公开(公告)号：KR1020110112487A

公开(公告)日：2011-10-13

申请号：KR1020100031604

申请日：2010-04-07

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 이문호 ,  박삼대 ,  함석규 ,  김진철 ,  고용기 ,  최준만 ,  이택준 ,  김동민 ,  김경태 ,  권원상

IPC: C08G73/10 ,  C08L79/08 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L51/0035 ,  C08G73/101 ,  G11C13/0016 ,  G11C13/04 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/72 ,  H01L51/0002 ,  H01L51/0591 ,  H01L51/0595 ,  C08L79/08

Abstract: 본 발명은 고분자 메모리 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 고분자 메모리 소자에 사용될 수 있는 새로운 광가교성 고분자 화합물과 광가교 폴리이미드 고분자를 상부 전극과 하부 전극사이에서 활성층에 포함하는 새로운 비휘발성 메모리 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 고분자 메모리 소자는 하기 화학식으로 표현되는 광가교 폴리이미드 고분자를 활성층으로 사용한다.
(I)

公开(公告)号：KR1020110029725A

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：KR1020090087528

申请日：2009-09-16

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 이문호 ,  박삼대 ,  이택준 ,  함석규 ,  김진철 ,  김동민 ,  권원상 ,  김경태 ,  고용기

IPC: C08G61/12 ,  C08G61/02 ,  C08L65/00 ,  H01L27/28

Abstract: PURPOSE: A memory device containing conjugated polymers as active layer is provided to ensure excellent performance using conjugated polymers as active layer which causes switching phenomenon at low operation voltage and on/off voltage states. CONSTITUTION: A conjugated polymer is represented by chemical formula I. In chemical formula I, R is C1-20 alkyl group, and Z is an aromatic or aliphatic derivate selected from the chemical formula A, wherein R' and R'' are C1-20 alkyl group and n is a repeating unit as an integer. A polymer memory device includes a lower electrode, an organic active layer, and an upper electrode.

Abstract translation: 目的：提供含有共轭聚合物作为活性层的记忆装置，以确保使用共轭聚合物作为活性层的优异性能，其在低操作电压和开/关电压状态下引起切换现象。 构成：共轭聚合物由化学式I表示。在化学式I中，R为C 1-20烷基，Z为选自化学式A的芳族或脂族衍生物，其中R'和R“为C1- 20烷基，n为整数的重复单元。 聚合物存储装置包括下电极，有机活性层和上电极。