-
公开(公告)号：KR101916649B1
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：KR1020120057492
申请日：2012-05-30
Applicant: 연세대학교 산학협력단
Abstract: 초전도마그넷의충전속도를빠르게하는구조를갖는초전도마그넷이제공된다. 상기초전도마그넷은중공이구비된비절연형초전도마그넷; 및상기중공에배치되고, 충전모드인경우상기비절연형초전도마그넷에발생하는자속에대항하여상쇄하는방향의자속을발생시키는상쇄마그넷을포함하되, 상기상쇄마그넷은운전모드인경우상기충전모드에서충전된전력을방전시킨다.
-
公开(公告)号：KR1020180091545A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：KR1020170016878
申请日：2017-02-07
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L21/02 , H01L21/285 , H01L51/52
CPC classification number: H01L21/0228 , H01L21/02172 , H01L21/02274 , H01L21/02315 , H01L21/28556 , H01L51/5237
Abstract: 본발명은버퍼층을포함하는금속산화물막증착방법및 그제조방법을개시한다. 본발명의실시예에따른버퍼층을포함하는금속산화물막증착방법은기판상에제1 증착사이클을이용하여버퍼막을형성하는단계; 및상기버퍼막상에제2 증착사이클을이용하여금속산화물막을형성하는단계를포함하고, 상기제1 증착사이클은, 상기기판상에금속전구체를노출시키는단계; 및상기기판상에반응가스플라즈마를노출시키는단계를포함하며, 상기제2 증착사이클은, 상기기판상에상기금속전구체를노출시키는단계; 상기금속전구체를챔버로부터퍼지시키는단계; 상기기판상에상기반응가스플라즈마를노출시키는단계; 및상기반응가스를상기챔버로부터퍼지시키는단계를포함하고, 상기제1 증착사이클및 상기제2 증착사이클은복수회반복진행되는것을특징으로한다.
-
公开(公告)号：KR1020170121961A
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：KR1020160050907
申请日：2016-04-26
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L29/66 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L29/51
Abstract: 본발명은전이금속디칼코게나이드와금속산화물반도체의이종접합을이용한 PN 접합다이오드및 그제조방법을개시한다. 본발명의실시예에따른 PN 접합다이오드는기판; 상기기판상에형성되고, p형반도체로동작하는전이금속디칼코게나이드층; 상기전이금속디칼코게나이드층보다큰 에너지밴드갭을갖고, 상기전이금속디칼코게나이드층상에선정된패턴으로형성되며, n형반도체로동작하는금속산화물반도체층; 상기전이금속디칼코게나이드층상에형성되는제1 전극; 및상기금속산화물반도체층상에형성되는제2 전극을포함하고, 상기전이금속디칼코게나이드층및 상기금속산화물반도체층간의에너지밴드갭의제어를통하여전하분리를유도한다.
Abstract translation: 本发明公开了一种使用过渡金属二碱土金属化合物和金属氧化物半导体的异质结的PN结二极管及其制造方法。 根据本发明实施例的PN结二极管包括：衬底; 在衬底上形成并用作p型半导体的过渡金属二碳化物层; 金属氧化物半导体层，其具有比过渡金属硫属化合物层更大的能带隙，并且以预定图案形成在过渡金属硫属化合物层上并作为n型半导体工作; 在过渡金属硫属化合物层上形成的第一电极; 以及在金属氧化物半导体层上形成的第二电极，其中通过控制过渡金属氧化物半导体层和金属氧化物半导体层之间的能带隙来诱发电荷分离。
-
公开(公告)号：KR1020170108683A
公开(公告)日：2017-09-27
申请号：KR1020160032963
申请日：2016-03-18
Applicant: 연세대학교 산학협력단 , 인천대학교 산학협력단
IPC: H01L21/28 , H01L21/02 , H01L21/285
Abstract: 본발명은 2차원물질의표면기능화를이용한고유전체박막제조방법에관한것으로, (i) 2차원물질을기판으로준비하는단계; (ii) 상기기판에표면기능화를하는단계; (iii) 상기표면기능화한기판위에고유전체박막을제조하는단계; 를포함하여이루어지고, 상기 (ii)단계에서표면기능화는수소플라즈마를이용하여수행하는것을특징으로하는 2차원물질의표면기능화를이용한고유전체박막제조방법을제공한다. 상기본 발명에따르면, 기판데미지없이고품질, 고유전체박막을얻을수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及包括使用二维材料的表面官能化，制备式（I）的二维材料到衬底的高电介质薄膜的制造方法的方法; （ii）使衬底表面官能化; （iii）在表面功能化基底上制备高介电常数薄膜; A由含有中，（ⅱ）表面官能化步骤提供了使用该材料的两维表面官能化高介电薄膜的制造方法，其特征在于，使用氢等离子体进行。 根据上述基本发明，可以获得高质量，高介电常数薄膜而没有基板损坏。
