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    파장변환유리를 구비하는 태양전지 및 이의 제조 방법
    5.
    发明公开
    파장변환유리를 구비하는 태양전지 및 이의 제조 방법 审中-实审
    具有波长转换玻璃的太阳能电池及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020170117917A

    公开(公告)日：2017-10-24

    申请号：KR1020170125165

    申请日：2017-09-27

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 조소혜 ,  황종희 ,  이승용 ,  김성일 ,  박종구

    IPC: H01L31/054 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/048 ,  H01L31/0236 ,  C03C3/066 ,  C03C3/068 ,  H01L31/055 ,  H01L31/18

    CPC classification number: Y02E10/52 ,  Y02P70/521

    Abstract: 본발명은파장변환유리층을포함하는태양전지및 이의제조방법에관한것이다. 본발명의파장변환유리(층)는유리조성물과파장변환제로이루어지고, 상기파장변환제는파장변환유리층의전체함량에서 1-20중량%로함유된다. 본발명의파장변환유리(층)는파장변환제를포함하지않는일반유리(층)와비교하여 300-400 nm의입사광을 10% 이상더 흡수하여파장변환제를포함하지않는일반유리층과비교하여광전효율측면에서 0.1% 이상우수하다. 더욱이, 본발명의파장변환유리(층)는 (i) 높은가시광투과도; (ii) 파장변환제의산화, 열화및 백화현상에대한우수한보호능; (iii) 태양광노출에따라유발되는황변현상의효과적억제; 및 (iv) 태양전지의내마모성, 내열성, 내화학성, 밀봉효과등의개선효과등을나타낸다. 따라서, 본발명의파장변환유리(층)는우수한광전효율을가지는태양전지의제조에간편하고효과적으로이용될수 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种包括波长转换玻璃层的太阳能电池及其制造方法。 本发明的波长转换玻璃（层）的玻璃组合物和零波长转换器形成，所述波长转换剂被包含在所述波长转换层的玻璃的总含量的1〜20重量％。 与不含波长转换剂的一般玻璃层相比，本发明的波长转换玻璃（层）被300-400nm的入射光吸收多于10％ 效率超过0.1％。 此外，本发明的波长转换玻璃（层）具有（i）高可见光透射率; （ii）对波长转换剂的氧化，劣化和增白的优异保护; （iii）有效抑制由日光暴晒引起的变黄; 和（iv）太阳能电池的耐磨性，耐热性，耐化学性，密封效果等的改善效果。 因此，本发明的波长转换玻璃（层）可以简单且有效地用于制造具有优异的光电效率的太阳能电池。

    규산아연계 나노입자를 포함하는 형광체 및 이의 제조방법
    8.
    发明授权
    규산아연계 나노입자를 포함하는 형광체 및 이의 제조방법 有权
    包含锌基硅酸钠的磷光体及其制备方法

    公开(公告)号：KR101614019B1

    公开(公告)日：2016-04-21

    申请号：KR1020140074584

    申请日：2014-06-18

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 김선진 ,  이주현 ,  조소혜 ,  이승용

    IPC: C09K11/54 ,  C09K11/77 ,  C09K11/79

    Abstract: 본발명의형광체는, ZnSiO:xTb,yYb(여기서, 상기 x는 0.01 ≤ x ≤ 0.1 인실수이고, 상기 y는 0.01 ≤ y ≤ 0.3 인실수이다.)와같이표시되는것으로, Tb및 Yb가도핑되고, 크기가 20 내지 500 nm인규산아연계나노입자를포함한다. 이러한형광체를제조하는방법은, (a) 전구체용액을준비하는단계; (b) 침전제를첨가하여침전액을형성하는단계; (c) 수열처리하는단계; 및 (d) 소성처리하여규산아연계나노입자를제조하는단계;를포함한다. 이렇게제조된상기형광체는하향변환특성을갖고, 여기될수 있는파장의범위가넓으며, 이에태양전지, 자외선차단및 변환제, 위조및 변조방지소재등의다양한분야로적용할수 있다.

    Ｃｕ(Ｉｎ,Ｇａ)Ｓｅ2 나노로드 또는 나노와이어의 제조방법 및 이를 포함하는 재료
    9.
    发明授权
    Ｃｕ(Ｉｎ,Ｇａ)Ｓｅ2 나노로드 또는 나노와이어의 제조방법 및 이를 포함하는 재료 有权
    CU（IN，GA）SE2纳米或纳米复合物的合成方法及其相关的材料

    公开(公告)号：KR101397451B1

    公开(公告)日：2014-05-21

    申请号：KR1020130005012

    申请日：2013-01-16

    Applicant: 한국과학기술연구원

    Inventor： 이지영 ,  문명운 ,  성원경 ,  박종구 ,  양철웅 ,  조소혜 ,  이광렬

    IPC: B82B3/00 ,  H01L31/042 ,  H01L31/09 ,  H01L27/14

    CPC classification number: H01L31/035227 ,  H01L31/0322 ,  Y02E10/541

    Abstract: A method for manufacturing CIGS nanorods or nanowires according to an embodiment of the present invention includes a deposition preparation step of placing raw materials including copper, indium, gallium, and selenium and a substrate in a reactor, and a deposition step of growing the CIGS nanorods or nanowires on a substrate by maintaining the temperature of the reactor in which a carrier gas flows at a constant flow rate at 850-1000°C. According to the method of the present invention, provided are Cu(In,Ga)Se_2 nanorods or nanowires having a uniform composition distribution, high light absorptivity, and high crystallinity without using a catalyst.

    Abstract translation: 根据本发明的实施方案的制造CIGS纳米棒或纳米线的方法包括沉积制备步骤，将包括铜，铟，镓和硒的原料和基底放置在反应器中，以及沉积步骤，将CIGS纳米棒 或纳米线通过保持载体气体在850-1000℃恒定流速下流动的反应器的温度而在基底上。 根据本发明的方法，提供了不使用催化剂的组成分布均匀，光吸收率高，结晶度高的Cu（In，Ga）Se_2纳米棒或纳米线。

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