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公开(公告)号：WO2019045320A1
公开(公告)日：2019-03-07
申请号：PCT/KR2018/009278
申请日：2018-08-13
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 전자 장치가 소재의 전자 구조를 예측하는 방법의 일 실시예는, 상기 제1 소재를 구성하는 원소들에 관련된 사용자의 입력 데이터를 수신하는 단계, 상기 수신된 입력 데이터를, 상기 제1 소재의 상태 밀도를 추정하기 위한 학습 모델에 적용하는 단계 및 상기 학습 모델로부터 출력되는 상기 제1 소재의 에너지 준위 별 상태 밀도를 나타내는 제1 그래프를 출력하는 단계를 포함하며, 상기 학습 모델은, 상기 제1 소재를 구성하는 복수의 원소들 중 적어도 일부로 구성된 복수의 제2 소재들에 대한 기 입력된 데이터 및 상기 복수의 제2 소재들 각각의 에너지 준위 별 상태 밀도를 나타내는 복수의 제2 그래프에 기초하여, 상기 제1 그래프를 생성하도록 학습된 것일 수 있다.
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3.发明公开상온에서 증착된 Ｍｇ２Ｈｆ５Ｏ１２를 포함하는 유전체 박막, 이를 포함하는 캐퍼시터 및 트랜지스터와 이들의 제조방법 有权室温烧结MG2HF5O12介电膜，电容器和晶体管组成的MG2HF5O12介电膜及其制造方法
公开(公告)号：KR1020110081685A
公开(公告)日：2011-07-14
申请号：KR1020100001962
申请日：2010-01-08
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01B3/10 , H01L21/31 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L27/108 , H01L21/02225 , H01L21/203 , H01L21/31 , H01L29/41725 , H01L29/42312 , H01L29/4232 , H01L29/78696 , H01L2924/01012
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a dielectric thin film is provided to form an Mg2Hf5O12 dielectric thin film with low leakage current, high breakdown voltage properties at room temperature by a sputtering method. CONSTITUTION: A dielectric thin film comprises Mg2Hf5O12, MgO and Mg2Hf5O12, or HfO2 and Mg2Hf5O12. A method for preparing the dielectric thin film comprises the steps of: (i) mixing an MgO powder and a HfO2 powder and calcining the mixture at high temperature to form an MgO-HfO2 composite; (ii) pulverizing and molding the MgO-HfO2 composite and sintering the molded material at high temperature to form an MgO-HfO2 sputtering target; and (iii) forming a thin film using the MgO-HfO2 sputtering target by a sputtering method.
Abstract translation: 目的：提供一种制造电介质薄膜的方法，通过溅射法在室温下形成具有低漏电流，高耐压特性的Mg2Hf5O12电介质薄膜。 构成：介电薄膜包括Mg2Hf5O12，MgO和Mg2Hf5O12，或HfO2和Mg2Hf5O12。 制备电介质薄膜的方法包括以下步骤：（i）将MgO粉末和HfO 2粉末混合并在高温下煅烧混合物以形成MgO-HfO 2复合材料; （ii）粉碎和模塑MgO-HfO 2复合材料并在高温下烧结模塑材料以形成MgO-HfO 2溅射靶; 和（iii）通过溅射法使用MgO-HfO 2溅射靶形成薄膜。
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4.发明公开
公开(公告)号：KR1020110054811A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：KR1020090111596
申请日：2009-11-18
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/336 , H01L21/31
CPC classification number: H01L29/4908 , H01L21/02118 , H01L21/02266 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/7869
Abstract: PURPOSE: A transistor using a polymethylmethacrylate thin film is provided to improve the stability of a device by using a polymethylmethacrylate thin film as a gate insulation layer and an organic protection layer. CONSTITUTION: A gate electrode is formed on a substrate. A gate insulation layer includes a gate electrode and a polymethacrylic acid thin film formed on the substrate. A channel layer is formed on the gate insulation layer. A source electrode and a drain electrode are formed to expose a part of the channel layer. The organic protection layer includes a polymethacrylic acid thin film formed on the partially exposed channel layer, the source electrode, and the drain electrode.
