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公开(公告)号：KR1020160012750A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：KR1020140094858
申请日：2014-07-25
Applicant: 아주대학교산학협력단
IPC: B01J35/10 , B01J37/08 , B01J20/02 , B01J20/30 , B82B3/00 , C01G25/02 , C01B33/113 , C01B31/04 , C01G41/02
CPC classification number: B01J35/10 , B01J20/02 , B01J20/30 , B01J37/08 , B82B3/00 , C01B32/20 , C01B33/113 , C01G25/02 , C01G41/02
Abstract: 2차원템플레이트, 이의제조방법, 다공성나노시트, 이의제조방법및 전극구조체에서, 2차원템플레이트는 2차원탄소층및 2차원탄소층상에형성되고, 지르코늄(Zr) 및실리콘(Si)을포함하는 2원계복합산화물로이루어진다공성층을포함한다.
Abstract translation: 提供二维模板，其制造方法，多孔纳米片，其制造方法和电极结构。 二维模板包括二维碳层; 和形成在二维碳层上的多孔层，由包含锆（Zr）和硅（Si）的二元复合氧化物制成。 本发明的目的是提供具有高化学，热和物理稳定性并且具有增加的孔径的薄膜结构载体的二维模板; 及其制造方法。
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12.发明授权
公开(公告)号：KR101466310B1
公开(公告)日：2014-11-27
申请号：KR1020130107919
申请日：2013-09-09
Applicant: 아주대학교산학협력단
CPC classification number: H01M4/364 , C01B32/184 , H01G11/36 , H01G11/38 , H01G11/42 , H01G11/86 , H01M4/0404 , H01M4/0409 , H01M4/131 , H01M4/133 , H01M4/1391 , H01M4/1393 , H01M4/24 , H01M4/362 , H01M4/52 , H01M4/523 , H01M4/58 , H01M4/587 , H01M4/623 , H01M4/661 , Y02E60/13 , B82B3/0009 , B82B1/008 , C01B32/192 , C01B32/194
Abstract: 본 발명은 금속산화물-그래핀 나노복합체의 제조방법 및 금속산화물-그래핀 나노복합체를 이용한 전극 제조방법에 관한 것으로, 본 발명은, 나노복합체의 합성 재료를 준비하는 단계; 상기 합성 재료를 전처리하여 그래핀 플레이크(graphene flake)를 형성하는 단계; 및 상기 전처리한 합성 재료를 수열합성하는 단계를 포함한다.
본 발명에 의하면, 기존의 산화제와 환원제, 고온의 열을 이용한 그래핀 방법에서 벗어나 계면활성제만을 이용하여 한 번의 공정(one-step)으로 값싼 그래파이트로부터 금속산화물-그래핀 나노복합체를 제조 가능하다는 장점을 가지며, 이는 공정단계를 개선함과 동시에 공정비용의 경제성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다. 또한, 전극 제조시 기존의 활물질, 도전재, 바인더를 사용하는 방법에서 벗어나 그래핀으로 인한 낮은 전기저항을 그대로 살려 도전재를 첨가하지 않는 공정을 통해 효율성을 가져올 수 있는 효과가 있다. 또한, 순도가 높은 그래핀을 단시간에 제조함과 동시에 에너지 저장장치에 응용 가능한 다양한 금속산화물 활물질을 단성분계, 이성분계, 다성분계 금속산화물을 한 번의 공정으로 제조가능하며, 원하는 중량비, 필요로 하는 산화물{산화코발트(CoO), 사산화삼코발트(Co3O4), 수산화코발트[Co(OH)
2 ] 등}을 손쉽게 제조할 수 있어 매우 넓은 응용범위(이차전지 및 가스 센서 등)를 기대할 수 있다.Abstract translation: 本发明涉及一种金属氧化物/石墨烯纳米复合材料的制造方法和使用金属氧化物/石墨烯纳米复合材料制造电极的方法。 本发明包括以下步骤：制备纳米复合材料的合成材料; 预处理合成材料以形成石墨烯薄片; 并对预处理的合成材料进行水热合成。 根据本发明，本发明的优点是能够通过仅使用表面活性剂的一步法从廉价的石墨制造金属氧化物/石墨烯纳米复合材料，与使用氧化剂的常规石墨烯法相比， 还原剂和高温热，一步法可以减少工艺步骤的数量，并且在工艺成本方面提高经济可行性。 此外，当制造电极时，通过脱离使用活性材料，导电材料和粘合剂的常规方法，本发明可以通过利用石墨烯的低电阻的优点而产生效率，而不添加 导电材料。 此外，由于可以在短时间内制备高纯度石墨烯，所以也可以以一步法制备作为能量储存装置的各种活性物质的单组分，双组分金属氧化物， 并且所需的氧化物（氧化钴（CoO），四氧化四钴（Co 3 O 4），氢氧化钴[Co（OH）2]等}可以容易地以所需的重量百分比制造，应用范围非常广泛 二次电池和气体传感器等）。
