Abstract:
The present invention relates to a thin film transistor and a manufacturing method thereof. A thin film transistor includes a gate electrode which is formed by stacking at least two gate materials on a substrate, a gate insulating layer which is formed in the upper part of the gate electrode, an oxide semiconductor layer which is formed in the upper part of the gate insulating layer, a source/drain electrode which is respectively connected to at least part of the oxide semiconductor layer. A reflection structure which has UV reflectivity higher than that of the material of the gate electrode is formed in the upper part of the gate electrode.
Abstract:
본 발명은 용액공정을 이용한 산화물 박막 소결용 자외선 램프 장치를 개시한다. 본 발명은 샘플탑재부와, 내부에 챔버 공간을 가지며, 일정 간격을 가지고 이격 분리되어 형성된 하우징을 구비하되, 하우징은 적어도 2개의 영역으로 분리된 구조를 가지며, 일 영역에는 챔버 공간의 상부에는 상기 샘플탑재부와 대향되게 형성되어 하부로 자외선을 조사하기 위한 자외선 램프부를 포함하고, 일영역 내부로 불활성가스를 주입하기 위한 불활성가스주입부를 구비하고, 다른 영역에는 자외선 램프부가 설치되지 않으며, 샘플탑재부는 샘플을 탑재한 상태에서 이동가능하게 구성된다.
Abstract:
Disclosed is an ultraviolet lamp device for sintering an oxide thin film using a solution process. The ultraviolet lamp device includes a sample mounting part; a housing which has a structure which surrounds the sample mounting part and includes a chamber space in side; an ultraviolet lamp part which faces the sample mounting part in the upper part of a chamber space and emits ultraviolet rays downwards; and an inert gas injection part which injects inert gas into a sample which is mounted on the sample mounting part and is formed in a region of the housing.
Abstract:
용액공정을 이용한 산화물 박막 소결용 자외선 램프 장치이 개시된다. 본 자외선 램프 장치는 샘플탑재부와 내부에 챔버 공간을 가지고 샘플탑재부를 에워싸는 구조를 갖는 하우징을 구비하되, 챔버 공간의 상부에는 샘플탑재부와 대향되게 형성되어 하부로 자외선을 조사하기 위한 자외선 램프부를 포함하고, 하우징의 일영역에는 상기 샘플탑재부의 탑재된 샘플에 상기 불활성가스를 주입하기 위한 불활성가스 주입부를 구비한다.
Abstract:
The present invention relates to an ultraviolet ray lamp device for sintering a metal-oxide thin film using a solution process. The present invention includes a sample mounting part and a housing which has a chamber space inside and is separated with a constant distance. The housing has a structure divided into two or more separation regions. An ultraviolet ray lamp for emitting ultraviolet rays downwards which faces the sample mounting part is formed in the upper part of the chamber space in one region. An inert gas injection part for injecting an inert gas into the one region is formed. The ultraviolet ray lamp is not installed in the other region. The sample mounting part can be moved while a sample is mounted on the sample mounting part.
Abstract:
본 발명은 액체를 이용한 에너지 전환 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 전기습윤(electrowetting)현상의 반대현상을 응용하여 기계적 에너지를 전기 에너지로 전환시키는 방법 및 장치에 관한 것으로 한쌍의 전극사이에서 액체와의 접촉면을 변화시키고, 그에 따른 액체와의 접촉면 변화를 전기에너지 생성에 활용하여, 채널 막힘현상이나 윤활층, 혹은 채널상에 복잡하게 패터닝된 전극들을 필요로 하지 않도록 함으로써 장치의 단순화, 제조원가 절감과 함께 고장이 적은 에너지 전환장치를 구현한다는 효과가 있으며, 플렉서블 소자 구현이 가능하도록 하고, 소자의 구조를 간단하게 하여 대면적 적용이 용이하도록 한 장점이 있다.
Abstract:
본 발명은 물질의 수분, 산소 등을 포함하는 외기의 침투율을 측정하는 장치에 관한 것으로, 본 실시예에 따른 기판의 외기 침투율 측정을 위한 반응 물질 카트리지는 기판을 투과한 외기와의 접촉에 따라 반응하는 반응 물질을 포함하는 반응부; 상기 반응부를 수용하며, 상기 반응 물질의 상기 외기와의 접촉에 따른 변화를 측정하는 측정부에 탈착 가능한 카트리지 몸체; 및 상기 카트리지 몸체를 차폐하며, 상기 반응 물질과 상기 외기의 접촉을 위하여 상기 카트리지 몸체에서 박리되는 차폐수단을 포함한다. 본 발명에 따르면 카트리지화된 가스 투과도 측정 장치 및 방법을 이용함으로써 종래의 기술에 비해 정밀하고 신뢰성 있는 데이터 확보가 가능하여 플렉서블 AMOLED 등의 새로운 응용분야에 필요한 제품의 신뢰성 평가가 용이할 수 있다. 또한 기판이 수용되는 부분도 카트리지 형태로 제작하여 상대적으로 장착 및 지지가 자유롭지 않은 유연 기판을 측정하고자 할 때 장치 외부에서 간편하게 작업할 수 있어서 측정자 간의 균일도 오류를 줄일 수 있다.
Abstract:
본 발명은 액체와의 접촉면 변화를 이용한 에너지 전환 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 전기습윤(electrowetting)현상의 반대현상을 응용하여 기계적 에너지를 전기 에너지로 전환시키는 방법 및 장치에 관한 것으로 한쌍의 전극사이에서 액체와의 접촉면을 변화시키고, 그에 따른 액체와의 접촉면 변화를 전기에너지 생성에 활용하여, 채널 막힘현상이나 윤활층, 혹은 채널상에 복잡하게 패터닝된 전극들을 필요로 하지 않도록 하므로써 장치의 단순화, 제조원가 절감과 함께 고장이 적은 에너지 전환장치를 구현한다는 효과가 있다.