公开(公告)号：WO2011145881A2

公开(公告)日：2011-11-24

申请号：PCT/KR2011/003677

申请日：2011-05-18

Applicant: 한국과학기술원 ,  이효철 ,  김장배 ,  왕기영 ,  윤제문 ,  김진백

Inventor： 이효철 ,  김장배 ,  왕기영 ,  윤제문 ,  김진백

CPC classification number: G09F3/0292

Abstract: 본 발명은 기재 및 기개상에 형광 패턴이 견고히 유지되고 외부환경의 영향을 차단하여 장기간 형광색을 유지할 수 있으며，높은 안정성과 시인성을 보이는 형광 패턴이 형성되고，상기 형광 패턴 상부에 나노 또는 마이크로 크기의 입자, 와이어 또는 이들의 혼합물의 표면에 형광체로 코팅하여 제조되는 복합 분산체가 임의로 분산된 분산 패턴이 형성된 복제방지 라벨，이의 제조방법 및 이를 이용한 복제방지 라벨의 진위 판별방법에 관한 것이다.

Abstract translation: 本发明涉及一种防伪标签，其中形成荧光图案并且牢固地保持在基板上，通过保护图案免受外部环境的影响，图案的荧光颜色长期保持， 并且荧光图案高度稳定且高度可见。 在荧光图案上形成其中复合分散体随机分散的分散图案，其中复合分散体通过将纳米级或微米级颗粒，电线或其混合物的表面与荧光物质涂覆而制备。 本发明还涉及一种制造防伪标签的方法，以及一种确定防伪标签真伪的方法。

公开(公告)号：KR101329262B1

公开(公告)日：2013-11-14

申请号：KR1020100027303

申请日：2010-03-26

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김진백 ,  김수민 ,  구세진

IPC: B82B3/00 ,  B82B1/00

Abstract: 높은 종횡비를 가지는 나노구조물 제조 방법, 이에 의하여 제조된 나노구조물 및 그 응용이 제공된다.
본 발명에 따른 나노구조물 제조방법은 기판 상에 적층된 제 1층 위에 실리콘 함유 중합체 블록을 포함하는 블록공중합체를 도포하는 단계; 상기 도포된 블록공중합체를 어닐링하여 자기조립시키는 단계; 및 상기 자기조립된 실리콘 함유 블록공중합체를 산소 반응성 이온 에칭 처리하는 단계를 포함한다. 본 발명에 따른 나노구조물 제조방법은 실리콘 화합물을 첨가하는 별도의 과정 없이 실리콘을 포함하는 단량체를 이용하여 손쉽게 합성된 실리콘 함유 블록공중합체를 이중층의 상부층에 적용시키는 것으로, 본 발명에서는 실리콘을 함유하는 블록공중합체가 바로 사용될 수 있기 때문에 그 공정이 짧고 간단하며, 실리콘 함유 블록공중합체의 자기 조립 현상을 이용하여 수 십 나노크기의 미세 구조를 구현 할 수 있다. 또한 높은 에칭 저항성을 가지는 블록에 의해 하부 유기 고분자 층으로의 패턴 전사를 가능하게 한다. 또한, 이를 통해 형성된 높은 종횡비를 가지는 미세 나노구조물은 다른 다양한 나노구조물을 형성하기 위한 주형으로서 응용될 수 있으며, 또한 하부층, 기판 등을 다양하게 사용할 수 있는 장점이 있어 나노구조물이 요구되는 모든 응용에 적용될 수 있다.

公开(公告)号：KR1020120034280A

公开(公告)日：2012-04-12

申请号：KR1020100095723

申请日：2010-10-01

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김진백 ,  우승아 ,  박지영

IPC: C08G77/60 ,  C08L83/16 ,  G03F7/075 ,  H01L21/027

CPC classification number: C08G77/60 ,  C08L83/16 ,  G03F7/0754 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0274

Abstract: PURPOSE: Silicon-containing photoresist material is provided to restrain the deterioration of contrast and deformation of resist profile, and to obtain resist patterns of high aspect ratio and high resolution. CONSTITUTION: A silicon-containing polymer comprises an amine group, a hydroxyl group, or a thiol group, and is in chemical formula 1. In chemical formula 1, R1 is C1-20 hydrocarbon, Z is an amine group, a hydroxyl group, or thiol group, and x and y is an integer. A photo resist composition comprises a first polymer containing a first polymer containing diazoketo group, and a silicone-containing second polymer comprising an amine group, a hydroxyl group, or thiol group as a functional group. The first polymer contains the diazoketo group in a side chain.

