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公开(公告)号：KR1020110094638A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：KR1020100014182
申请日：2010-02-17
Applicant: 충남대학교산학협력단
Inventor： 김의태
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L29/42332 , B82Y10/00 , G11C16/0408 , G11C2216/06 , H01L21/28273 , H01L21/0226
Abstract: PURPOSE: A non-volatile memory device with quantum dots embedded in an oxide thin film, and a production method of the same are provided to produce a non-volatile memory device having various semiconductor quantum dot embedded therein economically through Si CMOS process. CONSTITUTION: In a non-volatile memory device with quantum dots embedded in an oxide thin film, and a production method of the same, an oxide thin film is formed on a substrate. A quantum dot is embedded within the oxide thin film. The material of substrate is Si or a GaAs semiconductor. The substrate coated with quantum dots is processed under hydrogen atmosphere plasma of 50~150°C to remove a ligand.
Abstract translation: 目的：一种具有嵌入氧化物薄膜中的量子点的非易失性存储器件及其制造方法，以通过Si CMOS工艺经济地生产具有各种半导体量子点的非易失性存储器件。 构成：在具有嵌入在氧化物薄膜中的量子点的非易失性存储器件及其制造方法中，在衬底上形成氧化物薄膜。 量子点嵌入氧化物薄膜内。 衬底的材料是Si或GaAs半导体。 用量子点涂覆的基板在50〜150℃的氢气氛下进行处理，除去配体。
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公开(公告)号：KR1020100095680A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：KR1020090014614
申请日：2009-02-23
Applicant: 충남대학교산학협력단
CPC classification number: H01L21/02603 , B82Y40/00 , H01L21/02653 , H01L29/0669 , H01L45/144
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a germanium-antimony-tellurium(GeSbTe,GST) nanowire is provided to manufacture a GST nanowire without the agglomeration of GST on a Si wafer substrate. CONSTITUTION: A manufacturing method of a germanium-antimony-tellurium(GST) nanowire using an antimony-tellurium(SbTe) seed nanowire comprises the following steps: supplying Sb_2Te_3 to a substrate including a gold thin film, to grow the SbTe seed nanowire; and supplying GeTe and the Sb_2Te_3 to the SbTe seed nanowire to grow the GST nanowire through a VLS(vapor-liquid-solid) method. The substrate is either a silicon wafer or an amorphous glass substrates.
Abstract translation: 目的：提供锗 - 锑 - 碲（GeSbTe，GST）纳米线的制造方法来制造GST纳米线，而不会在Si晶片衬底上产生GST的聚集。 构成：使用锑 - 碲（SbTe）种子纳米线的锗 - 锑 - 碲（GST）纳米线的制造方法包括以下步骤：将Sb_2Te_3供给到包含金薄膜的基板上，以生长SbTe种子纳米线; 并通过VLS（气 - 液 - 固）法将GeTe和Sb_2Te_3提供给SbTe种子纳米线以生长GST纳米线。 衬底是硅晶片或非晶玻璃衬底。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101043247B1
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：KR1020080135430
申请日：2008-12-29
Applicant: 충남대학교산학협력단
Inventor： 김의태
Abstract: 본 발명은 반도체 나노결정을 산화물에 임베딩시킨 구조의 발광다이오드 소자 및 그의 제조방법에 관한 것으로 더욱 상세하게는 p-형 Si 기판상에 형성된 n-형 TiO
2 박막 내에 나노결정이 임베딩된 구조이며, 가시광선 발광다이오드 소자 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
또한 본 발명에 의하면, 대면적의 Si 웨이퍼 위에서 저비용으로 우수한 광발광 특성을 가진 포토닉스 소자 및 전자소자와 포토닉스 소자가 집적된 소자를 생산할 수 있게 된다.
발광다이오드, LED, 나노결정, CdSe/ZnS, 산화물, TiO2, 임베딩, 광발광-
公开(公告)号：KR100990392B1
公开(公告)日：2010-10-29
申请号：KR1020090005929
申请日：2009-01-23
Applicant: 충남대학교산학협력단
Inventor： 김의태
IPC: B01J21/06 , C01G23/047
Abstract: 본 발명은 자외선 뿐 아니라 가시광선에 감응하여 광촉매 활성을 나타내는 탄소가 도핑된 이산화티탄 광촉매에 관한 것으로, 보다 구체적으로 티타늄(Ti)을 메탄가스 및 산소 분위기하에서 열처리를 하는 것을 특징으로 하는 자외선 및 가시광선 감응 TiO
2 광촉매의 제조방법 및 이에 의해 제조된 광촉매에 관한 것이다.
본 발명의 TiO
2 제조 방법에 의하면, 메탄가스 분위기 하에서 간단한 열처리를 통해 자외선 및 가시광선에 감응하는 TiO
2 광촉매를 저비용으로 제조할 수 있다. 또한 상기 제조된 TiO
2 의 가시광선 광감응 특성은 태양전지의 전극재료로도 효율적으로 사용될 수 있다.
광촉매, 티타늄 산화물, TiO2, 메탄가스, 열처리-
公开(公告)号：KR101955671B1
公开(公告)日：2019-03-07
申请号：KR1020170037862
申请日：2017-03-24
Applicant: 충남대학교산학협력단
IPC: H01L21/027 , H01L21/3065 , H01L21/324 , H01L29/16 , H01L21/463 , H01L21/02
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公开(公告)号：KR101905801B1
公开(公告)日：2018-10-08
申请号：KR1020170044768
申请日：2017-04-06
Applicant: 충남대학교산학협력단
CPC classification number: H01B13/0026 , H01B1/02 , H01B5/14 , H01B13/0016 , H01B13/30
Abstract: 본발명은그래핀층 상에선택적으로은 나노선을직접성장시킬수 있어그래핀-은나노선하이브리드패턴의형성에적용할수 있는그래핀상에은 나노선의직접성장방법에관한것으로, 보다상세하게는 (A) 기판상에그래핀층을형성하는단계; (B) 그래핀층이형성된기판을은 나노입자의전구체용액에침지하는단계; 및 (C) 상기은 나노입자의전구체용액에구연산염을가하여환원시키는단계;를포함하는것을특징으로하는그래핀상에은 나노선의직접성장방법에관한것이다.
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公开(公告)号：KR101047980B1
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：KR1020090011710
申请日：2009-02-13
Applicant: 충남대학교산학협력단
Inventor： 김의태
IPC: H01L31/0445
CPC classification number: H01L31/1828 , H01L31/02963 , Y02E10/543 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명은 황원소 공공 결함을 갖는 CdS 박막을 제조하는 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 화학적 용액 성장법(Chemical Bath Deposition)에 의해 Cd 이온 소스 / S 이온 소스의 몰 비가 1보다 크고 5보다 작은 용액을 사용하여 제조하는 황원소 공공 결함을 갖는 CdS 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다.
본 발명에 의하면 박막 내 황원소 공공 결함을 유발하여 가시광선 전 파장 영역에서 광감도 특성이 우수한 고품질의 CdS 박막을 간단한 공정에 의해 경제적으로 제조할 수 있다.
CdS, 박막, 황원소 공공 결함, 화학 용액 성장법, TiO2, 태양전지, Gratzel 태양전지Abstract translation: 本发明涉及一种方法，用于生产具有元素硫公共缺陷的薄膜硫化镉，并且更具体地讲，在CD离子源/ S离子源的摩尔比的化学溶液沉积法（化学浴沉积）是大于1且小于5由 本发明涉及一种制备具有通过使用溶液产生的硫元素空位缺陷的CdS薄膜的方法。
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