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公开(公告)号：KR101863277B1
公开(公告)日：2018-05-31
申请号：KR1020160102981
申请日：2016-08-12
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 하기화학식 1로표시되는실리카계무기물과상기실리카계무기물에임베디드(embedded)된양자점을포함한양자점-실리카복합체를광변환층으로구비하는디스플레이용부품이제공된다. [화학식 1]상기화학식 1에서, X는산소(O) 또는아민기(NH)이고, Y는수소(H), 수산기(OH), 아미노기(NH) 또는헤테로원소를포함하는알킬기이며, 상기헤테로원소는인(P), 질소(N), 황(S), 산소(O) 및할로겐원소로이루어진군에서선택되는어느하나이다.
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12.发明公开위조 변조 및 재사용 방지를 위한 구조체, 이의 제조방법 및 이를 이용한 위조 변조 및 재사용 진위 판별방법 审中-实审用于防止伪造调制和再利用的结构，其制造方法以及使用该结构的伪造调制和再利用真实性判别方法
公开(公告)号：KR1020170062053A
公开(公告)日：2017-06-07
申请号：KR1020150167406
申请日：2015-11-27
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: B42D25/30 , B42D25/373 , B42D25/382 , B42D25/435
CPC classification number: B42D25/30 , B42D25/373 , B42D25/382 , B42D25/435
Abstract: 본발명은위조, 변조및 재사용을어렵게하고, 육안으로적절한빛을통해이를쉽게관찰할수 있는구조체에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种难以锻造，调制和再利用的结构，并且可以通过适当的光线肉眼容易地观察到它。
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13.发明授权
公开(公告)号：KR101646675B1
公开(公告)日：2016-08-09
申请号：KR1020150103855
申请日：2015-07-22
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명은 Yb, Er으로공부활된 (co-doped) 불화물계제1화합물을포함하는업컨버젼코어나노입자; 상기코어나노입자를감싸며 Ce, Tb로공부활된불화물계제2화합물을포함하는다운컨버젼발광쉘; 및상기발광쉘을감싸며불화물계제3화합물을포함하는결정질쉘을포함하는코어-멀티쉘구조의나노형광체및 그제조방법에관한것이다. 본발명은또한본 발명의상기코어-멀티쉘구조의나노형광체를포함하는폴리머복합체, 조영제및 위조방지코드에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及具有核 - 多壳结构的纳米荧光体，其包括：含有与Yb 3+和Er 3+共掺的第一氟化物基化合物的上转换核心纳米颗粒; 含有与Ce 3+和Tb 3+共同掺杂的第二种氟化物基化合物的下转换发光壳; 以及包含围绕发光壳的第三氟化物基化合物的结晶壳。 本发明还涉及其制备方法。 此外，本发明涉及包含具有核 - 多壳结构的纳米荧光体的聚合物复合材料，造影剂和防伪代码。
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公开(公告)号：KR101364649B1
公开(公告)日：2014-02-20
申请号：KR1020120044865
申请日：2012-04-27
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C09K11/7773 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C09K11/02 , Y10S977/773 , Y10S977/892 , Y10S977/896 , Y10S977/93 , Y10S977/948 , Y10S977/95 , Y10T428/2982
Abstract: 본 발명은 나노형광체 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 하기 화학식1로 표시되는 Ce
3
+ 과 Tb
3
+ 이 공부활된(co-doped) 불화물계 제1화합물을 포함하는 나노형광체를 제공한다.
[화학식1]
NaGd
1
-pq-
r M
r F
4 :Ce
3
+
p ,Tb
3
+
q
상기 화학식1에서, 상기 p, q, r 및 M에 대한 설명은 발명의 상세한 설명에 기재된 것과 동일하므로, 그 기재를 생략한다. 상기 나노형광체는 발광 강도가 우수하고, 적외선 및/또는 자외선에 의하여 여기되어 가시광을 발광할 수 있는 업컨버젼 및/또는 다운컨버젼 특성과 더불어 자성을 가지므로 조영제, 위조 방지 코드 등으로 활용될 수 있다.-
公开(公告)号：KR101265094B1
公开(公告)日：2013-05-16
申请号：KR1020110079277
申请日：2011-08-09
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L33/50
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2924/00014
Abstract: 본발명은발광다이오드칩으로부터빛을백색광으로출사시키기위한백색발광다이오드에관한것으로, 본발명에따른백색발광다이오드는발광다이오드칩으로부터외부로의빛의출사방향을따라, 양자점을포함하는양자점발광층과, 1종이상의형광체를포함하는하나또는다수의형광체발광층을포함하며, 광손실이최소화되어발광효율이높고연색특성이우수하다.
