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公开(公告)号：KR101284587B1
公开(公告)日：2013-07-11
申请号：KR1020120052679
申请日：2012-05-17
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78693 , H01L21/02565 , H01L21/02628 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/66742
Abstract: PURPOSE: A p-type transparent oxide semiconductor, a transistor having the same, and a method for manufacturing the same are provided to have high transmittance necessary for transparent display production and to be used for various semiconductor devices including a transparent flexible substrate. CONSTITUTION: An insulating layer (11) is formed on a gate substrate (10). A channel layer (12) including a p-type transparent oxide semiconductor is formed on the insulating layer. The p-type transparent oxide semiconductor includes a tin oxide compound. A source electrode (13) and a drain electrode (14) are formed on the insulating layer. The source electrode is separated from the drain electrode. [Reference numerals] (10) Gate substrate; (11) Insulating layer; (12) Channel layer; (13) Source electrode; (14) Drain electrode
Abstract translation: 目的：提供p型透明氧化物半导体，具有该晶体管的晶体管及其制造方法，以具有透明显示制造所需的高透射率，并用于包括透明柔性基板的各种半导体器件。 构成：在栅极基板（10）上形成绝缘层（11）。 在绝缘层上形成包括p型透明氧化物半导体的沟道层（12）。 p型透明氧化物半导体包括氧化锡化合物。 源电极（13）和漏电极（14）形成在绝缘层上。 源极与漏电极分离。 （附图标记）（10）栅极基板; （11）绝缘层; （12）通道层; （13）源电极; （14）排水电极
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公开(公告)号：KR100745811B1
公开(公告)日：2007-08-02
申请号：KR1020050085225
申请日：2005-09-13
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명은 p형 산화아연(ZnO) 박막 제조방법 및 이를 이용한 산화아연계 광전소자 제조방법에 관한 것으로서, Ⅴ족 원소가 도프된 p형 ZnO 박막을 형성하는 단계와, 상기 p형 ZnO 박막의 산소결핍에 의한 n형 성질이 보상되도록, 산소분위기에서 상기 p형 ZnO 박막을 열처리하는 단계를 포함하는 p형 ZnO 박막 제조방법을 제공한다. 또한, 본 발명은 상기한 p형 ZnO 박막 제조방법을 채용한 광전소자 제조방법도 제공한다.
산화아연(ZnO), 열처리(annealing), 비소(As), 광전소자(opto-electronic device), 발광 다이오드(light emitting diode: LED), 레이저 다이오드(laser diode)-
公开(公告)号：KR1020070030507A
公开(公告)日：2007-03-16
申请号：KR1020050085225
申请日：2005-09-13
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L31/02963 , H01L31/1828 , H01L31/1836 , H01L31/1864
Abstract: 본 발명은 p형 산화아연(ZnO) 박막 제조방법 및 이를 이용한 산화아연계 광전소자 제조방법에 관한 것으로서, Ⅴ족 원소가 도프된 p형 ZnO 박막을 형성하는 단계와, 상기 p형 ZnO 박막의 산소결핍에 의한 n형 성질이 보상되도록, 산소분위기에서 상기 p형 ZnO 박막을 열처리하는 단계를 포함하는 p형 ZnO 박막 제조방법을 제공한다. 또한, 본 발명은 상기한 p형 ZnO 박막 제조방법을 채용한 광전소자 제조방법도 제공한다.
산화아연(ZnO), 열처리(annealing), 비소(As), 광전소자(opto-electronic device), 발광 다이오드(light emitting diode: LED), 레이저 다이오드(laser diode)Abstract translation: 本发明涉及一种p型ZnO薄膜的制造方法以及使用其的ZnO基光电装置的制造方法，所述方法包括：形成掺杂有V族元素的p型ZnO薄膜; 在氧气氛中形成ZnO薄膜，以补偿由于p型ZnO薄膜缺陷而引起的n型特性。 本发明还提供了采用上述用于制造p型ZnO薄膜的方法的光电器件的制造方法。
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公开(公告)号：KR100543859B1
公开(公告)日：2006-01-23
申请号：KR1020030076164
申请日：2003-10-30
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/306
Abstract: 본 발명은 고품질의 박막을 증착하기 위하여 황산 (H
2 SO
4 ) 용액을 이용하여 사파이어 기판을 전처리하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따를 경우 표면이 평탄하고 표면의 평균 조도 (surface RMS roughness)가 0.20 nm 이하로 매우 매끄러우며 피트 (pit)가 없는 우수한 표면을 갖는 기판을 얻을 수 있다. 또한, 이러한 기판을 이용하여 박막을 증착시 기판에 의한 영향을 최소화할 수 있다.
사파이어 기판, 황산, 피트, 평균 조도-
公开(公告)号：KR20210004650A
公开(公告)日：2021-01-13
申请号：KR20190081408
申请日：2019-07-05
Applicant: 한국과학기술연구원
Inventor： 문동주 , 노영수 , 김현동 , 송현태 , 알리알리자데에슬라미 , 나심가파리사이다바드
Abstract: 본발명은합성가스생성용촉매에관한것으로서, 상기촉매의열전도도및 탄소침적억제능력을상승시키고자한 것이다. 구체적으로상기촉매는알루미나및 상기알루미나에담지된열전도물질및 탄소침적억제물질을포함하는담체와상기담체에담지된활성금속을포함한다.