Abstract translation: 目的：提供含硅光致抗蚀剂材料，以抑制对比度的劣化和抗蚀剂轮廓的变形，并获得高纵横比和高分辨率的抗蚀剂图案。 构成：含硅聚合物包含胺基，羟基或硫醇基，并且在化学式1中。在化学式1中，R 1是C 1-20烃，Z是胺基，羟基， 或硫醇基，x和y是整数。 光致抗蚀剂组合物包含含有含有二唑酮基的第一聚合物的第一聚合物和包含胺基，羟基或硫醇基作为官能团的含硅氧烷的第二聚合物。 第一种聚合物在侧链中含有二唑酮基。

公开(公告)号：KR1020110126887A

公开(公告)日：2011-11-24

申请号：KR1020100046392

申请日：2010-05-18

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 이효철 ,  김장배 ,  왕기영 ,  윤제문 ,  김진백

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/201 ,  G03F7/0085 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0337

Abstract: PURPOSE: A method for forming a fluorescence pattern is provided to maintain fluorescence characteristic for a long period of time by blocking a fluorescent substance in a cross-linking net based on a cross-linking reaction. CONSTITUTION: A chemically amplified photo-resist composition composed of a cross-linking polymer, a photo acid generator, a fluorescent substance, and an organic solvent is coated on a substrate. A patterned photo-mask is arranged on the coated material. An exposing process is implemented. A post baking process is implemented to form a fluorescence pattern(3). The post baking process is implemented at a temperature between 90 and 120 degrees Celsius for 2 to 8 minutes. The photo acid generator is selected from triphenylsulfonium hexafluoroantimonite and triphenylsulfonium triflate. The cross-linking polymer includes one or more functional groups selected from a group including a vinyl group, an oxetane group, an epoxy group, a tetrahydrofuran group, an alkoxysilane group, a carboxyl group and a hydroxyl group, and a aldehyde group and a hydroxyl group.

Abstract translation: 目的：提供形成荧光图案的方法，通过在交联网中基于交联反应阻断荧光物质来长时间保持荧光特性。 构成：将由交联聚合物，光酸产生剂，荧光物质和有机溶剂组成的化学放大型光致抗蚀剂组合物涂布在基材上。 在涂层材料上布置图案化的光罩。 实施曝光过程。 实施后烘烤处理以形成荧光图案（3）。 后烘烤过程在90至120摄氏度的温度下实施2至8分钟。 光酸产生剂选自三苯基锍六氟锑酸盐和三苯基锍三氟甲磺酸盐。 交联聚合物包括选自乙烯基，氧杂环丁烷基，环氧基，四氢呋喃基，烷氧基硅烷基，羧基和羟基的基团中的一个或多个官能团，醛基和 羟基。

公开(公告)号：KR1020050020510A

公开(公告)日：2005-03-04

申请号：KR1020030058525

申请日：2003-08-23

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김진백 ,  오태환 ,  최재학 ,  이재준

IPC: G03F7/039

CPC classification number: C07D313/06 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/111 ,  Y10S430/115 ,  Y10S430/143 ,  Y10S430/146 ,  Y10S430/167

Abstract: PURPOSE: Provided are monomers containing novel oxepan-2-one structure represented by formula (I) and (II), a photoresist composition containing their polymer, and a pattern formation method. The polymers prepared by polymerization of norbornene, acrylate and methacrylate monomers containing novel oxepan-2-one structure generate carboxyl acids through ring opening and without the change of mass. The photoresist polymers not only have excellent properties of anti-etching, heat resistance and adhesion but also are useful for lithography process using ArF light source in the far infrared region in preparing microcircuit of highly integrated semiconducting device. CONSTITUTION: The polymer comprises: (A) the monomers represented by formula (I) and (II), wherein R1, R2 and R4 are independently C1-4 alkyl, C1-4 alkoxy, phenyl; R3 is hydrogen, C1-20 alkyl, C1-20 alkoxy, phenyl, C1-20 hydroxy alkyl, C1-20 alkoxy alkyl, C6-30 aliphatic cyclic hydrocarbon, C6-30 aliphatic lactone; X is hydrogen or hydroxyl; monomer synthesized by reacting alcohol (III) with 2-chlorocarbonyl-5-norbornene, acryloyl chloride and methacryloyl chloride; and (B) their polymers. The photoresist composition comprises the polymers; and a photoacid generator represented by formula (IV), (V) and (VI) wherein R1, R2 and R4 are independently C1-4 alkyl, C1-4 alkoxy, phenyl; R3 is hydrogen, C1-20 alkyl, C1-20 alkoxy, phenyl, C1-20 hydroxy alkyl, C1-20 alkoxy alkyl, C6-30 aliphatic cyclic hydrocarbon, C6-30 aliphatic lactone; n is degree of polymerization value of 1000; x and y are mole ratio wherein x + y