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公开(公告)号：KR1020130080333A
公开(公告)日：2013-07-12
申请号：KR1020120001181
申请日：2012-01-04
Applicant: 아주대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: An InP/GaP/ZnS quantum dot is provided to secure high quantum yield and photochemical stability, excellent fluorescence characteristic, and to produce a white LED with high luminous efficiency and long lifetime. CONSTITUTION: An InP/GaP/ZnS quantum dot includes an InP core, and GaP and ZnS successively forming shells. A weight ratio of Ga and In is 8-20%, and the InP core has an average diameter of 2.5-4.0 nm and the emission peak of 500-600 nm. An average diameter of the whole quantum dot is 4.2-6.5 nm. A white LED uses the InP/GaP/ZnS quantum dot.
Abstract translation: 目的：提供InP / GaP / ZnS量子点，以确保高量子产率和光化学稳定性，优异的荧光特性，并生产出具有高发光效率和长寿命的白光LED。 构成：InP / GaP / ZnS量子点包括InP核，GaP和ZnS依次形成壳。 Ga和In的重量比为8-20％，InP芯的平均直径为2.5-4.0nm，发射峰为500-600nm。 整个量子点的平均直径为4.2-6.5nm。 白色LED使用InP / GaP / ZnS量子点。
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公开(公告)号：KR1020100011506A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：KR1020080072757
申请日：2008-07-25
Applicant: 아주대학교산학협력단
Inventor： 김상욱
CPC classification number: C01G21/21 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01P2004/16
Abstract: PURPOSE: Nanorod crystals of lead sulfide and a method for controlling the shape are provided to control an aspect ratio free and to ensure a powerful quantum confinement effect and considerably larger absorption cross section in near-infrared radiation region than an organic dye. CONSTITUTION: A method for manufacturing PbS nanocrystals with a rod shape comprises the steps of: manufacturing the PbS nanocrystals with the rod shape by reacting a Pb precursor with a S precursor under existence of surfactant; growing the PbS nanorod crystals. Surfactant is a mixture of the amine of C8 - C20 and the carboxylic acid of the C8 - C20. The Pb precursor is nitrate, sulphate, carbonate, halide, acetate, oxide or their hydrate of Pb. THE S precursor is tris(trimethyl)silyl sulfide, and tris(trimethyl)silyl sulfide - trioctylphosphin complex, tris(trimethyl)silyl sulfide - tributyl phosphine complex or compound combined with more than one of those.