Abstract translation: 目的：提供使用聚甲基丙烯酸甲酯薄膜的晶体管，通过使用聚甲基丙烯酸甲酯薄膜作为栅极绝缘层和有机保护层来提高器件的稳定性。 构成：在基板上形成栅电极。 栅极绝缘层包括在基板上形成的栅电极和聚甲基丙烯酸薄膜。 沟道层形成在栅绝缘层上。 形成源电极和漏电极以暴露沟道层的一部分。 有机保护层包括形成在部分暴露的沟道层，源电极和漏电极上的聚甲基丙烯酸薄膜。
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6.发明授权상온에서 증착된 Ｍｇ２Ｈｆ５Ｏ１２를 포함하는 유전체 박막, 이를 포함하는 캐퍼시터 및 트랜지스터와 이들의 제조방법 有权室温烧结Mg2Hf5O12介电膜，电容器和晶体管组成Mg2Hf5O12电介质膜及其制造方法
公开(公告)号：KR101144015B1
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：KR1020100001962
申请日：2010-01-08
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01B3/10 , H01L21/31 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 본 발명은 상온에서 스퍼터링 법으로 증착된 Mg
2 Hf
5 O
12
유전체 박막과 이를 포함하는 캐퍼시터 및 트랜지스터와 이들의 제조방법에 관한 것이다.
더욱 상세하게는 Mg
2 Hf
5 O
12 를 포함하는 유전체 박막, MgO 및 Mg
2 Hf
5 O
12 를 포함하는 유전체 박막 또는 HfO
2 및 Mg
2 Hf
5 O
12 를 포함하는 유전체 박막과; 기판, 제1 전극, 제2 전극 및 유전체층을 포함하고, 상기 유전체층은 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 위치하고, Mg
2 Hf
5 O
12 를 포함하는 유전체 박막인 것인 캐퍼시터; 및 기판, 상기 기판 상에 형성되는 게이트 전극, 상기 게이트 전극 및 기판 상에 형성되는 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막 상에 형성되는 채널층, 및 상기 채널층 상에, 상기 채널층을 적어도 일부 드러내도록 형성되는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고, 상기 게이트 절연막은, Mg
2 Hf
5 O
12 를 포함하는 유전체 박막인 것인 전계 효과 트랜지스터에 관한 것이다.
또한, (a) MgO 분말과 HfO
2 분말을 혼합하고 고온에서 하소하여 MgO - HfO
2 복합체를 형성하는 단계; (b) 상기 MgO - HfO
2 복합체를 분쇄하고 성형한 후 고온 소결하여 MgO - HfO
2 복합체 스퍼터링 타켓을 형성하는 단계 및; (c) 상기 MgO - HfO
2 복합체 스퍼터링 타켓을 이용하여 스퍼터링 법으로 박막을 형성하는 단계를 포함하는 Mg
2 Hf
5 O
12 를 포함하는 유전체 박막의 제조방법과; 상기의 Mg
2 Hf
5 O
12 를 포함하는 유전체 박막의 제조방법을 포함하는 캐퍼시터 및 트랜지스터의 제조방법에 관한 것이다.-
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9.发明授权
公开(公告)号：KR101087506B1
公开(公告)日：2011-11-29
申请号：KR1020090111596
申请日：2009-11-18
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/336 , H01L21/31
CPC classification number: H01L29/4908 , H01L21/02118 , H01L21/02266 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/7869
Abstract: 본 발명은 게이트 절연층과 유기 보호층 고분자 박막을 포함하는 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 기판, 상기 기판 상에 형성되는 게이트 전극, 상기 게이트 전극 및 기판 상에 형성되는 폴리메타크릴산(폴리메틸메타크릴레이트 유도체) 박막을 포함하는 게이트 절연층, 상기 게이트 절연층 상에 형성되는 채널층, 상기 채널층 상에, 상기 채널층을 적어도 일부 드러내도록 형성되는 소스 전극 및 드레인 전극, 및 상기 소스 전극, 드레인 전극 및 일부 드러난 채널층 상에 형성된 폴리메타크릴산 박막을 포함하는 유기 보호층을 포함하는 트랜지스터에 관한 것이다. 또한, 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계, 상기 게이트 전극 및 기판 상에 폴리메타크릴산 박막의 게이트 절연층을 형성하는 단계, 상기 게이트 절연층 상에 채널층을 형성하는 단계, 상기 채널층 상에 상기 채널층을 적어도 일부 드러내도록 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계, 및 상기 소스 전극, 드레인 전극 및 일부 드러난 채널층 상에 폴리메타크릴산 박막의 유기 보호층을 형성하는 단계를 포함하는 트랜지스터 제조방법에 관한 것이다.
스퍼터링, 고분자 박막, 폴리메틸메타크릴레이트 (PMMA), 폴리메타크릴산, 게이트 절연층, 유기 보호층, 트랜지스터
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