Abstract translation: 目的：提供含有由式（I）和（II）表示的新型氧杂环庚烷-2-酮结构的单体，含有其聚合物的光致抗蚀剂组合物和图案形成方法。 通过聚合具有新的氧杂环丙烷-2-酮结构的降冰片烯，丙烯酸酯和甲基丙烯酸酯单体制备的聚合物通过开环产生羧酸而不产生质量变化。 光致抗蚀剂聚合物不仅具有优异的耐蚀刻性，耐热性和粘附性，而且在制备高集成半导体器件的微电路的远红外区域中使用ArF光源的光刻工艺也是有用的。 构成：聚合物包含：（A）由式（I）和（II）表示的单体，其中R 1，R 2和R 4独立地为C 1-4烷基，C 1-4烷氧基，苯基; R3是氢，C1-20烷基，C1-20烷氧基，苯基，C1-20羟基烷基，C1-20烷氧基烷基，C6-30脂肪族环烃，C6-30脂肪族内酯; X是氢或羟基; 通过醇（III）与2-氯羰基-5-降冰片烯，丙烯酰氯和甲基丙烯酰氯反应合成的单体; 和（B）它们的聚合物。 光致抗蚀剂组合物包含聚合物; 和由式（IV），（V）和（VI）表示的光酸产生剂，其中R 1，R 2和R 4独立地是C 1-4烷基，C 1-4烷氧基，苯基; R3是氢，C1-20烷基，C1-20烷氧基，苯基，C1-20羟基烷基，C1-20烷氧基烷基，C6-30脂肪族环烃，C6-30脂肪族内酯; n为聚合度值1000; x和y是摩尔比，其中x + y <= 1。 光致抗蚀剂通过（I）和（II）的化合物与无水马来酸的自聚合或共聚的步骤制备; 并将聚合物和0.01-20重量％的光酸产生剂（基于聚合物）溶解在溶剂中。 光致抗蚀剂的图案通过以下步骤制备：（a）通过将光致抗蚀剂组合物涂布在基材上来制备光致抗蚀剂层; （b）将光致抗蚀剂层曝光; （c）对曝光的光致抗蚀剂进行热处理，（d）通过开发（c）的产物获得所需的图案。

公开(公告)号：KR1020000059422A

公开(公告)日：2000-10-05

申请号：KR1019990006989

申请日：1999-03-03

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김진백 ,  이범욱

IPC: C07C69/73

CPC classification number: C08F32/08 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/039

Abstract: PURPOSE: A polymer using a monomer wherein cholic acid, dioxycholic acid or lithocholic acid derivative is bound with norbornene is provided which contains many fatty radical rings so that it shows excellent dry etching resistance. CONSTITUTION: The polymer shown in a structural XIV independently polymerizes the monomer shown in a structural formula I wherein cholic acid, dioxycholic acid or lithocholic acid derivative is bound with norbornene. In the structural formual I, R1, R2 are H, CH3 substituted in norbornene, OH, CH2OH, CO2CH3 or CO2C(CH3)3, R3 is (CH2)nO(n=0-3), CO(CH2)nO(n=0-3) or COO(CH2)nO(n=1-3), R4, R5 are H, OH, OCOCH3, OCO(CH2O)nCH3(n=1-10), OCO(CH2CH2O)nCH3(n=1-7) or OCOO(CH2CH2O)nCH3(n=1-7) and R6 is H, C(CH3)3, CH(CH3)O(CH2)nCH3(n=1-3) or tetrahydro pyranil protection radial. In the structural formula XIV, n is polymerization degree ranged from 1 to 100.

Abstract translation: 目的：提供使用其中胆酸，二氧胆酸或石胆酸衍生物与降冰片烯结合的单体的聚合物，其含有许多脂肪基环，使得其显示出优异的耐干蚀刻性。 构成：结构XIV中所示的聚合物独立地聚合结构式I所示的单体，其中胆酸，二氧胆酸或石胆酸衍生物与降冰片烯结合。 在结构式I中，R 1，R 2是H，在降冰片烯中OH，CH 2 OH，CO 2 CH 3或CO 2 C（CH 3）3取代的CH 3，R 3是（CH 2）n O（n = 0-3），CO（CH 2）n O = 0-3）或COO（CH2）nO（n = 1-3），R4，R5为H，OH，OCOCH3，OCO（CH2O）nCH3（n = 1-10），OCO（CH2CH2O）nCH3（n = 1-7）或OCOO（CH2CH2O）nCH3（n = 1-7），R6是H，C（CH3）3，CH（CH3）O（CH2）nCH3（n = 1-3）或四氢吡喃保护放射状。 在结构式XIV中，n为1〜100的聚合度。

