-
公开(公告)号：KR1020160125806A
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：KR1020150056790
申请日：2015-04-22
Applicant: 광주과학기술원
IPC: G02F1/1335 , G02B5/00 , G02B5/28 , G02B5/20
Abstract: 투명기판상에금속나노입자, 금속나노큐브, 금속나노와이어, 금속나노튜브, 금속다공성나노튜브및 이들의조합으로이루어지는군에서선택되는물질이코팅되어있는, 나노플라즈모닉컬러필터가제공된다. 본발명에따르면, 금속나노입자, 금속나노큐브, 금속나노와이어, 금속나노튜브또는금속다공성나노튜브의금속의종류, 크기, 농도(혹은밀도) 등을조절함으로써국부적플라즈몬공명을통한흡수파장의최적화를통하여투과도가향상된컬러필터를제공할수 있으며, 용액공정을통한공정간소화와대면적공정이가능하다.
-
公开(公告)号：KR1020160089081A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：KR1020150008536
申请日：2015-01-19
Applicant: 광주과학기술원
IPC: H01L33/20
CPC classification number: H01L33/58 , H01L33/0079 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L2933/0058 , H01L2933/0091 , H01L33/20
Abstract: 발광다이오드의제조방법및 이에의해제조된발광다이오드가제공된다. 상세하게는, 발광구조물상에요철패턴을형성하고, 상기요철패턴상에나노스피어층을이식하여건식식각을수행함으로써, 상기요철패턴의표면에복수개의나노돌기가배치된계층형표면구조를형성하는발광다이오드의제조방법에관한것이다. 본발명은나노스피어리소그래피및 건식식각공정을통해주기적으로배치된요철패턴표면에복수개의나노돌기가형성된계층형표면구조를용이하게형성할수 있어, 제조공정의간소화및 제조수율의향상을기대할수 있다. 또한, 계층형표면구조로인해발광다이오드의광출력(광추출) 및광균일성을향상시킬수 있다.
Abstract translation: 提供一种制造发光二极管的方法和由此制造的发光二极管。 特别地，制造发光二极管的方法包括在发光结构上形成凹陷图案，将纳米球层注入凹槽图案，并进行干蚀刻。 因此，在凹部图案的表面上形成具有纳米级突起的分层表面结构。 在周期性布置的凹陷图案表面上具有纳米突起的分层表面结构可以通过纳米球光刻和干蚀刻工艺容易地形成。 制造过程可以简化。 可以提高制造产量。 此外，通过分层表面结构可以提高发光二极管的光功率（光提取）和光均匀性。
-
公开(公告)号：KR101634338B1
公开(公告)日：2016-06-28
申请号：KR1020120044091
申请日：2012-04-26
Applicant: 광주과학기술원
Abstract: 발광다이오드및 이의제조방법이개시된다. 발광다이오드는제2 도전형반도체층상에형성되는그래핀층과, 그래핀층상의일부영역에형성되는복수개의금속나노입자를포함함으로써무기물로구성된제2 도전형반도체층과그래핀층의접착력이증대되어, 소자의안정성및 신뢰성이확보될수 있으며, 균일하게전류가확산되어소자의전면에서안정적으로광이출사될수 있다. 또한, 발광다이오드의제조방법은제2 도전형반도체층상에그래핀층을형성하는단계, 그래핀층상에패턴을가지는마스크막을형성하는단계, 마스크막의패턴내에금속막을형성하고, 마스크막을제거하는단계및 상기금속막을열처리하여복수개의금속나노입자를형성하는단계를포함함으로써높은굴절율을가지는금속나노입자가그래핀층상의일부영역에형성되고, 상기금속나노입자에의해표면텍스쳐링효과가발생되어발광효율이향상될수 있다.
-
公开(公告)号：KR101600783B1
公开(公告)日：2016-03-08
申请号：KR1020140062459
申请日：2014-05-23
Applicant: 광주과학기술원
Abstract: 고효율발광다이오드의제조방법이제공된다. 상세하게는, 기판상에 n형질화갈륨층, 및활성층을순차적으로형성하는단계, 상기활성층상에복수개의홀을가진 p형질화갈륨층을형성하는단계, 상기 p형질화갈륨층의홀의측면및 하면에절연영역층을형성하는단계, 및상기절연영역층이형성된홀의내부를충진하는금속층을형성하는단계를포함하며, 상기금속층은, 금속디스크층의형태이거나, 금속디스크층및 자성층이순차적으로적층된형태로형성하는것을특징으로하는고효율발광다이오드의제조방법을제공할수 있다. 이에, 본발명은복수개의홀을가진 p형질화갈륨층의내부에절연영역층을형성함으로써, 질화갈륨층내의금속층의형성에의해질화갈륨층의박막질이저하되거나누설전류가발생하는것을억제할수 있다. 또한, 질화갈륨층내부에금속디스크층을형성함으로써, 표면플라즈몬공명을통해발광다이오드의내부양자효율을효과적으로증가시킬수 있다. 아울러, 질화갈륨층내부에자성층을형성함으로써, 발광다이오드내 불균일한자기장을인가할수 있어발광재결합율이증가되면서발광효율이향상될수 있다.