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公开(公告)号：KR101489913B1
公开(公告)日：2015-02-06
申请号：KR1020140029474
申请日：2014-03-13
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/04
Abstract: 본 발명은 업컨버전 나노입자를 포함하는 GPR 및 이를 이용한 태양전지에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플라즈몬 특성을 이용하여 업컨버전 나노물질의 발광 효율을 향상시킬 수 있고, 낮은 파워밀도에서도 우수한 발광 세기를 나타내며, 이를 태양전지에 이용할 경우, 보다 우수한 광전환 효율을 가질 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及包含上转换纳米颗粒的GPR和使用其的太阳能电池。 更具体地，本发明可以通过使用等离子体激元特性来提高上转换纳米材料的发光效率，即使在低功率密度下也显示出优异发光的强度，并且在用作太阳能电池时具有优异的光电转换效率。
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公开(公告)号：KR1020130121554A
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：KR1020120044865
申请日：2012-04-27
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C09K11/7773 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C09K11/02 , Y10S977/773 , Y10S977/892 , Y10S977/896 , Y10S977/93 , Y10S977/948 , Y10S977/95 , Y10T428/2982
Abstract: The present invention relates to a nono-fluorescent body and a manufacturing method therefor. The nano-fluorescent body including a first fluoride compound in which Ce3+ and Tb3+ in formula 1 are co-doped is provided. (Formula 1 is NaGd1-p-q-rMrF4:Ce3+p,Tb3+q. Detailed information for the p, q, r and M is omitted since the information is included in the detailed explanation of the present invention.) The luminescent intensity of the nono-fluorescent body is excellent, and since it has magnetic properties as well as upconversion or downconversion properties capable of radiating visible light, it can be utilized as a contrast medium and an anti-forgery code.
Abstract translation: 非荧光体及其制造方法技术领域本发明涉及非荧光体及其制造方法。 提供了纳米荧光体，其包括其中共同掺杂式1中的Ce 3+和Tb 3+的第一氟化物。 （式1是NaGd1-pq-rMrF4：Ce3 + p，Tb3 + q，由于信息包含在本发明的详细说明中，所以省略了对于p，q，r和m的详细信息。）发光强度 非荧光体是优异的，并且由于其具有能够发射可见光的磁性能以及上转换或下变频特性，因此可以用作造影剂和防伪代码。
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公开(公告)号：KR101244696B1
公开(公告)日：2013-03-19
申请号：KR1020110095952
申请日：2011-09-22
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a nanoparticle is provided to provide a lll-V group compound core or a core/shell nanoparticle of which the half-value breadth of the emission spectrum is 50 nm or less. CONSTITUTION: A manufacturing method of a nanoparticle comprises a step of growing InP core nanoparticles by mixing a first solution which includes an indium salt precursor, an acetate component, and a surfactant, and is at 180-220 °C, and a second solution which includes a phosphine precursor and is at 20-30 °C, to grow an InP core nanoparticles; a step of decreasing the temperature of the mixed solution to 100-170°C by -2°C or more per second in order to suppress the growth of an InP core nanoparticle; and a step of maintaining or etching the size of the InP core nanoparticle.
Abstract translation: 目的：提供纳米颗粒的制造方法，以提供发射光谱的半值宽度为50nm以下的III-V族化合物核心或核/壳纳米粒子。 构成：纳米颗粒的制造方法包括通过将包含铟盐前体，乙酸盐组分和表面活性剂的第一溶液混合并在180-220℃下生长InP核心纳米颗粒的步骤和第二溶液 包括膦前体并在20-30℃下生长InP核纳米粒子; 为了抑制InP核纳米颗粒的生长，将混合溶液的温度降低至100-170℃-2秒或更高的步骤。 以及维持或蚀刻InP芯纳米颗粒的尺寸的步骤。
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公开(公告)号：KR102161463B1
公开(公告)日：2020-10-05
申请号：KR1020190002979
申请日：2019-01-09
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: B01J27/057 , B01J23/44 , B01J37/02 , C01B15/029
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