-
公开(公告)号：KR101894637B1
公开(公告)日：2018-10-24
申请号：KR1020160152531
申请日：2016-11-16
Applicant: 재단법인 다차원 스마트 아이티 융합시스템 연구단 , 연세대학교 산학협력단
IPC: G01N27/12 , H01L29/66 , H01L21/205 , H01L21/02
Abstract: 일실시예에따르면, 이차원전이금속화합물기반 PN 다이오드를이용한무전원가스센서제작방법은기판에제1 전극을생성하는단계; CVD(Chemical Vapor Deposition) 기반의대면적합성법을이용하여, 상기제1 전극이생성된기판에전이금속디칼코게나이드물질로 P 타입반도체및 N 타입반도체를형성하는단계; 및상기 P 타입반도체와상기 N 타입반도체가형성된기판에제2 전극을생성하는단계를포함한다.
-
公开(公告)号：KR1020170048873A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：KR1020150149510
申请日：2015-10-27
Applicant: 연세대학교 산학협력단
Abstract: CVD를이용한전이금속칼코겐화합물합성방법이개시된다. 개시된방법은, 알칼리금속염이로딩된진공챔버를준비하는단계(a); 및상기진공챔버에할라이드리간드를가지는전구체및 반응물질을주입하여 CVD에의해전이금속칼코겐화합물을합성하는단계(b)를포함한다. 개시된방법에의하면, 빠른속도로 CVD에의해전이금속칼코겐화합물을합성할수 있으며, 반응물질로유기리간드롤가지는물질이사용될때 탄소성분이효율적으로제거될수 있는장점이있다.
Abstract translation: 公开了使用CVD合成过渡金属硫族化合物的方法。 所公开的方法包括：（a）制备负载有碱金属盐的真空室; 并且（b）将具有卤化物配体和反应物的前体注入到真空室中以通过CVD合成金属硫属元素化物化合物。 根据所公开的方法，可以通过CVD高速合成金属硫族化合物化合物，并且当具有有机配体卷的物质用作反应物时，可以有效地除去碳组分。
-
公开(公告)号：KR101717623B1
公开(公告)日：2017-03-17
申请号：KR1020160032182
申请日：2016-03-17
Applicant: 연세대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은초박막다성분계이종접합소재를이용한초고속 LED 소자에관한것으로, 초고속 LED 소자에있어서, 정공을공급하는제1 금속전극층; 상기제1 금속전극층위에형성된정공전달층; 상기정공전달층위에형성된광방출층; 상기광방출층위에형성된전자전달층; 및상기전자전달층위에형성된전자를공급하는제2 금속전극층; 을포함하여이루어지고, 상기정공전달층및 전자전달층은초박막다성분계이종접합소재를포함하는것을특징으로하는초고속 LED 소자를제공한다. 상기본 발명에따르면, 기존 LED 소자와대비하여빠른응답속도와저전압으로동작가능한초고속/저전력 LED 소자를제공한다.
-
公开(公告)号：KR101507538B1
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：KR1020140147130
申请日：2014-10-28
Applicant: 연세대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L31/103 , H01L33/0008
Abstract: 본발명은무전원분자검출소자및 그제조방법에관한것으로, 무전원분자검출소자는기판및 기판상에형성된 PN 광다이오드를포함하며, PN 광다이오드는 p 타입도전형물질및 n 타입도전형물질을포함하고, p 타입도전형물질및 상기 n 타입도전형물질중 적어도하나는전이금속디칼코게나이드로형성된다.