-
公开(公告)号：KR1020150134950A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：KR1020140062459
申请日：2014-05-23
Applicant: 광주과학기술원
Abstract: 고효율발광다이오드의제조방법이제공된다. 상세하게는, 기판상에 n형질화갈륨층, 및활성층을순차적으로형성하는단계, 상기활성층상에복수개의홀을가진 p형질화갈륨층을형성하는단계, 상기 p형질화갈륨층의홀의측면및 하면에절연영역층을형성하는단계, 및상기절연영역층이형성된홀의내부를충진하는금속층을형성하는단계를포함하며, 상기금속층은, 금속디스크층의형태이거나, 금속디스크층및 자성층이순차적으로적층된형태로형성하는것을특징으로하는고효율발광다이오드의제조방법을제공할수 있다. 이에, 본발명은복수개의홀을가진 p형질화갈륨층의내부에절연영역층을형성함으로써, 질화갈륨층내의금속층의형성에의해질화갈륨층의박막질이저하되거나누설전류가발생하는것을억제할수 있다. 또한, 질화갈륨층내부에금속디스크층을형성함으로써, 표면플라즈몬공명을통해발광다이오드의내부양자효율을효과적으로증가시킬수 있다. 아울러, 질화갈륨층내부에자성층을형성함으로써, 발광다이오드내 불균일한자기장을인가할수 있어발광재결합율이증가되면서발광효율이향상될수 있다.
Abstract translation: 提供一种制造高效率发光二极管的方法。 具体地，制造高效率发光二极管的方法包括：依次在衬底上形成n型氮化镓层和有源层的步骤; 在有源层上形成具有多个孔的p型氮化镓层的步骤; 在p型氮化镓层的孔的侧面和下表面形成绝缘区域层的工序; 以及在形成有绝缘区域层的孔的内部形成金属层的步骤。 金属层形成为金属盘层的形状，并且金属盘层和磁性层依次层压在金属层中。 在具有空穴的p型氮化镓层中形成绝缘区域层，因为在氮化镓层中形成金属层，所以能够抑制氮化镓层中的薄膜劣化和漏电流。 此外，金属盘层形成在氮化镓层中，因此可以通过表面等离子体共振来有效地提高发光二极管中的内部量子效率。 此外，磁性层形成在氮化镓层中。 因此，由于不均匀的磁场被施加到发光二极管中，发光复合速率增加。 由此，能够提高发光效率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150121374A
公开(公告)日：2015-10-29
申请号：KR1020140046883
申请日：2014-04-18
Applicant: 광주과학기술원
IPC: H01L33/14
Abstract: 발광다이오드및 그제조방법을제공한다. 발광다이오드는 n형반도체층, p형반도체층및 상기 n형반도체층과상기 p형반도체층사이에위치하고, 적어도한 쌍이상의장벽층과우물층을포함하는활성층을포함하되, 상기장벽층중 적어도상기 p형반도체층에가장인접한제1 장벽층은제1 영역및 제2 영역을포함하고, 상기제2 영역은상기제1 영역보다상기 n형반도체층에가깝게위치하고, 상기제2 영역의에너지밴드갭은상기제1 영역의에너지밴드갭보다작고, 상기우물층의에너지밴드갭보다큰 것을특징으로한다. 따라서, 장벽층내부에정공에너지완화층을삽입함으로써, 활성층내부로의정공주입효율을향상시킬수 있고정공오버플로우현상을최소화할수 있다.
Abstract translation: 本发明提供一种发光二极管及其制造方法。 发光二极管包括：n型半导体层; p型半导体层; 以及设置在n型半导体层和p型半导体层之间的有源层，并且包括一对或多对势垒层和阱层。 在阻挡层中最靠近p型半导体层的第一阻挡层具有第一区域和第二区域。 第二区域比第一区域更靠近n型半导体层。 第二区域的能带隙小于第一区域的能带隙，并且大于阱层的能带隙。 因此，能够将空穴能量缓和层插入到阻挡层中，以提高空穴注入有源层的效率，并使孔溢出现象最小化。
-
-
公开(公告)号：KR1020150085950A
公开(公告)日：2015-07-27
申请号：KR1020140005971
申请日：2014-01-17
Applicant: 광주과학기술원
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/007 , H01L33/145 , H01L33/32
Abstract: n형질화물반도체층, 상기 n형질화물반도체층상에배치되며, InGaN 양자우물층과 GaN 양자장벽층이 1회이상교대로배치된구조를갖는활성층, 상기활성층상에배치되며, InGaN을함유하고일부영역이 p도핑된전자속박층, 상기전자속박층상에배치되며, 3족전이원소를포함하는 p형질화물반도체로이루어진전자장벽층, 및상기전자장벽층상에배치된 p형질화물반도체층을포함하는발광다이오드를제공한다. 이에따라, 전자의오버플로우를억제하고, 이에따라소모되는전자의양이감소시켜발광소자의광효율을향상시킬수 있다. 또한, 양질의전자장벽층을제공함과동시에전자장벽층의활성화에너지를증가시켜, 전자장벽층의효과극대화할수 있고, 누설전류를억제할수 있는효과가있다.
