-
公开(公告)号：KR1020070043531A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：KR1020050099894
申请日：2005-10-21
IPC: H01G4/12
Abstract: 본 발명은 고유전율 캐패시터에 관한 것으로, 캐패시터 물질로 유전체 세라믹-수지 복합체를 이용하고, 이 복합체 내부에 바늘 형태의 내부 전극을 형성하여 고유전율을 구현하였다. 캐패시터 코아 표면의 파워 전극 및 그라운드 전극으로부터 코아 물질 내부로 연장되는 바늘 형태의 내부 전극을 형성하고 바늘 형태의 전극 크기와 간격을 조절함으로써 MLCC에 필적하는 정전용량을 갖는 고유전율 캐패시터를 고온에서의 소성과정 없이 얻을 수 있으며, 특히 세라믹-수지 복합체를 이용함으로써 소성 과정을 필요로 하지 않아 전극 물질에 대한 제한을 완화시킬 수 있다.
적층형 세라믹 캐패시터, 세라믹-수지 복합체, 정전 용량-
公开(公告)号：KR100712591B1
公开(公告)日：2007-04-30
申请号：KR1020050109193
申请日：2005-11-15
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 이동자를 2차원 평면 내에서 임의의 방향으로 구동시킬 수 있는 전방향성 초음파 압전 액츄에이터 시스템을 제공하는 것을 목적으로 하며, 이 목적을 달성하기 위해 본 발명은, 교류 전계의 인가에 의해 종방향 진동을 발생시키기 위한 제1 반파장 공진기와, 제1 반파장 공진기에 인가된 교류 전계와 90°의 위상차를 갖는 교류 전계의 인가에 의해 종방향 진동을 발생시키기 위한 제2 반파장 공진기와, 제1 및 제2 반파장 공진기를 연결하는 제1 진동빔을 구비하는 제1 액츄에이터와; 교류 전계의 인가에 의해 종방향 진동을 발생시키기 위한 제3 반파장 공진기와, 제3 반파장 공진기에 인가된 교류 전계와 90°의 위상차를 갖는 교류 전계의 인가에 의해 종방향 진동을 발생시키기 위한 제4 반파장 공진기와, 제1 액츄에이터의 진동빔에 교차 결합하며 제3 및 제4 반파장 공진기를 연결하는 제2 진동빔을 구비하는 제2 액츄에이터와; 제1 액츄에이터와 제2 액츄에이터의 진동빔의 교차 부분에 결합되며, 이동대상체를 마찰 구동시키기 위한 구동 부재를 포함하는 전방향성 초음파 압전 액츄에이터 시스템을 제공한다.
압전 세라믹스, 초음파 모터, 교류 전계, 교차형 진동빔, 전방향 구동Abstract translation: 本发明的目的是提供一种能够在二维平面内沿任意方向驱动动子的全向超声波压电致动器系统，为了实现该目的， 一个第一半波谐振器和所述第一施加的交流电场，使半波谐振器90℃下，用于产生振动;和一个第二半波谐振器，用于产生一个纵向振动由于具有相位差的交变电场的应用，所述 1和第二半波谐振器; 和第三半波谐振器，用于产生一个纵向振动由于交变电场，该第三施加AC电场，以与90℃下的半波谐振器的应用;由所述交变电场的应用具有用于产生的纵振动的相位差 第二致动器，具有第四半波谐振器，第二振荡光束交叉耦合到第一致动器的振荡光束并连接第三和第四半波谐振器; 一种全向超声波压电致动器系统，包括一个与第一致动器和第二致动器的振动梁的交点连接并用于摩擦地驱动一个移动物体的驱动件。
-
公开(公告)号：KR100739491B1
公开(公告)日：2007-07-19
申请号：KR1020050099894
申请日：2005-10-21
IPC: H01G4/12
Abstract: 본 발명은 고유전율 캐패시터에 관한 것으로, 캐패시터 물질로 유전체 세라믹-수지 복합체를 이용하고, 이 복합체 내부에 바늘 형태의 내부 전극을 형성하여 고유전율을 구현하였다. 캐패시터 코아 표면의 파워 전극 및 그라운드 전극으로부터 코아 물질 내부로 연장되는 바늘 형태의 내부 전극을 형성하고 바늘 형태의 전극 크기와 간격을 조절함으로써 MLCC에 필적하는 정전용량을 갖는 고유전율 캐패시터를 고온에서의 소성과정 없이 얻을 수 있으며, 특히 세라믹-수지 복합체를 이용함으로써 소성 과정을 필요로 하지 않아 전극 물질에 대한 제한을 완화시킬 수 있다.
