公开(公告)号：KR101836967B1

公开(公告)日：2018-03-12

申请号：KR1020160067532

申请日：2016-05-31

Applicant: 주식회사 쎄코 ,  단국대학교 천안캠퍼스 산학협력단 ,  포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 이문호 ,  권경호 ,  이진석 ,  송성진 ,  한관영 ,  임성규 ,  박병민 ,  장동훈 ,  김현중 ,  김홍철 ,  김정래

IPC: C08G65/26 ,  C08G65/323 ,  C08J5/18 ,  C08G65/332 ,  C08G65/333

CPC classification number: C08G65/26 ,  C08G65/323 ,  C08G65/332 ,  C08G65/333 ,  C08J5/18

Abstract: 본발명은화학식 1로표시되는중량평균분자량은 5,000 내지 5,000,000, 바람직하게는 5,000 내지 500,000의자가치유기능을가지는폴리에테르화합물및 이의제조방법과이로부터구성되는고분자박막에관한것이다. [화학식 1]본발명에사용된자가치유기능을가지는폴리에테르화합물은가공이용이하고, 다양한기질에쉽게코팅될수 있는경제적인물질로써, 자가치유기능을가지는폴리에테르화합물을이용한고분자박막을제조하는데용이하다. 또한, 이고분자박막은폴리에테르의자가치유특성에의하여표면의미세손상을회복할수 있으며, 특히자가치유기능성분자를이용하여회복능력을극대화하고반복적으로효과적인회복이가능하다.

公开(公告)号：KR101766976B1

公开(公告)日：2017-08-24

申请号：KR1020150162722

申请日：2015-11-19

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 이문호 ,  송성진 ,  정성민 ,  권경호 ,  이진석 ,  윤현경 ,  위동우 ,  김용진

IPC: C08G79/02 ,  H01L51/05 ,  H01L51/10

Abstract: 본발명은고분자메모리소자및 그의제조방법에관한것으로, 보다상세하게는상부전극과하부전극사이에서주쇄에인을포함하는고분자를활성층으로하는비휘발성메모리소자및 그의제조방법에관한것이다. 본발명에있어서, 상기비휘발성메모리소자는하기화학식(I) 로이루어진비휘발성메모리소자용고분자이다.(I) 상기식에서 m은반복단위임.

Abstract translation: 本发明涉及的是，更具体地，在上部电极和包含在所述下部电极之间的主链中到有源层的聚合物的非易失性存储器装置，以及制备聚合物存储器装置上的方法和用于生产它们的方法。 在本发明中，所述非易失性存储器元件，以对于由式（I）的非易失性存储器装置中的聚合物（I），其中m委托eunban复旦大学。

公开(公告)号：KR1020170059061A

公开(公告)日：2017-05-30

申请号：KR1020150162722

申请日：2015-11-19

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 이문호 ,  송성진 ,  정성민 ,  권경호 ,  이진석 ,  윤현경 ,  위동우 ,  김용진

IPC: C08G79/02 ,  H01L51/05 ,  H01L51/10

Abstract: 본발명은고분자메모리소자및 그의제조방법에관한것으로, 보다상세하게는상부전극과하부전극사이에서주쇄에인을포함하는고분자를활성층으로하는비휘발성메모리소자및 그의제조방법에관한것이다. 본발명에있어서, 상기비휘발성메모리소자는하기화학식(I) 로이루어진비휘발성메모리소자용고분자이다.(I) 상기식에서 m은반복단위임.

公开(公告)号：KR101637641B1

公开(公告)日：2016-07-08

申请号：KR1020140033177

申请日：2014-03-21

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 이문호 ,  정성민 ,  이진석 ,  김창섭 ,  김용진 ,  권경호 ,  위동우 ,  송성진 ,  고용기

IPC: C08F26/06 ,  C08F28/06 ,  C08F24/00 ,  C08F20/10

Abstract: 본발명은화학식 1로표시되는핵염기-미믹(nucleobase-mimic) 브러쉬고분자와제조방법및 이를이용하는디지털메모리소자에관한것이다.