-
公开(公告)号：KR1020160119903A
公开(公告)日：2016-10-17
申请号：KR1020150048290
申请日：2015-04-06
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L21/314 , H01L21/02
CPC classification number: C23C16/02 , C23C16/26 , C23C16/45525
Abstract: 본발명은탄소박막소자및 이의제조방법에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른탄소박막소자제조방법은기판상에기능기를형성하는단계및 원자층증착법에의해상기기능기가형성된기판상에탄소박막을증착하는단계를포함할수 있다.
Abstract translation: 公开了一种碳薄膜器件及其制造方法。 该方法包括在基板的表面上形成官能团并对基板进行功能化，并在形成有官能团的基板上通过ALD沉积碳薄膜。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160113356A
公开(公告)日：2016-09-29
申请号：KR1020150037374
申请日：2015-03-18
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: C23C16/40 , C23C16/44 , C23C16/448
CPC classification number: C23C16/45553 , C23C16/403 , C23C16/405 , C23C16/4488 , H01L21/02181 , H01L21/02183 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/02205 , H01L21/0228 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/0262 , H01L21/28556 , C23C16/40 , C23C16/448
Abstract: 본발명은산화물박막형성방법및 산화물박막형성장치에관한것으로, 산화물박막형성방법은, 금속전구체와 OH 라디칼을포함하는반응물을반응시켜기판상에산화물박막을형성하는단계를포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种形成氧化物薄膜的方法和一种用于形成氧化物薄膜的装置。 形成氧化物薄膜的方法包括通过使金属前体与含有OH基团的反应物反应在基底上形成氧化物薄膜的步骤。 本发明的目的是提供降低工艺成本的方法和装置。
-
公开(公告)号：KR1020160050818A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：KR1020140149875
申请日：2014-10-31
Applicant: 연세대학교 산학협력단
CPC classification number: H01F6/06 , H01F6/008 , B60L13/04 , B60L13/06 , H01F6/00 , H01F7/20 , H01H73/18 , H01H77/00 , H01L39/20
Abstract: 본발명은물체를고속으로부상시키거나발사하는장치에관한것이다. 본발명은, 서로다른방향으로감겨지고서로다른초전도특성을가진고온초전도코일의쌍을서로평행하게배치하고, 상기코일의쌍에동일한전류가흐르도록하여각 코일에서발생하는자기장이서로상쇄되도록하는안정상태에있다가, 스위칭을통하여상기코일의쌍에갑자기비대칭적인전류를가함으로써자기장을발생시키고, 상기발생된자기장으로인하여플레이트에서와전류가유도되도록하고, 상기와전류로인하여플레이트에서생성된자기장이상기코일의쌍에서발생된자기장과상호반발하는힘을이용하여플레이트가부상하도록함으로써, 소량의고온초전도체의코일을이용하여순간적으로큰 힘을발생시키는고속물체부상장치를제공한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种高速漂浮或发射物体的装置。 本发明提供一种高速物体浮动装置，其通过使用少量的高温超导体的线圈在一定时刻产生较大的力，通过：将一对彼此平行的高温超导体线圈排列成不同的线圈 方向，具有不同的超导特性; 通过在通过使一对线圈中的相同电流流动来消除来自每个线圈产生的磁场的稳定状态之后，通过切换施加不对称电流而突然地施加一对线圈的磁场; 由于产生的磁场，在板中引起涡流; 然后使用由于相对于一对线圈中产生的磁场的涡电流而在板中产生的磁场的斥力来浮动板。
-
公开(公告)号：KR1020160017710A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：KR1020140098865