Abstract translation: 本发明涉及一种非供电分子检测元件及其制造方法，其中非供电分子检测元件包括衬底和形成在衬底上的PN光电二极管，PN光电二极管包含p型导电材料 和n型导电材料，并且p型导电材料和n型导电材料中的至少一种由过渡金属二硫属元素制成。
-
公开(公告)号：KR101503733B1
公开(公告)日：2015-03-19
申请号：KR1020140006786
申请日：2014-01-20
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: C23C16/448 , C23C16/455
Abstract: 본 발명은 원자층 증착법을 이용하여 입체 형상 위에 금속 산화물을 증착하는 단계, 증착된 금속 산화물을 황화시켜 입체 형상에 대응하는 금속 황화물을 합성하는 단계를 포함하는 금속 황화물 입체 구조 형성 방법에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及使用沉积有原子层沉积的金属氧化物形成金属硫化物的三维结构的方法。 本发明提供使用原子层沉积形成二硫化钨的三维结构的方法。 本发明涉及形成金属硫化物的三维结构的方法，其包括以下步骤：使用原子层沉积将金属氧化物沉积在三维图像上; 并将沉积的金属氧化物硫化并合成对应于三维图像的金属硫化物。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101503438B1
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：KR1020140021444
申请日：2014-02-24
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: G01N27/407 , G01N27/12
Abstract: 본 발명은 가스 센서 제조 방법 및 그를 이용하여 제조된 가스 센서에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 센서 제조 방법은, 기판 상에 산화텅스텐 박막을 형성하는 단계; 상기 산화텅스텐 박막에 황화수소를 공급하면서 열처리하여 이황화텅스텐 박막을 합성하는 단계; 및 상기 이황화텅스텐 박막 상에 전극을 형성하는 단계;를 포함할 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种制造气体传感器的方法，以及使用该气体传感器制造的气体传感器。 根据本发明的实施例，制造气体传感器的方法包括以下步骤：在衬底上形成氧化钨薄膜; 合成二硫化钨薄膜，同时向氧化钨薄膜供给硫化氢，加热处理硫化氢; 并在二硫化钨薄膜上形成电极。
-
公开(公告)号：KR101742388B1
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：KR1020150149510
申请日：2015-10-27
Applicant: 연세대학교 산학협력단
Abstract: CVD를이용한전이금속칼코겐화합물합성방법이개시된다. 개시된방법은, 알칼리금속염이로딩된진공챔버를준비하는단계(a); 및상기진공챔버에할라이드리간드를가지는전구체및 반응물질을주입하여 CVD에의해전이금속칼코겐화합물을합성하는단계(b)를포함한다. 개시된방법에의하면, 빠른속도로 CVD에의해전이금속칼코겐화합물을합성할수 있으며, 반응물질로유기리간드롤가지는물질이사용될때 탄소성분이효율적으로제거될수 있는장점이있다.
-
公开(公告)号：KR1020160119903A
公开(公告)日：2016-10-17
申请号：KR1020150048290
申请日：2015-04-06
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L21/314 , H01L21/02
CPC classification number: C23C16/02 , C23C16/26 , C23C16/45525
Abstract: 본발명은탄소박막소자및 이의제조방법에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른탄소박막소자제조방법은기판상에기능기를형성하는단계및 원자층증착법에의해상기기능기가형성된기판상에탄소박막을증착하는단계를포함할수 있다.
Abstract translation: 公开了一种碳薄膜器件及其制造方法。 该方法包括在基板的表面上形成官能团并对基板进行功能化，并在形成有官能团的基板上通过ALD沉积碳薄膜。
-
公开(公告)号：KR101541463B1
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：KR1020140109660
申请日：2014-08-22
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L21/24 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02568 , C23C16/405 , C23C16/45529 , C23C16/56 , H01L21/02614 , H01L21/0262 , H01L29/24 , H01L29/786 , H01L31/032
Abstract: 본 발명은 원자층 증착법(ALD)을 이용하여 기판상에 금속 산화물 합금을 형성하는 단계 및 상기 금속 산화물 합금을 금속 황화물 합금으로 변환하는 단계를 포함하는 금속 황화물 합금 형성 방법에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种形成金属硫化物合金的方法，其包括以下步骤：使用原子层沉积（ALD）方法在基板上形成金属氧化物合金; 并将金属氧化物合金转化成金属硫化物合金。 本发明提供了形成能够控制带隙的金属硫化物合金的方法。
-
公开(公告)号：KR101535573B1
公开(公告)日：2015-07-13
申请号：KR1020140152288
申请日：2014-11-04
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: C01B17/00 , C01B19/00 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/305 , C01G39/06 , C01P2002/82 , C01P2002/85 , C01P2004/04 , C23C16/45527 , C23C16/52 , H01L21/02422 , H01L21/02568 , H01L21/0262 , C01B17/00 , C01B19/00 , C23C16/455
Abstract: 본발명은전이금속칼코겐화합물합성방법에관한것으로, 기판상에전이금속칼코겐화합물의전구체와반응물질을순차적으로공급하는원자층증착법(atomic layer deposition)에의하여기판상에전이금속칼코겐화합물을소정의합성두께를갖도록합성하는전이금속칼코겐화합물합성방법으로서, 450℃이상 1000℃이하의공정온도로전이금속칼코겐화합물을합성하고, 소정의합성두께에대응하는공정온도로전이금속칼코겐화합물을합성하는전이금속칼코겐화합물합성방법을개시한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种过渡金属硫属化合物的合成方法，其通过原子层沉积法合成过渡金属硫属化合物以在基板上具有预定的合成厚度，该方法依次供给过渡金属硫属化合物的前体和 反应材料在基材上，其中过渡金属硫属化合物在450℃至1000℃的过程温度下合成，并且在对应于预定合成厚度的工艺温度下合成。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
13
records
(took 0.026 seconds)
