988-07-23

申请号：KR1019870012430

申请日：1987-11-05

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 니시구찌마사노리

IPC: G01L9/06

Abstract: 내용 없음

公开(公告)号：KR100102864B1

公开(公告)日：1996-07-31

申请号：KR1019920012832

申请日：1992-07-18

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 하시나가테쯔야 ,  니시구찌마사노리

IPC: G01R31/26 ,  H01L21/66

公开(公告)号：KR1019960003986B1

公开(公告)日：1996-03-25

申请号：KR1019920012352

申请日：1992-07-11

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 니시구찌마사노리

IPC: G01R25/00

CPC classification number: G01R1/0408 ,  G01R31/2851 ,  G01R31/2893 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2924/12033 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/00

Abstract: 내용 없음.

公开(公告)号：KR100086588B1

公开(公告)日：1995-07-07

申请号：KR1019910001106

申请日：1991-01-23

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 니시구찌마사노리 ,  미끼마쯔시

IPC: H01L23/00

公开(公告)号：KR100085149B1

公开(公告)日：1995-05-23

申请号：KR1019910001104

申请日：1991-01-23

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 니시구찌마사노리 ,  미끼아쯔시

IPC: H01L23/12

公开(公告)号：KR1019940002915B1

公开(公告)日：1994-04-07

申请号：KR1019910014294

申请日：1991-08-20

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 니시구찌마사노리

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/30612 ,  H01L21/304 ,  H01L21/78 ,  Y10S148/051 ,  Y10S148/135

Abstract: 내용 없음.

公开(公告)号：KR1019920009718B1

公开(公告)日：1992-10-22

申请号：KR1019880009968

申请日：1988-08-05

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 후지히라미쓰아끼 ,  니시구찌마사노리

IPC: H01L29/76 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L29/66871 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/28587 ,  H01L21/3105 ,  H01L29/8128 ,  Y10S148/133

Abstract: 내용 없음.

Abstract translation: 一种复合半导体器件，其中在限定在基板（1）中的凹槽（20）的两侧上形成源极和漏极区域（16a，16b），并且两个区域（16a，16b）分别与 凹槽（20）以比凹槽（20）浅的深度通过第一区域（4分钟，4分钟分钟）预定间隔。 在源极和漏极区域（16a，16b）之间形成深度比所述凹槽深的第二区域（13）。 在第二区域（13）的与第二区域（13）的上表面肖特基接触的凹槽（20）的表面上形成栅电极（10）。 还公开了制备适于制备上述化合物半导体的精细掩模图案的方法。

公开(公告)号：KR100053882B1

公开(公告)日：1992-08-17

申请号：KR1019880004395

申请日：1988-04-18

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 니시구찌마사노리

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/04