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公开(公告)号：WO2010036002A3
公开(公告)日：2010-04-01
申请号：PCT/KR2009/005384
申请日：2009-09-22
IPC: H01L33/12
Abstract: 단결정 기판의 제조방법, 이에 의해 제조된 단결정 기판, 단결정 기판을 포함하는 발광소자, 및 이의 제조방법이 개시되어 있다. 단결정 기판의 제조방법은 베이스 기판 상에 하부 에피층을 성장시키는 단계, 하부 에피층 내의 전위 영역의 적어도 일부를 선택적으로 제거하는 단계, 제거된 전위 영역 내에 전위 방지 요소를 형성하는 단계 및 전위 방지 요소가 형성된 하부 에피층 상에 상부 에피층을 형성하는 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：WO2017222311A1
公开(公告)日：2017-12-28
申请号：PCT/KR2017/006553
申请日：2017-06-21
Applicant: 광주과학기술원
IPC: H01B13/00 , B23K31/02 , B23K101/36
Abstract: 금속 나노와이어와 금속입자의 일함수 및 표준전극전위 차를 이용하여, 형성된 금속복합구조체의 제조방법이 제공된다. 금속 나노와이어와 금속입자를 전도성 기판 상에 형성하고 물을 도입하여 일함수 및 표준전극전위차에 의해 금속입자가 금속 나노와이어로 용접되어 금속복합구조체가 형성된다. 형성된 금속복합나노체는 금속 나노와이어의 결정성을 저하시키지 않으며, 친환경적 나노용접기술을 이용하여 투명전극 소재로 사용될 수 있다.
Abstract translation: ＆lt; p num =“0000”＆gt;提供一种制造使用金属纳米线和金属粒子的功函数和标准电极电位差形成的金属络合物结构体的方法。 金属纳米线和金属颗粒形成在导电基底上，引入水，金属颗粒通过功函数和标准电极电位差焊接到金属纳米线上以形成金属复合结构。 形成的金属络合物纳米体不会使金属纳米线的结晶性恶化，并且可以通过使用环境友好的纳米焊接技术用作透明电极材料。
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公开(公告)号：WO2017155340A1
公开(公告)日：2017-09-14
申请号：PCT/KR2017/002589
申请日：2017-03-09
Applicant: 광주과학기술원
Abstract: 기적 계층적인 미세 표면 구조를 가지는 광학필름 및 이를 제조하기 위한 방법이 개시된다. 포토레지스트 패턴의 리플로우를 통해 반구형 마스크 패턴이 형성되고, 이에 대한 식각을 통해 기판 상에는 반구형 패턴이 형성된다. 또한, 나노구슬은 반구형 패턴이 형성된 기판의 전면에 배치되고, 식각을 통해 나노돌기가 형성되고, 이를 통해 마스터 기판이 형성된다. 마스터 기판 상에 몰드 재료가 도포되고 경화를 통해 역상의 복제용 기판이 형성된다. 복제용 기판의 도입을 통해 표면에 반구형 패턴과 나노돌기를 가지는 광학필름이 형성된다.
Abstract translation: 公开了具有神经分层微细表面结构的光学膜及其制造方法。 通过光致抗蚀剂图案的回流形成半球形掩模图案，并且通过蚀刻在衬底上形成半球形图案。 另外，将纳米珠设置在其上形成有半球图案的衬底的前表面上，并且通过蚀刻形成纳米突起，从而形成主衬底。 将模具材料施加到母盘衬底上并且通过固化形成反相复印衬底。 通过引入复制基板，形成了在其表面上具有半球形图案和纳米粒子的光学膜。
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公开(公告)号：WO2010036030A2
公开(公告)日：2010-04-01
申请号：PCT/KR2009/005434
申请日：2009-09-23
IPC: H01L33/40
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L2933/0091
Abstract: 전기적 특성이 향상된 산화 아연계 전극을 이용한 발광 다이오드 및 그의 제조방법이 개시되어 있다. 발광 다이오드는 베이스 기판 상에 차례로 위치하는 제1형 반도체층, 활성층 및 제2형 반도체층을 구비하는 발광구조체 및 발광구조체 상부면에 위치하며, 산화아연계 박막 및 상기 산화아연계 박막 상에 돌출된 산화아연계 나노 막대들을 구비하는 전류 스프레딩층을 포함한다. 또한, 발광 다이오드의 제조방법은 베이스 기판 상에 차례로 위치하는 제1형 반도체층, 활성층 및 제2형 반도체층을 구비하는 발광구조체를 형성하는 단계 및 발광구조체의 상부면에 MOCVD 성장법을 이용하여 산화아연계 박막 및 상기 산화아연계 박막 상에 돌출된 산화아연계 나노 막대들을 구비하는 전류 스프레딩층을 형성하는 단계를 포함한다.
