公开(公告)号：WO2011126235A2

公开(公告)日：2011-10-13

申请号：PCT/KR2011/002253

申请日：2011-03-31

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단 ,  이문호 ,  박삼대 ,  함석규 ,  김진철 ,  고용기 ,  최준만 ,  이택준 ,  김동민 ,  김경태 ,  권원상

Inventor： 이문호 ,  박삼대 ,  함석규 ,  김진철 ,  고용기 ,  최준만 ,  이택준 ,  김동민 ,  김경태 ,  권원상

IPC: C08G73/10 ,  C08L79/08 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L51/0035 ,  C08G73/101 ,  G11C13/0016 ,  G11C13/04 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/72 ,  H01L51/0002 ,  H01L51/0591 ,  H01L51/0595

Abstract: 본 발명은 고분자 메모리 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 고분자 메모리 소자에 사용될 수 있는 새로운 광가교성 고분자 화합물과 광가교 폴리이미드 고분자를 상부 전극과 하부 전극사이에서 활성층에 포함하는 새로운 비휘발성 메모리 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 고분자 메모리 소자는 광가교 폴리이미드 고분자를 활성층으로 사용한다.

Abstract translation: 聚合物记忆元件及其制造方法技术领域本发明涉及一种聚合物记忆元件及其制备方法，涉及一种能够用于聚合物存储元件的新型光致交联聚合物化合物，涉及一种新颖的非易失性存储元件，其中， 上电极和下电极包括光交联聚酰亚胺聚合物及其制备方法。 在根据本发明的聚合物存储元件中，使用光交联聚酰亚胺聚合物作为活性层。

公开(公告)号：KR101738306B1

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：KR1020160095439

申请日：2016-07-27

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 이문호 ,  정성민 ,  위동우 ,  김영용 ,  권경호 ,  송성진 ,  이진석 ,  고용기 ,  김종현

IPC: C08G65/00 ,  C08G65/48 ,  C08L71/00 ,  H01L27/10 ,  H01L51/00

Abstract: 본발명은디지털메모리특성을가지는폴리에테르고분자및 그제조방법에관한것으로서, 보다상세하게는브러쉬말단에디지털메모리특성을가지는화합물이형성되는폴리에테르브러쉬고분자물질과그 합성, 및발명된고분자를상부전극과하부전극사이에서고분자를활성층으로이용하여제조되는비휘발성메모리소자에관한것이다.

公开(公告)号：KR1020150088951A

公开(公告)日：2015-08-04

申请号：KR1020140009041

申请日：2014-01-24

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 이문호 ,  정성민 ,  위동우 ,  김영용 ,  권경호 ,  송성진 ,  이진석 ,  고용기 ,  김종현

IPC: C08G65/00 ,  C08G65/48 ,  C08L71/00 ,  H01L27/10 ,  H01L51/00

CPC classification number: C08G65/00 ,  C08G65/48 ,  C08L71/00 ,  H01L27/10 ,  H01L51/00

Abstract: 본발명은디지털메모리특성을가지는폴리에테르고분자및 그제조방법에관한것으로서, 보다상세하게는브러쉬말단에디지털메모리특성을가지는화합물이형성되는폴리에테르브러쉬고분자물질과그 합성, 및발명된고분자를상부전극과하부전극사이에서고분자를활성층으로이용하여제조되는비휘발성메모리소자에관한것이다.

Abstract translation: 本发明涉及具有数字存储器的特性的聚醚聚合物及其制造方法，更具体地说，涉及在刷子的末端形成具有数字存储器性质的化合物的聚醚刷聚合物材料， 以及通过使用聚合物作为上电极和下电极之间的活化层制造的非易失性存储器件。 在至少一些刷子的末端形成一个或多个官能团，并且选自所表示的化学式（1）。

公开(公告)号：KR101637641B1

公开(公告)日：2016-07-08

申请号：KR1020140033177

申请日：2014-03-21

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 이문호 ,  정성민 ,  이진석 ,  김창섭 ,  김용진 ,  권경호 ,  위동우 ,  송성진 ,  고용기

IPC: C08F26/06 ,  C08F28/06 ,  C08F24/00 ,  C08F20/10

Abstract: 본발명은화학식 1로표시되는핵염기-미믹(nucleobase-mimic) 브러쉬고분자와제조방법및 이를이용하는디지털메모리소자에관한것이다.

公开(公告)号：KR1020150044051A

公开(公告)日：2015-04-24

申请号：KR1020130122416

申请日：2013-10-15

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 이문호 ,  권원상 ,  김종현 ,  위동우 ,  정성민 ,  권경호 ,  송성진 ,  이진석 ,  김용진 ,  고용기

IPC: C08G65/00 ,  C08G65/32 ,  C08G65/325 ,  C08G65/326 ,  H01L27/28

Abstract: 본발명은디지털메모리특성을가지는폴리에테르고분자및 그제조방법에관한것으로서, 보다상세하게는브러쉬말단에디지털메모리특성을가지는화합물이형성되는폴리에테르브러쉬고분자물질과그 합성, 및발명된고분자를상부전극과하부전극사이에서고분자를활성층으로이용하여제조되는비휘발성메모리소자에관한것이다.

