Title translation:VINYL-4-T-BUTOXYCARBONYLOXYBENZAL-VINYLACETATE-COPOLYMER,VINYL-4-T-BUTOXYCARBONYLOXYBENZAL-VINYL-4-HYDROXYBENZEN-VINYLALKOHOL-VINYLACETATE COPOLYMERS AND THER PRODUCTION
Abstract:
There is a vinyl 4-hydroxybenzal-vinylalcohol-vinyl acetate copolymer, a 4-t-butoxycarbonyloxybenzal-vinyl alcohol-vinyl acetate copolymer and a vinyl 4-t-butoxycarbonyloxybenzal-vinyl 4-hydroxybenzal-vinyl alcohol-vinyl acetate copolymer suitable for photoresist and methods for preparing the same. The latter two polymers contain 4-hydroxybenzal groups all or parts of which are protected with t-butoxycarbonyl group. Superior in transparency, thermal stability, mechanical strength, and adhesiveness to silicon wafer, the photoresists prepared from the protected copolymers can enhance the resolution of fine circuit by virtue of low weight loss upon the thermal treatment after exposure.
Abstract:
A method for selecting an intrusion detection agent of a mobile ad hoc network is provided to monitor the overall network thoroughly and effectively use network resources. Each agent of a network transmits a control packet to neighbor agents in order to recognize the amount of battery energy of the neighbor agents. Each agent compares an amount of its battery energy with that of neighbor agents. Each agent selects an agent having the largest amount of battery energy. Each agent transmits a select message to the selected agent. The selected agent performs intrusion detection of the network.
Abstract:
본 발명은 연속회분식 고온/중온 이단 혐기소화 공정을 이용한 유기성 폐기물의 처리방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 가수분해미생물, 산발효미생물, 메탄생성미생물을 포함하는 혐기성 미생물을 직렬로 연결된 고온 반응조 및 중온 반응조에 각각 식종하고 이들 혐기성 미생물의 공생관계를 유지하도록 하여 유기성 폐기물을 처리하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 연속회분식 고온/중온 이단 혐기소화 공정을 이용한 유기성 폐기물의 처리방법은 (1)혐기성 미생물이 함유된 고온 반응조에 유기성 폐기물을 유입시켜 혐기성 미생물과 반응시키는 단계와, (2)혐기성 미생물이 함유된 중온 반응조에 상기 (1)단계 처리후의 상등액을 유입시켜 혐기성 미생물과 반응시키는 단계와, (3)상기 (2)단계 후 중온 반응조에서 처리된 유기성 폐기물을 유출시키는 단계를 포함한다.
Abstract:
PURPOSE: Provided are photoresist compositions containing novel acrylate or methacrylate derivatives and their polymerization products. These polymers are different from the existing polymer matrix of photoresist, in that it is the chemical amplification type by the light and they, under light exposure, induce the differences of silicone contents by the dissociation of the silicone containing side-chains. The differences in silicone content bring about the differences in etching velocity in oxygen plasma and accordingly dry developing is possible. CONSTITUTION: The photoresist composition is characterized by comprising acrylate or methacrylate that contains homopolymer, copolymer, and terpolymer of organic metals represented by the chemical formulae I, II, and III where R1 is hydrogen or C1¯C4 alkyl group, R2¯R11 are independently hydrogen, C1¯C4 alkyl group, C1¯C4 alkoxy group, phenyl, phenoxy or -MR'3, further R' is C1¯C4 alkyl, C1¯C4 alkoxy, phenyl, benzyl or phenoxy, M represents Si, Ge, Sn or OSi. Also, the photoresist composition comprises onium compounds as photo acid generator (PAG).
Abstract:
본 발명은 신규한 아크릴레이트(acrylate) 또는 메타크릴레이트(metacrylate) 유도체 및 이들의 고분자 중합체를 함유하는 포토레지스트(photoresisit)에 관한 것이다. 상기 중합체는 기존의 포토레지스트의 매트릭스 고분자로 사용되는 것들과는 달리, 광산에 의해 화학증폭형으로 실리콘을 함유하고 있는 측쇄가 탈리되어 노광부와 비노광부의 실리콘 함량이 차이를 유도할 수 있다. 실리콘 함량의 차이는 산소 플라즈마에 대해 에칭속도의 차이를 일으키고 이것에 의해 건식현상이 가능하다. 본 발명에 의한 포토레지스트 물질을 미세가공기술에 적용하면 아스펙트비가 증가함에 따라 발생하는 패턴의 변형이나 붕괴를 막을 수 있다는 건식현상의 일반적인 장점 외에 기존의 실릴화(silylation)나 다층레지스트 시스템(multi-level resist system)과 같은 건식현상형 레지스트에 비해 공정이 간단하고 용매를 전해 사용하지 않기 때문에 이로 인한 경제적인 이득이 크다고 할 수 있다.
Abstract:
본 발명은 폴리(비닐 알코올)을 4-히드록시벤즈알데히드로 아세탈화시킨 비닐 4-히드록시벤잘-비닐 알코올-비닐 아세테이트 공중합체, 전기 공중합체의 4-히드록시벤잘기의 전부 또는 일부를 t-부톡시카르보닐기로 보호한 비닐 4-t-부톡시카르보닐옥시벤잘-비닐 알코올-비닐 아세테이트 공중합체(공중합체(II))또는 비닐 4-t-부톡시카르보닐옥시벤잘-비닐 4-히드록시벤잘-비닐 알코올-비닐 아세테이트 공중합체(공중합체(III)), 그들의 제조방법 및 그들 중합체의 포토레지스트로서의 용도에 관한 것이다. 상기 공중합체(II) 및 (III)를 포토레지스트로서 미세가공기술에 이용하면, 투명성과 열적안정성, 기계적 강도, 실리콘 웨이퍼에 대한 접착성 및 노광과 열처리 시의 적은 무게 손실로 미세회로의 해상도를 향상시킬 수 있다.