Abstract translation: 公开了一种使用具有改进的电性能的氧化锌基电极的发光二极管及其制造方法。 在本发明的一个实施例中，发光二极管包括具有顺序地设置在基底基板上的第一半导体层，有源层和第二半导体层的发光结构; 以及配置在发光体的上表面的电流扩散层，所述电流扩散层具有氧化锌系薄膜和从所述氧化锌系薄膜突出的氧化锌系纳米棒。 此外，发光二极管的制造方法包括以下步骤：形成具有依次设置在基底基板上的第一半导体层，有源层和第二半导体层的发光体; 通过MOCVD生长法在发光体的上面形成电流扩散层，形成从氧化锌系薄膜突出的氧化锌系薄膜和氧化锌系纳米棒。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1020170127088A
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：KR1020160056907
申请日：2016-05-10
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원 , 광주과학기술원
CPC classification number: H01L33/36 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2924/12041 , H01L2933/0016
Abstract: 본발명의목적은반사도가우수하면서도반도체층과의오믹컨택을유지할수 있는발광다이오드용반사전극및 이의제조방법을제공하는데있다. 상기목적을달성하기위하여본 발명은반도체층 상에형성되는전도체홀 어레이층; 상기전도체홀 어레이층 상에형성되는도전성층; 및상기도전성층상부에형성되는알루미늄금속층;을포함하는것을특징으로하는발광다이오드용반사전극및 반도체층을형성하는단계; 상기반도체층 상부로전도체홀 어레이층을형성하는단계; 상기전도체홀 어레이층상부로도전성층을형성하는단계; 상기도전성층상부로알루미늄금속층을형성하는단계;를포함하는것을특징으로하는발광다이오드용반사전극의제조방법을제공한다. 본발명에따르면, 반사전극으로본 발명에서제시한구조를사용함으로써가시광영역뿐만아니라자외선영역에서도반사도가우수하여광추출효율이향상되며, 나아가반도체층과의오믹컨택을유지할수 있는효과가있다.
Abstract translation: 发明内容本发明的目的是提供一种用于发光二极管的反射电极及其制造方法，该反射电极能够保持与半导体层的欧姆接触，同时具有优异的反射率。 根据本发明的一个方面，提供了一种半导体器件，包括：形成在半导体层上的导电孔阵列层; 形成在导电孔阵列层上的导电层; 以及形成在所述导电层上的铝金属层，所述方法包括：形成用于发光二极管的反射电极和半导体层; 在半导体层上形成导体孔阵列层; 用导体孔阵列分层部分形成导电层; 7.根据权利要求1所述的制造用于发光二极管的反射电极的方法，其中， 根据本发明，通过使用在本发明中用作反射电极提出的结构，且反射率优于以提高光提取效率，以及在可见光区域，紫外光区域，还有一个进一步的效果，可以维持与半导体层的欧姆接触。
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公开(公告)号：KR1020160125806A
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：KR1020150056790
申请日：2015-04-22
Applicant: 광주과학기술원
IPC: G02F1/1335 , G02B5/00 , G02B5/28 , G02B5/20
Abstract: 투명기판상에금속나노입자, 금속나노큐브, 금속나노와이어, 금속나노튜브, 금속다공성나노튜브및 이들의조합으로이루어지는군에서선택되는물질이코팅되어있는, 나노플라즈모닉컬러필터가제공된다. 본발명에따르면, 금속나노입자, 금속나노큐브, 금속나노와이어, 금속나노튜브또는금속다공성나노튜브의금속의종류, 크기, 농도(혹은밀도) 등을조절함으로써국부적플라즈몬공명을통한흡수파장의최적화를통하여투과도가향상된컬러필터를제공할수 있으며, 용액공정을통한공정간소화와대면적공정이가능하다.
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公开(公告)号：KR1020160089081A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：KR1020150008536
申请日：2015-01-19
Applicant: 광주과학기술원
IPC: H01L33/20
CPC classification number: H01L33/58 , H01L33/0079 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L2933/0058 , H01L2933/0091 , H01L33/20
Abstract: 발광다이오드의제조방법및 이에의해제조된발광다이오드가제공된다. 상세하게는, 발광구조물상에요철패턴을형성하고, 상기요철패턴상에나노스피어층을이식하여건식식각을수행함으로써, 상기요철패턴의표면에복수개의나노돌기가배치된계층형표면구조를형성하는발광다이오드의제조방법에관한것이다. 본발명은나노스피어리소그래피및 건식식각공정을통해주기적으로배치된요철패턴표면에복수개의나노돌기가형성된계층형표면구조를용이하게형성할수 있어, 제조공정의간소화및 제조수율의향상을기대할수 있다. 또한, 계층형표면구조로인해발광다이오드의광출력(광추출) 및광균일성을향상시킬수 있다.
Abstract translation: 提供一种制造发光二极管的方法和由此制造的发光二极管。 特别地，制造发光二极管的方法包括在发光结构上形成凹陷图案，将纳米球层注入凹槽图案，并进行干蚀刻。 因此，在凹部图案的表面上形成具有纳米级突起的分层表面结构。 在周期性布置的凹陷图案表面上具有纳米突起的分层表面结构可以通过纳米球光刻和干蚀刻工艺容易地形成。 制造过程可以简化。 可以提高制造产量。 此外，通过分层表面结构可以提高发光二极管的光功率（光提取）和光均匀性。
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公开(公告)号：KR101634338B1
公开(公告)日：2016-06-28
申请号：KR1020120044091
申请日：2012-04-26
Applicant: 광주과학기술원
Abstract: 발광다이오드및 이의제조방법이개시된다. 발광다이오드는제2 도전형반도체층상에형성되는그래핀층과, 그래핀층상의일부영역에형성되는복수개의금속나노입자를포함함으로써무기물로구성된제2 도전형반도체층과그래핀층의접착력이증대되어, 소자의안정성및 신뢰성이확보될수 있으며, 균일하게전류가확산되어소자의전면에서안정적으로광이출사될수 있다. 또한, 발광다이오드의제조방법은제2 도전형반도체층상에그래핀층을형성하는단계, 그래핀층상에패턴을가지는마스크막을형성하는단계, 마스크막의패턴내에금속막을형성하고, 마스크막을제거하는단계및 상기금속막을열처리하여복수개의금속나노입자를형성하는단계를포함함으로써높은굴절율을가지는금속나노입자가그래핀층상의일부영역에형성되고, 상기금속나노입자에의해표면텍스쳐링효과가발생되어발광효율이향상될수 있다.
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