Abstract translation: 提供了一种发光二极管，其包括n型氮化物半导体层，有源层，其布置在氮化物半导体层上并且具有InGaN量子阱层和GaN量子势垒层交替堆叠的结构，至少一个 时间上，布置在有源层上的p掺杂电子捕获层包括InGaN，并且部分地是p掺杂的，电子势垒层设置在电子俘获层上并由p型氮化物半导体 包括3族过渡元素和布置在电子阻挡层上的p型氮化物半导体层。 从而防止电子溢出。 由此，可以通过减少电子消耗量来提高发光二极管器件的光效。 此外，通过提供高质量的电子势垒层和同时增加电子势垒层的活化能，可以使电子势垒层的效果最大化。 可以防止泄漏电流。
-
公开(公告)号：KR101532267B1
公开(公告)日：2015-06-30
申请号：KR1020140055535
申请日：2014-05-09
Applicant: 광주과학기술원
IPC: H01L33/12
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L33/32
Abstract: 실리콘기판; 상기실리콘기판상에형성된 AlN층; 및상기 AlN층상에형성된 GaN층을포함하는질화물계발광소자의제조방법에있어서, 상기 AlN층을형성하는단계는, 온도를일정하게유지하면서상기실리콘기판상에 Al 소스를도입하는단계; 온도를상승시키면서 Al 소스와 N 소스를동시에공급하여 AlN을성장시키는단계; 상승된온도를일정하게유지하면서 N 소스의공급을중단하고 Al 소스를재도입하는단계; 및온도를재상승시키면서 Al 소스와 N 소스를동시에공급하여 AlN을재성장시키는단계를포함하는, 질화물계발광소자의제조방법의제조방법이제공된다. 본발명에따르면, 가격이저렴하고높은결정성및 대면적웨이퍼공정이가능한실리콘기판을활용하면서도기판상에형성되는 GaN 층의결함을줄이고크랙발생을감소시켜전기적특성이향상된발광소자를제공할수 있다. 또한, AlN 및 GaN의박막결정성의향상, 전위전파차단, 하부잔류응력완화를통하여내부양자효율을향상시키고발광효율이크게증가된발광소자를제공할수 있다.
Abstract translation: 公开了一种用于制造氮化物基发光器件的方法，包括：硅衬底; 形成在硅衬底上的AIN层; 形成在AlN层上的氮化镓（GaN）层。 形成AIN层的方法包括：将AI源引入到硅衬底上同时保持均匀的温度的步骤; 同时提供AI源和N源来增加AIN同时增加温度的步骤; 停止供应N源并重新引入AI源同时保持升高的温度的步骤; 以及同时供应AI源和N源以重新增长AIN同时重新增加温度的步骤。 根据本发明，即使使用低成本的硅衬底，其允许具有高结晶度和大面积的晶片的工艺，可以提供减少GaN层上的缺陷的发光器件 形成在基板上并减少裂纹的产生，从而改善电特性。 此外，通过增加AIN和GaN的物质的膜的结晶化，屏蔽波电位以及释放剩余的较低的应力，可以提供具有改善的量子效率和光效率的发光器件。
-
公开(公告)号：KR101517481B1
公开(公告)日：2015-05-04
申请号：KR1020130118888
申请日：2013-10-07
Applicant: 광주과학기술원
Abstract: 자기구조물을 구비하는 발광다이오드 및 그 제조방법이 제공된다. 활성층 및 반도체층으로 이루어진 발광구조물의 내측면에 패시베이션층과 자성층으로 이루어진 자기구조물을 구비한다. 본 발명에 따르면, 활성층의 측면에 자성층을 포함하는 자기구조물을 배치함으로써 활성층에 인가되는 자기장의 영향력을 높여 전하운반자의 발광재결합률의 상승시킴으로써 발광다이오드의 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 발광구조물이 식각되는 형태에 따라 자성층을 포함하는 자기구조물의 배치를 달리할 수 있어 그에 따라 다양한 분포를 갖는 자기장을 구현할 수 있다.
Abstract translation: 提供了一种具有磁性结构的发光二极管及其制造方法。 以及在包括有源层和半导体层的发光结构的内表面上由钝化层和磁性层构成的磁性结构。 根据本发明，有可能通过放置包括在所述有源层侧的磁性层的磁结构提高发光复合率，提高发光二极管的效率增加施加到活性层的载流子的磁场的影响。 另外，根据要蚀刻的发光结构的形状，包括磁性层的磁性结构的布置可以不同，从而可以实现具有各种分布的磁场。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
229
records
(took 0.032 seconds)
