높은 열전도율과 탄성회복률을 구비한 소재 및 이를 적용한 복합소재
    11.
    发明公开
    높은 열전도율과 탄성회복률을 구비한 소재 및 이를 적용한 복합소재 有权
    具有高导热性和弹性恢复模量的材料及其复合材料

    公开(公告)号:KR1020130029665A

    公开(公告)日:2013-03-25

    申请号:KR1020110093075

    申请日:2011-09-15

    Abstract: PURPOSE: A material is provided to obtain high conductivity by transferring phonons along the surface of a particle without dispersing the phonons in a polymer resin. CONSTITUTION: A material(100) comprises an elastic particle(130) formed of a polymer resin; and a highly thermal conductive particle(110) which is coupled to the surface of the elastic particle by an integrated high spinning method. The elastic modulus of the elastic particle is 0.01-100 GPa. The thermal conductivity of the highly thermal conductive particle is 1.0-2,000 W/mK. The size of the elastic particle is 1micron-100mm. The particle size of the highly thermal conductive particle is 1nm-1mm. The highly thermal conductive particle is coupled to the surface of the elastic particle.

    Abstract translation: 目的:提供一种通过沿着颗粒表面转移声子而不将声子分散在聚合物树脂中来获得高导电性的材料。 构成:材料(100)包括由聚合物树脂形成的弹性颗粒(130); 和高导热性颗粒(110),其通过一体式高纺丝方式与弹性颗粒的表面相连。 弹性体的弹性模量为0.01〜100GPa。 高导热颗粒的导热系数为1.0-2,000W / mK。 弹性粒子的尺寸为1微米〜100毫米。 高导热粒子的粒径为1nm-1mm。 高导热颗粒与弹性颗粒的表面相连。

    전극 기판 및 그의 전극 형성 방법
    14.
    发明授权
    전극 기판 및 그의 전극 형성 방법 有权
    电极基板及其电极的形成方法

    公开(公告)号:KR101660223B1

    公开(公告)日:2016-09-28

    申请号:KR1020150021445

    申请日:2015-02-12

    Inventor: 한철종 오민석

    Abstract: 본발명은전극기판및 그의전극형성방법에관한것으로, 더욱상세하게는기판상에인쇄공정으로형성되는전극의표면거칠기를개선하여전극의표면조도를낮추기위한것이다. 본발명에따르면, 금속나노입자또는금속나노입자전구체를함유하는유체를기판위에인쇄하여전극코팅층을형성한다. 전극코팅층에대한열처리또는플라즈마처리를통해금속나노입자로형성된금속입자층을형성한다. 금속입자층에고분자소재의충전재를공급하여금속입자층의금속나노입자사이로충전재를충전하되금속입자층의표면부분이노출되게충전재를충전한다. 그리고충전재위로노출된금속입자층부분을습식식각하여전극을형성한다.

    용액공정을 이용한 산화물 박막 소결용 자외선 램프 장치

    公开(公告)号:KR101456239B1

    公开(公告)日:2014-11-13

    申请号:KR1020120153256

    申请日:2012-12-26

    Abstract: 본 발명은 용액공정을 이용한 산화물 박막 소결용 자외선 램프 장치를 개시한다. 본 발명은 샘플탑재부와, 내부에 챔버 공간을 가지며, 일정 간격을 가지고 이격 분리되어 형성된 하우징을 구비하되, 하우징은 적어도 2개의 영역으로 분리된 구조를 가지며, 일 영역에는 챔버 공간의 상부에는 상기 샘플탑재부와 대향되게 형성되어 하부로 자외선을 조사하기 위한 자외선 램프부를 포함하고, 일영역 내부로 불활성가스를 주입하기 위한 불활성가스주입부를 구비하고, 다른 영역에는 자외선 램프부가 설치되지 않으며, 샘플탑재부는 샘플을 탑재한 상태에서 이동가능하게 구성된다.

    용액공정을 이용한 산화물 박막 소결용 자외선 램프 장치
    17.
    发明公开
    용액공정을 이용한 산화물 박막 소결용 자외선 램프 장치 有权
    使用低温工艺制造金属氧化物薄膜的方法,薄膜及其电器件

    公开(公告)号:KR1020140084432A

    公开(公告)日:2014-07-07

    申请号:KR1020120153255

    申请日:2012-12-26

    CPC classification number: H01L21/67098 C23C16/482 H01L21/67017

    Abstract: Disclosed is an ultraviolet lamp device for sintering an oxide thin film using a solution process. The ultraviolet lamp device includes a sample mounting part; a housing which has a structure which surrounds the sample mounting part and includes a chamber space in side; an ultraviolet lamp part which faces the sample mounting part in the upper part of a chamber space and emits ultraviolet rays downwards; and an inert gas injection part which injects inert gas into a sample which is mounted on the sample mounting part and is formed in a region of the housing.

