칩 인덕터 제조용 페라이트
    12.
    发明授权
    칩 인덕터 제조용 페라이트 失效
    芯片电感器

    公开(公告)号:KR1019940011694B1

    公开(公告)日:1994-12-23

    申请号:KR1019920017341

    申请日:1992-09-23

    Abstract: The invention relates to ferrite materal for chip inductor. The material can be sintered at 900 deg.C and thus, Ag can be used for inner conductor. The ferrite includes Fe2O3 48.5-50 mole%, NiO 5-30 mole%, CuO 5-15 mole%, and ZnO 5.5-35.5 mole%. The ferrite is manufactured by mixing, calcining, shape-forming, and sintering the compound.

    Abstract translation: 本发明涉及用于芯片电感器的铁氧体。 该材料可以在900℃烧结,因此Ag可用于内导体。 铁氧体包括Fe 2 O 3 48.5-50摩尔%,NiO 5-30摩尔%,CuO 5-15摩尔%,ZnO 5.5-35.5摩尔%。 通过混合,煅烧,成形和烧结化合物来制造铁氧体。

    적층칩 LC필터제조용 자기조성물
    13.
    发明授权
    적층칩 LC필터제조용 자기조성물 失效
    陶瓷电容器

    公开(公告)号:KR1019940003969B1

    公开(公告)日:1994-05-09

    申请号:KR1019910023258

    申请日:1991-12-17

    Abstract: This relates to the dielectric part of magnetic composition for the multilayer chip LC filter. The magnetic composition comprise (TiO2)100-x(CuO)x(1

    Abstract translation: 这涉及用于多层芯片LC滤波器的磁性组合物的介电部分。 磁性组合物包含(TiO 2)100-x(CuO)x(1 <= x <= 5,x:重量%),SiO 2和MnO 2。 组合物的热处理温度为900-950℃,组成包括Ag电极。

    칩 인덕터 제조용 페라이트
    14.
    发明公开
    칩 인덕터 제조용 페라이트 失效
    用于制造贴片电感器的铁氧体

    公开(公告)号:KR1019940007909A

    公开(公告)日:1994-04-28

    申请号:KR1019920017341

    申请日:1992-09-23

    Abstract: 본 발명은 칩 인덕터의 제조용 자성체 재료에 관한 것으로 900℃이하의 온도에서 소결이 이루어짐에 따라 내부 도체로서 저가의 Ag를 사용할 수 있는 칩 인덕터 제조용 페라이트에 관한 것이다.
    본 발명의 페리트 조성은 Fe
    2 O
    3 48.5~50.0몰%, NiO 5~30몰%, CuO 5~15몰% 및 ZnO 5.5~35.5몰%로 이루어진 조성으로서 이때 각 원료조성은 미립분말 상태를 유지한다.
    본 발명은 칩 인덕터 제조용 페라이트 조성으로 Ni-Cu-Zn계 페라이트를 사용하여 900℃에서 소결이 가능함에 의하여 내부도체용 전극으로 비교한 저가의 Ag 전극사용이 가능하므로 칩 인덕터의 제조비용을 낮출 수 있는 효과가 있다.

    실리콘 촉매의 제조방법
    16.
    发明授权
    실리콘 촉매의 제조방법 失效
    硅催化剂的制造方法

    公开(公告)号:KR1019900004714B1

    公开(公告)日:1990-07-05

    申请号:KR1019870006545

    申请日:1987-06-26

    Abstract: A catalytic silicon resin of formula (II) is prepd. by reacting a pyrrolidone deriv. of formula (I) with a silane deriv. of formula (II). In the formulas, R is methyl, ethyl or butyl; n is 0-4; R1 is H, C1-12 alkyl, aryl, thio, nitrile, F, Br, alkoxy, acryl, amine or - N(H)-CH2-CH2-NR2; X is Cl, Br, I or alkoxy; m is 0-4; R2 is C1-4 aliphatic alkyl.

    Abstract translation: 制备式(II)催化硅树脂。 通过使吡咯烷酮衍生物反应。 的式(I)与硅烷衍生物反应。 的式(II)。 式中R是甲基,乙基或丁基; n为0-4; R 1是H,C 1-12烷基,芳基,硫代,腈,F,Br,烷氧基,丙烯酰基,胺或-N(H)-CH 2 -CH 2 -NR 2; X是Cl,Br,I或烷氧基; m为0-4; R2是C1-4脂肪族烷基。

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