公开(公告)号：KR1020210016921A

公开(公告)日：2021-02-17

申请号：KR1020190095342

申请日：2019-08-06

Applicant: 아주대학교산학협력단

Inventor： 허준석 ,  남성현

IPC: H01L31/0304 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01L31/02

Abstract: 본발명의실시예에따른양면태양전지제조방법은, GaAs 기판상에 GaAs 에피층을형성하는단계; 상기 GaAs 에피층상에제1 전극을형성하는단계; 상기제1 전극상에투명접착층을형성하는단계; 상기투명접착층상에투명기판을본딩하는단계; 상기투명기판의본딩후에, 상기 GaAs 기판을제거하는단계; 및상기 GaAs 에피층의, 상기 GaAs 기판이제거된면 상에, 제2 전극을형성하는단계를포함한다.

公开(公告)号：KR102244274B1

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：KR1020190095342

申请日：2019-08-06

Applicant: 아주대학교산학협력단

Inventor： 허준석 ,  남성현

IPC: H01L31/0304 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01L31/02

Abstract: 본발명의실시예에따른양면태양전지제조방법은, GaAs 기판상에 GaAs 에피층을형성하는단계; 상기 GaAs 에피층상에제1 전극을형성하는단계; 상기제1 전극상에투명접착층을형성하는단계; 상기투명접착층상에투명기판을본딩하는단계; 상기투명기판의본딩후에, 상기 GaAs 기판을제거하는단계; 및상기 GaAs 에피층의, 상기 GaAs 기판이제거된면 상에, 제2 전극을형성하는단계를포함한다.