Abstract translation: 本发明涉及一种具有数字记忆性质的聚醚聚合物及其制造方法，更具体地涉及作为刷子端部具有数字记忆性的化合物的聚醚刷聚合物和非挥发性的 通过使用合成和发明的聚合物作为上电极和下电极之间的活性层制造的记忆装置。

公开(公告)号：KR101180063B1

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：KR1020100031604

申请日：2010-04-07

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 이문호 ,  박삼대 ,  함석규 ,  김진철 ,  고용기 ,  최준만 ,  이택준 ,  김동민 ,  김경태 ,  권원상

IPC: C08G73/10 ,  C08L79/08 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L51/0035 ,  C08G73/101 ,  G11C13/0016 ,  G11C13/04 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/72 ,  H01L51/0002 ,  H01L51/0591 ,  H01L51/0595

Abstract: 본 발명은 고분자 메모리 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 고분자 메모리 소자에 사용될 수 있는 새로운 광가교성 고분자 화합물과 광가교 폴리이미드 고분자를 상부 전극과 하부 전극사이에서 활성층에 포함하는 새로운 비휘발성 메모리 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 고분자 메모리 소자는 하기 화학식으로 표현되는 광가교 폴리이미드 고분자를 활성층으로 사용한다.
(I)

公开(公告)号：KR1020160093589A

公开(公告)日：2016-08-08

申请号：KR1020160095439

申请日：2016-07-27

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 이문호 ,  정성민 ,  위동우 ,  김영용 ,  권경호 ,  송성진 ,  이진석 ,  고용기 ,  김종현

IPC: C08G65/00 ,  C08G65/48 ,  C08L71/00 ,  H01L27/10 ,  H01L51/00

CPC classification number: C08G65/00 ,  C08G65/48 ,  C08L71/00 ,  H01L27/10 ,  H01L51/00

Abstract: 본발명은디지털메모리특성을가지는폴리에테르고분자및 그제조방법에관한것으로서, 보다상세하게는브러쉬말단에디지털메모리특성을가지는화합물이형성되는폴리에테르브러쉬고분자물질과그 합성, 및발명된고분자를상부전극과하부전극사이에서고분자를활성층으로이용하여제조되는비휘발성메모리소자에관한것이다.

Abstract translation: 本发明涉及具有数字记忆性质的聚醚聚合物及其制备方法。 更具体地说，本发明涉及一种在刷子的末端形成具有数字记忆性的化合物的聚醚刷聚合物材料及其合成方法。 本发明还涉及通过使用所生产的聚合物作为上部电极和下部电极之间的有源层而制造的非易失性存储器件。

公开(公告)号：KR1020150111411A

公开(公告)日：2015-10-06

申请号：KR1020140033177

申请日：2014-03-21

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 이문호 ,  정성민 ,  이진석 ,  김창섭 ,  김용진 ,  권경호 ,  위동우 ,  송성진 ,  고용기

IPC: C08F26/06 ,  C08F28/06 ,  C08F24/00 ,  C08F20/10

CPC classification number: C08F26/06 ,  C08F20/10 ,  C08F28/06 ,  G01N33/50

Abstract: 본발명은화학식 1로표시되는핵염기-미믹(nucleobase-mimic) 브러쉬고분자와제조방법및 이를이용하는디지털메모리소자에관한것이다.

Abstract translation: 本发明涉及由化学式1表示的核碱模拟刷聚合物，制造方法和使用其的数字存储装置。

公开(公告)号：KR101544272B1

公开(公告)日：2015-08-13

申请号：KR1020130122416

申请日：2013-10-15

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 이문호 ,  권원상 ,  김종현 ,  위동우 ,  정성민 ,  권경호 ,  송성진 ,  이진석 ,  김용진 ,  고용기

IPC: C08G65/00 ,  C08G65/32 ,  C08G65/325 ,  C08G65/326 ,  H01L27/28

Abstract: 본발명은디지털메모리특성을가지는폴리에테르고분자및 그제조방법에관한것으로서, 보다상세하게는브러쉬말단에디지털메모리특성을가지는화합물이형성되는폴리에테르브러쉬고분자물질과그 합성, 및발명된고분자를상부전극과하부전극사이에서고분자를활성층으로이용하여제조되는비휘발성메모리소자에관한것이다.

公开(公告)号：KR101135586B1

公开(公告)日：2012-04-17

申请号：KR1020090087528

申请日：2009-09-16

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 이문호 ,  박삼대 ,  이택준 ,  함석규 ,  김진철 ,  김동민 ,  권원상 ,  김경태 ,  고용기

IPC: C08G61/12 ,  C08G61/02 ,  C08L65/00 ,  H01L27/28

Abstract: PURPOSE: A memory device containing conjugated polymers as active layer is provided to ensure excellent performance using conjugated polymers as active layer which causes switching phenomenon at low operation voltage and on/off voltage states. CONSTITUTION: A conjugated polymer is represented by chemical formula I. In chemical formula I, R is C1-20 alkyl group, and Z is an aromatic or aliphatic derivate selected from the chemical formula A, wherein R' and R'' are C1-20 alkyl group and n is a repeating unit as an integer. A polymer memory device includes a lower electrode, an organic active layer, and an upper electrode.