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR101725293B1
公开(公告)日：2017-04-10
申请号：KR1020150154353
申请日：2015-11-04
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: B01J23/755 , B01J35/10 , B01J37/00 , C10L3/00
CPC classification number: B01J23/755 , B01J23/10 , B01J23/83 , B01J35/002 , B01J35/1009 , B01J37/031 , B01J37/084 , B01J37/086 , B01J37/088 , B01J37/16 , C01B3/40 , C01B2203/0233 , C01B2203/0238 , C01B2203/1058 , C01B2203/1082 , C01B2203/1241
Abstract: 본발명은혼합개질반응용니켈담지촉매에관한것으로서, 더욱상세하게는천연가스를수증기와이산화탄소로동시에혼합개질반응하여합성가스를제조하는공정에사용되는촉매로서란타늄산화물지지체에니켈활성금속을담지시켜제조된니켈담지촉매에관한것이다.
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18.发明授权한계 가스전의 천연가스를 이용한 GTL-FPSO 공정에 의한 합성연료의 제조방법과 그 제조장치 有权GTL-FPSO一种通过GTL-FPSO系统从标准气田天然气中提炼合成燃料的方法及其设备
公开(公告)号：KR101694221B1
公开(公告)日：2017-01-09
申请号：KR1020140188289
申请日：2014-12-24
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C10G2/332 , C01B3/382 , C01B2203/0233 , C01B2203/0238 , C01B2203/0244 , C01B2203/0283 , C01B2203/062 , C01B2203/1241 , C01B2203/1258 , C10G47/00
Abstract: 본발명은해상한계가스전의선상에서 GTL-FPSO 공정에의해합성연료를제조하는방법과그 장치에관한것으로서, 더욱상세하게는한계가스전에사용될수 있는컴팩트(Compact) GTL(Gas to liquid: 가스액화)장치와 FPSO(Floating, Production, Storage and Offloading: 부유식원유생산저장하역설비)공정을이용하여해상합성연료(synthetic fuel)를제조함에있어서해상한계가스전에포함된아산화탄소의비율에따라합성가스의몰비를선정하고, 탄소효율을극대화시킬수 있도록최적화된조건으로청정연료를제조하는합성연료의제조방법과그 장치에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种通过GTL-FPSO方法在绞合气田或油气田上方的容器上制备合成燃料的方法，更具体地涉及一种制备具有优良经济可行性，生产率的合成燃料的方法和 使用可用于绞合气田或石油和天然气领域的紧凑型GTL（气体对液体）设备的效率以及在针对二氧化碳的比例优化的条件下的FPSO（浮式生产，储存和卸载） 绞合气田或油气田及其设备。
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公开(公告)号：KR102245416B1
公开(公告)日：2021-04-29
申请号：KR1020190179698
申请日：2019-12-31
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명은청정에너지의공급및 저장을위한미래복합에너지스테이션에관한것으로서, 하나의원료공급으로부터기존의주유소, 가스충전소(CNG, LPG), 액상연료(메탄올, 에탄올, 글리세롤, 가솔린, 디젤등) 혹은기상연료(LNG, LPG 등)가수소생산부의원료로공급될수 있는수소스테이션중에서선택된기존의충전소/주유소, 수소충전소및 전기차충전소를모두운영할수 있고잉여의수소를연료전지에의해파워그리드로공급하는공정을각각의제어장치에의해최적화된공정으로통합되어운전될수 있도록하며, 자체적으로스팀과전기를활용하는미래복합에너지스테이션에관한것이다.
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公开(公告)号：KR101818442B1
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：KR1020160035110
申请日：2016-03-24
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: B01J8/067 , B01J8/065 , B01J8/22 , B01J2208/00132 , B01J2208/00221 , F28D7/103
Abstract: 본발명은쉘-앤드-멀티-트리플컨센트릭-튜브반응기및 열교환기에관한것으로서, 새로운반응기및 열교환기의형태를제공하여열교환효율및 열유동을최적화하고반응물의균일한분배, 반응물의유량증가를통해서촉매성능을극대화하고, 반응기성능을향상시킬수 있는바, 이를통해소형컴팩트화가가능한쉘-앤드-멀티-트리플컨센트릭-튜브반응기및 열교환기에관한것이다. 이를위해, 쉘측에배플에의해형성된유로로쉘 측열매체가흐르며열교환대상물질이유동하는유로의외측면과열교환을수행하고, 내부열매체유입관은열교환대상물질이유동하는유로의내부에삽입되어구성되는바, 유입된내부열매체는상기열교환대상물질이유동하는유로의내부를통과하고내부열매체유입관내측에위치하는내부열매체배출관을통해상기열교환된내부열매체가배출되는구성을포함하여, 열교환대상물질의외측뿐아니라내측의열교환이용이하도록구성되는쉘-앤드-멀티-트리플컨센트릭-튜브반응기및 열교환기를제공하는기술이다.
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