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公开(公告)号：WO2012124856A1
公开(公告)日：2012-09-20
申请号：PCT/KR2011/003650
申请日：2011-05-17
IPC: H01L31/042 , H01L31/0236
CPC classification number: H01L31/02363 , B82Y20/00 , H01L31/03044 , H01L31/035236 , H01L31/03529 , H01L31/075 , H01L31/1856 , Y02E10/544 , Y02E10/548
Abstract: 입사광에 대해 넓은 면적을 가지는 광활성층이 구비된 질화물 반도체 기반의 태양전지 및 이의 제조방법이 개시된다. 제1 n형 질화물 반도체층을 일부 차폐하는 마스크층에는 개구부가 형성된다. 개구부를 통해 제1 n형 질화물 반도체층은 노출되고, 노출된 제1 n형 질화물 반도체층을 근거로 제2 n형 질화물 반도체층은 성장된다. 성장된 제2 n형 질화물 반도체층은 개구부를 매립하고, 육각형의 피라미드 형상으로 형성된다. 또한, 이를 따라 광활성층 및 p형 질화물 반도체층은 순차적으로 형성된다. 따라서, 입사광에 의해 정공-전자쌍의 형성은 용이하게 이루어진다. 또한, 광활성층의 면적은 확장되어 광전변환효율은 상승된다.
Abstract translation: 公开了一种基于氮化物半导体的太阳能电池及其制造方法，该太阳能电池包括具有用于入射光的广泛面积的光活性层。 在部分屏蔽第一n型氮化物半导体层的掩模层上形成开口。 第一n型氮化物半导体层通过开口露出，并且基于暴露的第一n型氮化物半导体层生长第二n型氮化物半导体层。 生长的第二n型氮化物半导体层被埋在开口中并形成为六角锥形。 此外，沿着第二n型氮化物半导体层依次形成光活性层和p型氮化物半导体层。 因此，入射光容易形成空穴注入 - 电子对。 此外，光活性层的面积增大，光电转换效率提高。
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公开(公告)号：KR102136167B1
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：KR1020180090414
申请日：2018-08-02
Applicant: 광주과학기술원
IPC: H01M8/1025 , H01M8/1081 , H01M8/1004
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101634338B1
公开(公告)日：2016-06-28
申请号：KR1020120044091
申请日：2012-04-26
Applicant: 광주과학기술원
Abstract: 발광다이오드및 이의제조방법이개시된다. 발광다이오드는제2 도전형반도체층상에형성되는그래핀층과, 그래핀층상의일부영역에형성되는복수개의금속나노입자를포함함으로써무기물로구성된제2 도전형반도체층과그래핀층의접착력이증대되어, 소자의안정성및 신뢰성이확보될수 있으며, 균일하게전류가확산되어소자의전면에서안정적으로광이출사될수 있다. 또한, 발광다이오드의제조방법은제2 도전형반도체층상에그래핀층을형성하는단계, 그래핀층상에패턴을가지는마스크막을형성하는단계, 마스크막의패턴내에금속막을형성하고, 마스크막을제거하는단계및 상기금속막을열처리하여복수개의금속나노입자를형성하는단계를포함함으로써높은굴절율을가지는금속나노입자가그래핀층상의일부영역에형성되고, 상기금속나노입자에의해표면텍스쳐링효과가발생되어발광효율이향상될수 있다.
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公开(公告)号：KR101136882B1
公开(公告)日：2012-04-20
申请号：KR1020110022777
申请日：2011-03-15
Applicant: 광주과학기술원
IPC: H01L31/04 , H01L31/0236
CPC classification number: H01L31/02363 , B82Y20/00 , H01L31/03044 , H01L31/035236 , H01L31/03529 , H01L31/075 , H01L31/1856 , Y02E10/544 , Y02E10/548
Abstract: PURPOSE: A solar cell based on a nitride semiconductor and a fabricating method thereof are provided to improve photoelectric conversion efficiency by increasing an entire area of a photoactive layer lighting which receives incident light. CONSTITUTION: A first n-type nitride semiconductor layer(120) is formed on a substrate(100). A second n-type nitride semiconductor layer(140) is formed on the first n-type nitride semiconductor layer. A photoactive layer(150) is formed on the second n-type nitride semiconductor layer. A p-type nitride semiconductor layer(160) is formed on the photoactive layer. A transparent electrode(170) is formed on the p-type nitride semiconductor layer.