적층형 세라믹 캐패시터, 세라믹-수지 복합체, 정전 용량Abstract translation: 本发明涉及一种高介电常数的电容器，电容器介电陶瓷材料 - 与树脂复合材料，并且形成复合里面针形式的内部电极被实现高介电常数。 焙烧在高温下，以针形状的内部电极的高介电常数电容器形成，并通过调节电极的大小和从一个功率电极延伸针形状的间距和电容器芯表面的接地电极到芯材料具有电容相媲美的MLCC 可以不经过任何处理而获得，特别是通过使用陶瓷 - 树脂复合材料，不需要烧制过程，并且可以放松对电极材料的限制。
-
公开(公告)号：KR1020070020619A
公开(公告)日：2007-02-22
申请号：KR1020050074712
申请日：2005-08-16
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G01N27/12
Abstract: 본 발명은 휘발성 물질 감지용 표면탄성파 가스센서에 관한 것으로서, 티타늄을 감응물질로 사용하여 제작된 본 발명에 따른 표면탄성파 가스센서는 기존의 표면탄성파 가스센서에 비해 감응막 형성 공정이 용이할 뿐만 아니라 아세톤, 에탄올, 메탄올 등과 같은 휘발성 물질에 대해 감도 및 내구성이 매우 우수하여 실내공기 오염도 측정이나 환경 모니터링 등에 유리하게 이용될 수 있다.
표면탄성파, 가스센서, 위상변화, 감응물질, 휘발성 물질, 압전기판-
公开(公告)号：KR1020080055491A
公开(公告)日：2008-06-19
申请号：KR1020060128884
申请日：2006-12-15
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: A conductive nitride representing magnetic property in room temperature and a method for manufacturing the same are provided to improve the efficiency of a spin implantation by growing TiN to which a transition metal is added through ion implantation, sputtering, or MBE(Molecular Beam Epitaxy). A transition metal, such as Cr, Mn, Fe, Co, Ni, and Cu, is doped by 1 - 10 at% into a conductive nitride such as TiN, TaN, NbN, and ZrN. In case a voltage is applied, a current is linearly changed at a junction of TiN/GaN. This represents that a general ohmic contact is formed at an interface of a metal and a semiconductor instead of a Schottky barrier when an interface is formed between the conductive nitride and the semiconductor. Therefore, an electron moves smoothly through the TiN so that the loss of data, for example, the change of a spin state of the electron. The conductive nitride to which the transition metal is added increases the efficiency of a spin implantation.
Abstract translation: 提供表示室温下的磁性能的导电氮化物及其制造方法，用于通过生长通过离子注入，溅射或MBE（分子束外延）添加过渡金属的TiN来提高旋转注入的效率。 将诸如Cr，Mn，Fe，Co，Ni和Cu的过渡金属以1-10％的比例掺杂到诸如TiN，TaN，NbN和ZrN的导电氮化物中。 在施加电压的情况下，在TiN / GaN的结处电流线性变化。 这表示当在导电氮化物和半导体之间形成界面时，在金属和半导体的界面而不是肖特基势垒形成一般的欧姆接触。 因此，电子通过TiN平滑地移动，使得数据的损失，例如电子的自旋状态的变化。 添加过渡金属的导电氮化物增加了旋转注入的效率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100612915B1
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：KR1020050028226
申请日：2005-04-04
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/31 , H01L27/105
Abstract: 본 발명은 전자빔으로 조절된 강유전체 박막의 분역이 분극방향에 따라 식각속도가 다르다는 점을 이용하여 강유전체 나노점을 제작하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 직접 전자빔 조사(direct e-beam writing) 방식을 채용하여 강유전체 나노점 형성과정에서 필수적이라고 여겨지던 ER을 사용할 필요가 없으므로, 강유전체 기억매체의 제작과정이 간단해진다. 또한, ER의 존재 때문에 나빠졌던 전자빔의 분해능이 향상되어 10 nm 이하의 분해능을 가진 식각이 가능해진다.