    Abstract translation: 公开了一种使用溶液法烧结氧化物薄膜的紫外线灯装置。 紫外线灯装置包括样品安装部; 壳体,其具有围绕所述样品安装部并且包括侧面的室空间的结构; 紫外灯部分,其面对样品安装部分在室空间的上部并向下射出紫外线; 以及惰性气体注入部,其将惰性气体注入到安装在样品安装部上并形成在壳体的区域中的样品中。

    용액공정을 이용한 산화물 박막 소결용 자외선 램프 장치
    19.
    发明公开
    용액공정을 이용한 산화물 박막 소결용 자외선 램프 장치 有权
    使用低温工艺制造金属氧化物薄膜的方法,薄膜及其电器件

    公开(公告)号:KR1020140084433A

    公开(公告)日:2014-07-07

    申请号:KR1020120153256

    申请日:2012-12-26

    CPC classification number: H01L21/67115 H01L21/324 H01L21/67017

    Abstract: The present invention relates to an ultraviolet ray lamp device for sintering a metal-oxide thin film using a solution process. The present invention includes a sample mounting part and a housing which has a chamber space inside and is separated with a constant distance. The housing has a structure divided into two or more separation regions. An ultraviolet ray lamp for emitting ultraviolet rays downwards which faces the sample mounting part is formed in the upper part of the chamber space in one region. An inert gas injection part for injecting an inert gas into the one region is formed. The ultraviolet ray lamp is not installed in the other region. The sample mounting part can be moved while a sample is mounted on the sample mounting part.

    Abstract translation: 本发明涉及使用溶液法烧结金属氧化物薄膜的紫外线灯装置。 本发明包括一个样品安装部分和一个壳体,它在内部具有一个室间隔并以一定的距离分开。 壳体具有分为两个或更多个分离区域的结构。 在一个区域中的室空间的上部形成有用于向下发射面向样品安装部的紫外线的紫外线灯。 形成用于将惰性气体注入该区域的惰性气体注入部。 紫外线灯不安装在其他区域。 样品安装部件可以在样品安装在样品安装部件上时移动。

    박막 트랜지스터를 이용한 인버터 소자 및 그 제조방법
    20.
    发明公开
    박막 트랜지스터를 이용한 인버터 소자 및 그 제조방법 审中-实审
    薄膜晶体管逆变器装置及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020130098739A

    公开(公告)日:2013-09-05

    申请号:KR1020120020499

    申请日:2012-02-28

    CPC classification number: H01L27/1237 H01L29/42384

    Abstract: PURPOSE: An inverter device using a thin film transistor and a manufacturing method thereof are provided to improve the reproducibility of electrical characteristics by inducing an electrical characteristic difference between two thin film transistors through a gate insulation layer with a first thickness and a second thickness. CONSTITUTION: A gate electrode (120) is deposited on a substrate (110). A gate insulating layer (130) is deposited on the gate electrode with a first thickness. A semiconductor layer (140) is deposited on the gate insulation layer with the first thickness. A source electrode (152) and a drain electrode (154) are deposited on the semiconductor layer. The gate insulation layer is deposited on a gate electrode (120') with a second thickness. The first thickness is different from the second thickness. A semiconductor layer (140') is deposited on the gate insulation layer with the second thickness.

    Abstract translation: 目的:提供一种使用薄膜晶体管的逆变器装置及其制造方法,通过经由具有第一厚度和第二厚度的栅绝缘层引起两个薄膜晶体管之间的电特性差异来提高电特性的再现性。 构成:栅极电极(120)沉积在衬底(110)上。 栅极绝缘层(130)以第一厚度沉积在栅电极上。 半导体层(140)以第一厚度沉积在栅极绝缘层上。 源电极(152)和漏电极(154)沉积在半导体层上。 栅极绝缘层沉积在具有第二厚度的栅电极(120')上。 第一厚度不同于第二厚度。 半导体层(140')以第二厚度沉积在栅极绝缘层上。

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