Abstract translation: 目的：提供一种基于氮化物半导体的太阳能电池及其制造方法，通过增加接收入射光的光活性层照明的整个面积来提高光电转换效率。 构成：在基板（100）上形成第一n型氮化物半导体层（120）。 在第一n型氮化物半导体层上形成第二n型氮化物半导体层（140）。 在第二n型氮化物半导体层上形成光敏层（150）。 在光敏层上形成p型氮化物半导体层（160）。 在p型氮化物半导体层上形成透明电极（170）。
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公开(公告)号：KR1020060087847A
公开(公告)日：2006-08-03
申请号：KR1020050008703
申请日：2005-01-31
Applicant: 광주과학기술원
IPC: H01L21/3063
CPC classification number: H01L21/30608
Abstract: 본 발명은 엑스선을 이용한 실리콘의 습식 에칭 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 빛이 없는 조건에서 불산 용액에 담긴 실리콘의 표면에 엑스선을 조사함으로써 선택적인 습식에칭을 할 수 있는 방법으로 엑스선이 조사된 부분의 실리콘 내부 및 표면에서 발생된 홀들은 용액내의 불산이온과 반응하여 실리콘이 용액 내로 용해될 수 있게 한다.
본 발명은 기존의 광원으로 사용된 레이저 및 자외선과 함께 이용 가능한 광원의 영역을 엑스선까지 확장시켰으며 기존광원에 비해 짧은 파장을 갖는 엑스선을 이용한 습식에칭은 나노 크기의 영역까지 선택적 에칭에 활용될 수 있고, 공간상의 고분해능을 갖는 장점을 제공한다.
실리콘, 엑스선, 싱크로트론, 에칭, 광화학-
公开(公告)号：KR1020130120876A
公开(公告)日：2013-11-05
申请号：KR1020120044091
申请日：2012-04-26
Applicant: 광주과학기술원
Abstract: A light emitting diode and a method for manufacturing the same are disclosed. The light emitting diode comprises a graphene layer on a second conductive semiconductor layer and a plurality of metal nanoparticles formed on some regions of the graphene layer, whereby adhesion between the second conductive semiconductor layer comprised of an inorganic material and the graphene layer is enhanced, thereby securing stability and reliability of the light emitting diode. In addition, the light emitting diode allows uniform spreading of electric current, thereby allowing stable emission of light through a surface area of the light emitting diode. The method for manufacturing the light emitting diode comprises the steps of: forming the graphene layer on the second semiconductor layer; forming a mask film having a pattern on the graphene layer; forming a metal layer within the pattern of the mask film and then removing the mask film; and heat treating the metal layer to form a plurality of metal nanoparticles, whereby the metal nanoparticles having a high index of refraction are formed on some regions of the graphene layer and provides surface texturing effects, thereby improving light emission efficiency. [Reference numerals] (AA) Graphene layer;(BB) Ag nanoparticle
Abstract translation: 公开了一种发光二极管及其制造方法。 发光二极管包括在第二导电半导体层上形成的石墨烯层和形成在石墨烯层的一些区域上的多个金属纳米颗粒，由此增强由无机材料构成的第二导电半导体层与石墨烯层之间的粘附，由此 确保发光二极管的稳定性和可靠性。 此外，发光二极管允许电流的均匀扩展，从而允许通过发光二极管的表面区域稳定地发射光。 制造发光二极管的方法包括以下步骤：在第二半导体层上形成石墨烯层; 在所述石墨烯层上形成具有图案的掩模膜; 在掩模膜的图案内形成金属层，然后除去掩模膜; 并且对金属层进行热处理以形成多个金属纳米颗粒，由此在石墨烯层的一些区域上形成具有高折射率的金属纳米颗粒，并提供表面纹理效应，从而提高发光效率。 （标号）（AA）石墨烯层;（BB）Ag纳米颗粒
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公开(公告)号：KR100668643B1
公开(公告)日：2007-01-16
申请号：KR1020050008703
申请日：2005-01-31
Applicant: 광주과학기술원
IPC: H01L21/3063
Abstract: 본 발명은 엑스선을 이용한 실리콘의 습식 에칭 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 빛이 없는 조건에서 불산 용액에 담긴 실리콘의 표면에 엑스선을 조사함으로써 선택적인 습식에칭을 할 수 있는 방법으로 엑스선이 조사된 부분의 실리콘 내부 및 표면에서 발생된 홀들은 용액내의 불산이온과 반응하여 실리콘이 용액 내로 용해될 수 있게 한다.
본 발명은 기존의 광원으로 사용된 레이저 및 자외선과 함께 이용 가능한 광원의 영역을 엑스선까지 확장시켰으며 기존광원에 비해 짧은 파장을 갖는 엑스선을 이용한 습식에칭은 나노 크기의 영역까지 선택적 에칭에 활용될 수 있고, 공간상의 고분해능을 갖는 장점을 제공한다.
실리콘, 엑스선, 싱크로트론, 에칭, 광화학
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