Abstract translation: 目的：提供硫化铅的纳米棒晶体和控制形状的方法，以控制纵横比的自由度，确保近红外辐射区域中有机染料的强大的量子限制效应和相当大的吸收截面。 构成：用于制造具有棒状的PbS纳米晶体的方法包括以下步骤：通过在存在表面活性剂的情况下使Pb前体与S前体反应来制造具有棒状的PbS纳米晶体; 生长PbS纳米棒晶体。 表面活性剂是C8-C20的胺和C8-C20的羧酸的混合物。 Pb前体是硝酸盐，硫酸盐，碳酸盐，卤化物，乙酸盐，氧化物或其水合物。 S前体是三（三甲基）甲硅烷基硫醚和三（三甲基）甲硅烷基硫醚 - 三辛基膦基络合物，三（三甲基）甲硅烷基硫醚 - 三丁基膦配合物或化合物与多于一种的化合物。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR101741358B1
公开(公告)日：2017-05-29
申请号：KR1020160021364
申请日：2016-02-23
Applicant: 아주대학교산학협력단
IPC: C08K5/29 , C08L101/12 , H01L51/00 , H01L51/44
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 광활성-도전성고분자재료, 광활성-도전막및 이를포함하는광전자소자에서, 광활성-도전성고분자재료는도전성고분자와, 크레졸유사작용기, 광에반응하여이성질화되는광활성부및 상기크레졸유사작용기와상기광활성부를연결시키는비극성의지방족연결부를포함하는광활성화합물을포함한다.
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18.发明授权전이금속 질화물 포함 전극재료의 제조방법 및 이에 의해 제조된 전극재료를 활물질로 포함하는 전기화학 장치 有权一种制造包含过渡金属氮化物的电极材料的方法和包含由此制得的电极材料作为活性材料的电化学装置
公开(公告)号：KR101733912B1
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：KR1020160029287
申请日：2016-03-11
Applicant: 아주대학교산학협력단
IPC: C01G31/00 , H01M4/587 , H01M10/0525 , H01G11/10
Abstract: 전이금속질화물의제조방법이개시된다. 전이금속질화물제조방법은전이금속전구체물질이용해된제1 용액및 질소전구체물질과계면활성제가용해된제2 용액을혼합한후 이를열처리함으로써전이금속질화물을제조할수 있다. 이러한방법에따른면전이금속질화물을간단한공정을통해단시간에제조할수 있다.
Abstract translation: 公开了一种制造过渡金属氮化物的方法。 过渡金属氮化物的制造方法是，然后混合与第一溶液和所述氮前体材料和所用的活性剂可以溶解通过热处理它们以制备过渡金属氮化物表面上的过渡金属前体材料的第二溶液。 根据该方法的金属氮化物可以通过简单的工艺在短时间内生产。
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公开(公告)号：KR101721765B1
公开(公告)日：2017-03-30
申请号：KR1020150103543
申请日：2015-07-22
Applicant: 아주대학교산학협력단
Abstract: 양자점구조체가개시된다. 양자점구조체는암염(rock salt) 결정구조를갖는황화납결정입자및 황화납결정입자에도핑된마그네슘이온을구비할수 있다. 이러한양자점구조체에서는납 이온보다환원전위가낮고산소친화도가큰 마그네슘이온이갈바닉희생물질로작용하여양자점구조체의공기중 안정성이향상된다.
Abstract translation: 披露了一种量子点结构。 量子点结构可以包括硫化铅晶粒中具有岩盐晶体结构和掺杂的镁离子的硫化铅晶粒。 在这样的量子点结构中，具有比铅离子更低的还原电位和更高的氧亲和力的镁离子充当电流牺牲材料，由此增强量子点结构的空气稳定性。
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公开(公告)号：KR101601454B1
公开(公告)日：2016-03-08
申请号：KR1020140094858
申请日：2014-07-25
Applicant: 아주대학교산학협력단
IPC: B01J35/10 , B01J37/08 , B01J20/02 , B01J20/30 , B82B3/00 , C01G25/02 , C01B33/113 , C01B31/04 , C01G41/02
Abstract: 2차원템플레이트, 이의제조방법, 다공성나노시트, 이의제조방법및 전극구조체에서, 2차원템플레이트는 2차원탄소층및 2차원탄소층상에형성되고, 지르코늄(Zr) 및실리콘(Si)을포함하는 2원계복합산화물로이루어진다공성층을포함한다.
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