公开(公告)号：KR1020060106035A

公开(公告)日：2006-10-12

申请号：KR1020050028225

申请日：2005-04-04

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김달영 ,  이전국 ,  양민규 ,  박재완

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L45/147 ,  H01L45/06

Abstract: 본 발명은 자연 산화막이 형성된 실리콘 기판과, 상기 기판 상에 형성된 하부 전극과, 상기 하부 전극 상에 형성된 페로브스카이트 산화물 박막과, 그리고 상기 페로브스카이트 산화물 박막 상에 형성된 상부 박막을 포함하는 저항변화 기억소자용 박막 구조물을 제공한다. 본 발명에 따르면, ReRAM 소자용 박막 구조를 개선함으로써 집적화가 용이하고 On/Off 저항변화비율이 향상되어 ReRAM 소자의 응용성 및 활용성을 극대화시킬 수 있다.
저항변화 기억소자(ReRAM), 실리콘 기판, On/Off 저항변화비율