申请日：2014-08-01
Applicant: 연세대학교 산학협력단 , 인천대학교 산학협력단
IPC: C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/46 , C23C16/52
CPC classification number: C09K3/18 , C08K3/22 , C08K2003/221 , C23C16/0227 , C23C16/40 , C23C16/405 , C23C16/4554 , C23C16/45553 , C23C16/455 , C23C16/46 , C23C16/52
Abstract: 본발명은코팅층형성방법및 방수성코팅부재에관한것으로, 본발명에따른코팅층형성방법은 (a) 기판상에희토류금속을포함하는전구체를공급하는단계; (b) 기판상에희토류금속이결합한후 남은전구체의불순물을퍼징하는단계; (c) 기판상에산화제를공급하는단계; 및 (d) 기판상에희토류금속산화물을포함하는코팅층이형성된후 남은불순물을퍼징하는단계를포함한다. 본발명에따른코팅층형성방법은코팅층중의탄소의원소비율이 1% 미만이되도록기판의온도를조절함으로써, 소수성혹은초소수성을갖는코팅층을형성한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种形成涂层的方法和防水涂层部件。 根据本发明的形成涂层的方法包括：（a）在基材上供给包含稀土金属的前体的步骤; （b）在所述基板上组合所述稀土金属之后，除去所述前体残留的杂质的工序; （c）在所述基板上供给氧化剂的工序; 以及（d）在基板上形成包含稀土类金属氧化物的涂层后残留的杂质的清洗工序。 根据本发明的形成涂层的方法通过调节基材的温度使得涂层中的碳的原子比可以小于1％，形成具有疏水性或超疏水性的涂层。
-
公开(公告)号：KR101541463B1
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：KR1020140109660
申请日：2014-08-22
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L21/24 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02568 , C23C16/405 , C23C16/45529 , C23C16/56 , H01L21/02614 , H01L21/0262 , H01L29/24 , H01L29/786 , H01L31/032
Abstract: 본 발명은 원자층 증착법(ALD)을 이용하여 기판상에 금속 산화물 합금을 형성하는 단계 및 상기 금속 산화물 합금을 금속 황화물 합금으로 변환하는 단계를 포함하는 금속 황화물 합금 형성 방법에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种形成金属硫化物合金的方法，其包括以下步骤：使用原子层沉积（ALD）方法在基板上形成金属氧化物合金; 并将金属氧化物合金转化成金属硫化物合金。 本发明提供了形成能够控制带隙的金属硫化物合金的方法。
-
公开(公告)号：KR101535573B1
公开(公告)日：2015-07-13
申请号：KR1020140152288
申请日：2014-11-04
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: C01B17/00 , C01B19/00 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/305 , C01G39/06 , C01P2002/82 , C01P2002/85 , C01P2004/04 , C23C16/45527 , C23C16/52 , H01L21/02422 , H01L21/02568 , H01L21/0262 , C01B17/00 , C01B19/00 , C23C16/455
Abstract: 본발명은전이금속칼코겐화합물합성방법에관한것으로, 기판상에전이금속칼코겐화합물의전구체와반응물질을순차적으로공급하는원자층증착법(atomic layer deposition)에의하여기판상에전이금속칼코겐화합물을소정의합성두께를갖도록합성하는전이금속칼코겐화합물합성방법으로서, 450℃이상 1000℃이하의공정온도로전이금속칼코겐화합물을합성하고, 소정의합성두께에대응하는공정온도로전이금속칼코겐화합물을합성하는전이금속칼코겐화합물합성방법을개시한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种过渡金属硫属化合物的合成方法，其通过原子层沉积法合成过渡金属硫属化合物以在基板上具有预定的合成厚度，该方法依次供给过渡金属硫属化合物的前体和 反应材料在基材上，其中过渡金属硫属化合物在450℃至1000℃的过程温度下合成，并且在对应于预定合成厚度的工艺温度下合成。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
109
records
(took 0.029 seconds)
