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公开(公告)号：KR102234509B1
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：KR1020190079381A
申请日：2019-07-02
Applicant: 연세대학교 산학협력단
CPC classification number: G01N27/129 , G01N27/127 , H01L21/02104 , H01L29/47
Abstract: 본 실시예들은 기판에 전도층을 형성하고, 상기 전도층에 전극을 증착하며, 상기 전도층과 상기 전극에서 발생하는 쇼트키 배리어 높이를 기반으로 가스의 반응도를 변화시켜 상기 가스를 선택적으로 검출하는 쇼트키 배리어 조절을 통한 센서 반응성을 향상시킬 수 있는 이차원 전이금속 칼코겐화합물 가스 센서 및 그 제조 방법을 제공한다.
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公开(公告)号：KR101894637B1
公开(公告)日：2018-10-24
申请号：KR1020160152531
申请日：2016-11-16
Applicant: 재단법인 다차원 스마트 아이티 융합시스템 연구단 , 연세대학교 산학협력단
IPC: G01N27/12 , H01L29/66 , H01L21/205 , H01L21/02
Abstract: 일실시예에따르면, 이차원전이금속화합물기반 PN 다이오드를이용한무전원가스센서제작방법은기판에제1 전극을생성하는단계; CVD(Chemical Vapor Deposition) 기반의대면적합성법을이용하여, 상기제1 전극이생성된기판에전이금속디칼코게나이드물질로 P 타입반도체및 N 타입반도체를형성하는단계; 및상기 P 타입반도체와상기 N 타입반도체가형성된기판에제2 전극을생성하는단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR101784558B1
公开(公告)日：2017-10-12
申请号：KR1020150113910
申请日：2015-08-12
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: G01N27/407 , G01N33/00
Abstract: TCA 가스를감지하는반도체센서및 이를이용하는센서장치에관한기술이개시된다. 개시된 TCA 가스를감지하는반도체센서는기판; 상기기판상에형성되며, 금속산화물또는다이칼코게나이드(dichalcogenide) 화합물로이루어진 TCA 감지채널층; 및전극을포함하며, 상기 TCA 감지채널층의전류량은, 상기 TCA 감지채널층과 TCA(Trichloroanisole)의반응에따라변화한다.
Abstract translation: 公开了与用于感测TCA气体的半导体传感器有关的技术以及使用该技术的传感器装置。 所公开的用于感测TCA气体的半导体传感器包括：衬底; 在衬底上形成并由金属氧化物或二硫族化合物制成的TCA传感通道层; 以及电极，其中TCA感测沟道层的电流量根据TCA感测沟道层与TCA（三氯茴香醚）之间的反应而变化。
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公开(公告)号：KR101503733B1
公开(公告)日：2015-03-19
申请号：KR1020140006786
申请日：2014-01-20
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: C23C16/448 , C23C16/455
Abstract: 본 발명은 원자층 증착법을 이용하여 입체 형상 위에 금속 산화물을 증착하는 단계, 증착된 금속 산화물을 황화시켜 입체 형상에 대응하는 금속 황화물을 합성하는 단계를 포함하는 금속 황화물 입체 구조 형성 방법에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及使用沉积有原子层沉积的金属氧化物形成金属硫化物的三维结构的方法。 本发明提供使用原子层沉积形成二硫化钨的三维结构的方法。 本发明涉及形成金属硫化物的三维结构的方法，其包括以下步骤：使用原子层沉积将金属氧化物沉积在三维图像上; 并将沉积的金属氧化物硫化并合成对应于三维图像的金属硫化物。
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公开(公告)号：KR1020170019716A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：KR1020150113910
申请日：2015-08-12
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: G01N27/407 , G01N33/00
Abstract: TCA 가스를감지하는반도체센서및 이를이용하는센서장치에관한기술이개시된다. 개시된 TCA 가스를감지하는반도체센서는기판; 상기기판상에형성되며, 금속산화물또는다이칼코게나이드(dichalcogenide) 화합물로이루어진 TCA 감지채널층; 및전극을포함하며, 상기 TCA 감지채널층의전류량은, 상기 TCA 감지채널층과 TCA(Trichloroanisole)의반응에따라변화한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101785868B1
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：KR1020160137883
申请日：2016-10-21
Applicant: 연세대학교 산학협력단
CPC classification number: C25B11/0405 , B01J35/06 , C01B3/042 , C25B1/04 , C25B11/041 , C25B11/0426 , C25B11/0447
Abstract: 본발명은수소발생용촉매및 그제조방법을개시한다. 본발명의실시예에따른수소발생용촉매는고분자섬유표면에금속막이피복되어있는전도성직물및 상기전도성직물상에형성되는전이금속칼코겐화합물박막을포함함으로써, 전이금속칼코겐화합물과전도성직물의결합을통해작은개시전위, 작은타펠기울기, 높은전류교환밀도, 높은안정성등의우수한촉매특성을가지는수소발생용촉매를형성할수 있는것을특징으로한다.