강유전체, 나노점, 식각, 분극, 기억매체.Abstract translation: 本发明是一种强电介质薄膜具有受控于通过使用蚀刻速率取决于偏振方向的事实制造强电介质纳米点的方法的电子束的磁畴壁。 根据本发明，通过消除被认为是必要的，该铁电纳米形成工艺南部ER的需要，简化了铁电记录介质的制造过程中使用的电子束照射（电子束直写）方法直接成为。 此外，电子束的由于ER的存在和增强的分辨率下降，可以具有小于10纳米的分辨率来蚀刻。
-
公开(公告)号：KR1020040081628A
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：KR1020030016173
申请日：2003-03-14
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G11B5/39
CPC classification number: H01F10/1936 , C25D3/54 , C25D5/50 , G11C11/14 , H01F1/401 , H01F41/18 , H01F41/26 , H01L43/12
Abstract: PURPOSE: A Bi thin film fabrication method is provided to fabricate a Bi thin film having a very big magnetoresistance property at room temperature by an electrodeposition method and a sputtering method, thereby being applicable to various spin electron elements. CONSTITUTION: By applying a current having a range of 1-100mA to a Bi solution at room temperature, a Bi thin film is formed on a substrate through an electrodeposition method with a deposition rate of 0.1-10micrometer/min. The fabricated Bi thin film has more than 600% of magnetoresistance ratio at room temperature when a 9T magnetic field is applied. Before depositing the Bi thin film, a Pt or Au under layer is deposited on the substrate with a thickness of 50-500 angstrom.
Abstract translation: 目的：提供Bi薄膜制造方法，通过电沉积法和溅射法在室温下制造具有非常大的磁阻特性的Bi薄膜，从而适用于各种旋转电子元件。 构成：通过在室温下向Bi溶液施加1-100mA范围的电流，通过电沉积法以0.1-10微米/分钟的沉积速率在基板上形成Bi薄膜。 当施加9T磁场时，制造的Bi薄膜在室温下具有超过600％的磁阻比。 在沉积Bi薄膜之前，将Pt或Au下层沉积在衬底上，厚度为50-500埃。
-
公开(公告)号：KR100724528B1
公开(公告)日：2007-06-04
申请号：KR1020050028225
申请日：2005-04-04
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L27/115
Abstract: 본 발명은 자연 산화막이 형성된 실리콘 기판과, 상기 기판 상에 형성된 하부 전극과, 상기 하부 전극 상에 형성된 페로브스카이트 산화물 박막과, 그리고 상기 페로브스카이트 산화물 박막 상에 형성된 상부 박막을 포함하는 저항변화 기억소자용 박막 구조물을 제공한다. 본 발명에 따르면, ReRAM 소자용 박막 구조를 개선함으로써 집적화가 용이하고 On/Off 저항변화비율이 향상되어 ReRAM 소자의 응용성 및 활용성을 극대화시킬 수 있다.
저항변화 기억소자(ReRAM), 실리콘 기판, On/Off 저항변화비율-
公开(公告)号：KR100698439B1
公开(公告)日：2007-03-22
申请号：KR1020050074712
申请日：2005-08-16
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G01N27/12
Abstract: 본 발명은 휘발성 물질 감지용 표면탄성파 가스센서에 관한 것으로서, 티타늄을 감응물질로 사용하여 제작된 본 발명에 따른 표면탄성파 가스센서는 기존의 표면탄성파 가스센서에 비해 감응막 형성 공정이 용이할 뿐만 아니라 아세톤, 에탄올, 메탄올 등과 같은 휘발성 물질에 대해 감도 및 내구성이 매우 우수하여 실내공기 오염도 측정이나 환경 모니터링 등에 유리하게 이용될 수 있다.
표면탄성파, 가스센서, 위상변화, 감응물질, 휘발성 물질, 압전기판Abstract translation: 本发明涉及一种表面声波气体传感器，用于感测挥发性材料，根据通过使用钛敏感材料制造的本发明的表面声波气体传感器是比传统的表面声波气体传感器不仅敏感容易形成处理膜 并且对丙酮，乙醇，甲醇等挥发性物质具有优异的灵敏度和耐久性，因此可以有利地用于室内空气污染测量和环境监测。
-
公开(公告)号：KR1020060106035A
公开(公告)日：2006-10-12
申请号：KR1020050028225
申请日：2005-04-04
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L45/147 , H01L45/06
Abstract: 본 발명은 자연 산화막이 형성된 실리콘 기판과, 상기 기판 상에 형성된 하부 전극과, 상기 하부 전극 상에 형성된 페로브스카이트 산화물 박막과, 그리고 상기 페로브스카이트 산화물 박막 상에 형성된 상부 박막을 포함하는 저항변화 기억소자용 박막 구조물을 제공한다. 본 발명에 따르면, ReRAM 소자용 박막 구조를 개선함으로써 집적화가 용이하고 On/Off 저항변화비율이 향상되어 ReRAM 소자의 응용성 및 활용성을 극대화시킬 수 있다.
저항변화 기억소자(ReRAM), 실리콘 기판, On/Off 저항변화비율
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
11
records
(took 0.018 seconds)
