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公开(公告)号：WO2022250201A1
公开(公告)日：2022-12-01
申请号：PCT/KR2021/010943
申请日：2021-08-18
Applicant: 아주대학교산학협력단
Inventor： 허준석
IPC: H01L25/065 , H01L27/06 , H01L21/02
Abstract: 본 개시의 기술적 사상에 의한 일 양태에 따르면, 반도체 기판과, 반도체 기판에 형성된 제1 반도체 소자와, 반도체 기판 및 제1 반도체 소자를 덮는 유전체층과, 유전체층 내에 형성되는 배선 구조, 및 유전체층 상에 형성되고, 이차원 반도체 물질을 포함하는 씨드층 및 씨드층 상의 결정화된 반도체층을 포함하는 제2 반도체 소자를 포함하는, 모놀리식 3차원 집적 회로가 개시된다.
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公开(公告)号：WO2022114394A1
公开(公告)日：2022-06-02
申请号：PCT/KR2021/001377
申请日：2021-02-02
Applicant: 아주대학교산학협력단
IPC: H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 본 개시의 기술적 사상에 의한 일 양태에 따르면, 제1 도전형의 불순물이 제1 도핑 농도로 도핑된 삼차원 물질층, 및 제2 도전형의 불순물이 제2 도핑 농도로 도핑되고 삼차원 물질층과 접하도록 배치되어 삼차원 물질층과 타입 II 밴드 정렬(band alignment)을 이루는 이차원 물질층을 포함하는 광 센서가 개시된다.
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公开(公告)号：KR102209900B1
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：KR1020190053434
申请日：2019-05-08
Applicant: 아주대학교산학협력단
IPC: G02B6/12
Abstract: 본발명의실시예에따른광 도파로용결합기는, 기판; 및상기기판상에형성되는광전송층을포함하며, 상기광전송층은, 서로이웃하여형성된제1 릿지및 제2 릿지; 및상기제1 릿지및 상기제2 릿지의사이에형성된트렌치를포함한다.
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公开(公告)号：KR1020170000231A
公开(公告)日：2017-01-02
申请号：KR1020150089223
申请日：2015-06-23
Applicant: 아주대학교산학협력단
Abstract: 본발명의기술적사상에따른유연발광소자의제조방법은, 기판상에희생층을형성하는단계와, 희생층상에무기반도체층으로이루어진복수의나노와이어를성장시키는단계와, 복수의나노와이어상에제1 전극층을형성하는단계와, 제1 전극층과유연기판을결합시키는단계와, 희생층을제거하여복수의나노와이어로부터기판을분리시키는단계, 및기판및 희생층이제거된복수의나노와이어면에제2 전극층을형성하는단계를포함한다.
Abstract translation: 根据本发明的技术构思的制造柔性发光器件的方法包括以下步骤：在衬底上形成牺牲层;在牺牲层上生长由无机半导体层制成的多个纳米线; 形成第一电极层;组合第一电极层和柔性衬底;去除牺牲层以将衬底与多个纳米线分离;以及从多个纳米线表面去除衬底和牺牲层 并形成第二电极层。
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公开(公告)号：KR102244274B1
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：KR1020190095342
申请日：2019-08-06
Applicant: 아주대학교산학협력단
IPC: H01L31/0304 , H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/02
Abstract: 본발명의실시예에따른양면태양전지제조방법은, GaAs 기판상에 GaAs 에피층을형성하는단계; 상기 GaAs 에피층상에제1 전극을형성하는단계; 상기제1 전극상에투명접착층을형성하는단계; 상기투명접착층상에투명기판을본딩하는단계; 상기투명기판의본딩후에, 상기 GaAs 기판을제거하는단계; 및상기 GaAs 에피층의, 상기 GaAs 기판이제거된면 상에, 제2 전극을형성하는단계를포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101969401B1
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：KR1020170069685
申请日：2017-06-05
Applicant: 아주대학교산학협력단
IPC: C09K13/08 , H01L21/78 , H01L21/306
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公开(公告)号：KR102213532B1
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：KR1020190101638
申请日：2019-08-20
Applicant: 아주대학교산학협력단
IPC: G01N27/414 , G01J1/44
Abstract: 본발명의실시예에따른가스센서는, 게이트가가스와반응하여문턱전압이변화하는트랜지스터; 및상기트랜지스터의게이트에출력단이연결되고, 입력단중 하나가상기트랜지스터의드레인에연결되는 OP 앰프를포함하며, 상기트랜지스터의게이트전압은상기가스의농도에따라변화한다.
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公开(公告)号：KR1020200129272A
公开(公告)日：2020-11-18
申请号：KR1020190053434
申请日：2019-05-08
Applicant: 아주대학교산학협력단
IPC: G02B6/12
Abstract: 본발명의실시예에따른광 도파로용결합기는, 기판; 및상기기판상에형성되는광전송층을포함하며, 상기광전송층은, 서로이웃하여형성된제1 릿지및 제2 릿지; 및상기제1 릿지및 상기제2 릿지의사이에형성된트렌치를포함한다.
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公开(公告)号：KR101773458B1
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：KR1020160097684
申请日：2016-07-31
Applicant: 아주대학교산학협력단
IPC: H01L31/072 , H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0392
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/072 , H01L31/022425 , H01L31/0392 , H01L31/18
Abstract: 본발명의기술적사상에의한일 양태에따른태양전지의제조방법은, 제1 기판상에희생층을형성하는단계, 희생층의하면및 상면중 적어도일면상에변형률을내재하는식각정지층을형성하는단계, 식각정지층상에활성층을형성하는단계, 활성층상에제1 전극층을형성하는단계, 제1 전극층과제2 기판을결합시키는단계, 희생층을제거하여활성층으로부터제1 기판을분리시키는단계, 및제1 기판및 희생층이제거된활성층면에제2 전극층을형성하는단계를포함한다.
Abstract translation: 根据本发明的技术特征1天方面，一种制造太阳能电池的方法，该方法包括：形成在第一基板上形成牺牲层，形成蚀刻停止层上的牺牲层的至少一个侧面的应变底层，根据和上表面 步骤，形成在蚀刻停止层上的有源层，耦合第一步骤中，任务2基板中的第一电极层，形成在有源层上的第一电极层，移除所述牺牲层以从所述活性层的第一基板分离的工序中，mitje 并且在去除了第一衬底和牺牲层的有源层表面上形成第二电极层。
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公开(公告)号：KR101695761B1
公开(公告)日：2017-01-12
申请号：KR1020150089223
申请日：2015-06-23
Applicant: 아주대학교산학협력단
Abstract: 본발명의기술적사상에따른유연발광소자의제조방법은, 기판상에희생층을형성하는단계와, 희생층상에무기반도체층으로이루어진복수의나노와이어를성장시키는단계와, 복수의나노와이어상에제1 전극층을형성하는단계와, 제1 전극층과유연기판을결합시키는단계와, 희생층을제거하여복수의나노와이어로부터기판을분리시키는단계, 및기판및 희생층이제거된복수의나노와이어면에제2 전극층을형성하는단계를포함한다.
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