GaAs 기반 양면 태양전지 제조 방법

    公开(公告)号:KR1020210016921A

    公开(公告)日:2021-02-17

    申请号:KR1020190095342

    申请日:2019-08-06

    Inventor: 허준석 남성현

    Abstract: 본발명의실시예에따른양면태양전지제조방법은, GaAs 기판상에 GaAs 에피층을형성하는단계; 상기 GaAs 에피층상에제1 전극을형성하는단계; 상기제1 전극상에투명접착층을형성하는단계; 상기투명접착층상에투명기판을본딩하는단계; 상기투명기판의본딩후에, 상기 GaAs 기판을제거하는단계; 및상기 GaAs 에피층의, 상기 GaAs 기판이제거된면 상에, 제2 전극을형성하는단계를포함한다.

    초음파 발생 소자 및 이의 제조 방법
    13.
    发明授权
    초음파 발생 소자 및 이의 제조 방법 有权
    超声波发生元件及其制造方法

    公开(公告)号:KR101799075B1

    公开(公告)日:2017-11-17

    申请号:KR1020160056629

    申请日:2016-05-09

    Inventor: 허준석 박형원

    Abstract: 초음파발생소자는제1면에형성된복수의게르마늄(Ge) 나노구조를포함하고, 상기제1면에반대하는제2면을통해입사된광을흡수하여열을발생시키는광흡수층및 상기광흡수층의제1면상에위치하고, 상기광흡수층에서발생된열을전달받고, 전달된열에의한열탄성팽창에따라초음파를발생시키는제1열탄성층을포함한다.

    Abstract translation: 超声波产生元件包括形成在第一表面上的多个锗(Ge)纳米结构,吸收通过与第一表面相反的第二表面入射的光以产生热量的光吸收层, 以及第一热弹性层,其位于第一表面上并接收光吸收层中产生的热量,并根据传递的热量的热膨胀弹性产生超声波。

Patent Agency Ranking