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公开(公告)号：KR101541463B1
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：KR1020140109660
申请日：2014-08-22
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L21/24 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02568 , C23C16/405 , C23C16/45529 , C23C16/56 , H01L21/02614 , H01L21/0262 , H01L29/24 , H01L29/786 , H01L31/032
Abstract: 본 발명은 원자층 증착법(ALD)을 이용하여 기판상에 금속 산화물 합금을 형성하는 단계 및 상기 금속 산화물 합금을 금속 황화물 합금으로 변환하는 단계를 포함하는 금속 황화물 합금 형성 방법에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种形成金属硫化物合金的方法，其包括以下步骤：使用原子层沉积（ALD）方法在基板上形成金属氧化物合金; 并将金属氧化物合金转化成金属硫化物合金。 本发明提供了形成能够控制带隙的金属硫化物合金的方法。
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公开(公告)号：KR101535573B1
公开(公告)日：2015-07-13
申请号：KR1020140152288
申请日：2014-11-04
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: C01B17/00 , C01B19/00 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/305 , C01G39/06 , C01P2002/82 , C01P2002/85 , C01P2004/04 , C23C16/45527 , C23C16/52 , H01L21/02422 , H01L21/02568 , H01L21/0262 , C01B17/00 , C01B19/00 , C23C16/455
Abstract: 본발명은전이금속칼코겐화합물합성방법에관한것으로, 기판상에전이금속칼코겐화합물의전구체와반응물질을순차적으로공급하는원자층증착법(atomic layer deposition)에의하여기판상에전이금속칼코겐화합물을소정의합성두께를갖도록합성하는전이금속칼코겐화합물합성방법으로서, 450℃이상 1000℃이하의공정온도로전이금속칼코겐화합물을합성하고, 소정의합성두께에대응하는공정온도로전이금속칼코겐화합물을합성하는전이금속칼코겐화합물합성방법을개시한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种过渡金属硫属化合物的合成方法，其通过原子层沉积法合成过渡金属硫属化合物以在基板上具有预定的合成厚度，该方法依次供给过渡金属硫属化合物的前体和 反应材料在基材上，其中过渡金属硫属化合物在450℃至1000℃的过程温度下合成，并且在对应于预定合成厚度的工艺温度下合成。
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公开(公告)号：KR101503735B1
公开(公告)日：2015-03-19
申请号：KR1020140006778
申请日：2014-01-20
Applicant: 연세대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 원자층 증착법을 이용하여 기판 상에 금속 산화물(MO
x )을 증착하는 단계 및 증착된 상기 금속 산화물을 황화시켜 금속 황화물(MS
y )을 합성하는 단계를 포함하는 금속 황화물 합성 방법에 관한 것이다.Abstract translation: 本发明涉及一种金属硫化物合成方法，其包括通过使用原子层沉积法在基底上沉积金属氧化物（MO_x）和通过使沉积的金属氧化物硫化来合成金属硫化物（MS_y）的步骤。 本发明的目的是提供合成可以通过使用原子层沉积法控制厚度的金属硫化物的方法。
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公开(公告)号：KR101463105B1
公开(公告)日：2014-12-04
申请号：KR1020140000317
申请日：2014-01-02
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: C23C16/448 , C23C16/06 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45544 , C23C16/305 , C23C16/45525
Abstract: 본 발명은 황화 텅스텐층 형성 방법 및 황화 텅스텐층 형성 장치에 관한 것으로, 황화 텅스텐층 형성 방법은, 원자층 증착(Atomic Layer Deposition)에 의하여 황화 텅스텐층을 형성하는 황화 텅스텐층 형성 방법으로서, 기화된 텅스텐 클로라이드를 포함하는 전구체와 황화 수소를 포함하는 반응물을 반응시켜 기판상에 황화 텅스텐층을 형성하는 단계를 포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及形成硫化钨层的方法和硫化钨层的形成装置。 形成能够通过原子层沉积形成硫化钨层的硫化钨层的方法包括通过使含有气化氯化钨的前体与含有硫化氢的反应物反应，在基板上形成硫化钨层的步骤。
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