公开(公告)号：KR1020000012859A

公开(公告)日：2000-03-06

申请号：KR1019980031402

申请日：1998-08-01

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김진백 ,  박종진 ,  장지현

IPC: G03F7/039

CPC classification number: G03F7/038 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/039 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/11 ,  Y10S430/111

Abstract: PURPOSE: A photoresist using a compound having a dioxaspiro ring radical derivative to an acrylic branched chain is provided, which compounds an acrylic derivative having a dioxaspiro ring radical to a branched chain and uses a photosensitive characteristic of a polymer for polymerizing the compounded acrylic derivative and a copolymer for polymerizing the compounded acrylic with a vinyl acrylic derivative. CONSTITUTION: A photoresist using a compound having a dioxaspiro ring radical derivative to an acrylic branched chain comprises: a single polymer for polymerizing an acrylic derivative compound having a dioxaspiro ring radical to a branched chain or a copolymer to be polymerized with a vinyl acrylic derivative, wherein the single polymer and the copolymer forms a positive pattern and a negative pattern using a sludge salt and the copolymer has protectors, and an exposure in the manufacturing photoresist progress using the single polymer or the copolymer forms a pattern a state which a photo mask is contacted to a coating or is not contacted to the coating. Thereby, the pattern form of a sub micron is improved.

Abstract translation: 目的：提供使用具有二氧杂环己基衍生物的化合物至丙烯酸支链的光致抗蚀剂，其将具有二氧杂环己基的丙烯酸衍生物与支链化合，并使用聚合物的光敏特性聚合复合丙烯酸衍生物和 用于使复合丙烯酸与乙烯基丙烯酸衍生物聚合的共聚物。 构成：使用具有二氧杂环己基衍生物的化合物与丙烯酸支链的光致抗蚀剂包括：将具有二氧杂环己基的丙烯酸衍生物与支链聚合的单体聚合物或与乙烯基丙烯酸衍生物聚合的共聚物， 其中单一聚合物和共聚物使用污泥盐形成阳性图案和阴性图案，并且共聚物具有保护剂，并且使用单一聚合物或共聚物在制造光致抗蚀剂中曝光形成图案，其中光掩模为 与涂层接触或不与涂层接触。 由此，提高了亚微米的图案形式。

公开(公告)号：KR100191126B1

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR1019950044162

申请日：1995-11-28

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김진백 ,  김현우

IPC: C08F216/00

CPC classification number: C08F8/28 ,  C08F8/48 ,  C08F16/06

Abstract: There is a vinyl 4-hydroxybenzal-vinylalcohol-vinyl acetate copolymer, a 4-t-butoxycarbonyloxybenzal-vinyl alcohol-vinyl acetate copolymer and a vinyl 4-t-butoxycarbonyloxybenzal-vinyl 4-hydroxybenzal-vinyl alcohol-vinyl acetate copolymer suitable for photoresist and methods for preparing the same. The latter two polymers contain 4-hydroxybenzal groups all or parts of which are protected with t-butoxycarbonyl group. Superior in transparency, thermal stability, mechanical strength, and adhesiveness to silicon wafer, the photoresists prepared from the protected copolymers can enhance the resolution of fine circuit by virtue of low weight loss upon the thermal treatment after exposure.

公开(公告)号：KR100190908B1

公开(公告)日：1999-06-01

申请号：KR1019960013287

申请日：1996-04-27

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김진백 ,  박종진

IPC: C07D207/40

Abstract: 본 발명은 하기 일반식(I)로 표시되는 스티렌계 유도체의 단독중합체 또는 공중합체를 이용한 화학증폭형 포토레지스트 및 그를 이용한 레지스트 패턴의 형성방법에 관한 것이다.

상기 식에서,
R
1 은 수소, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 6 내지 12의 아릴기 또는 탄소수 3 내지 9의 트리알킬실릴기이고;
R
2 는 탄소수 1 내지 10의 알킬기, -O-, -OR', -CO
2 R', -CONR', -SO
2 R' 또는 -PO
2 R'(R'는 탄소수 1 내지 12의 알킬기; 탄소수 6 내지 12의 아릴기 ; 또는, 시클로알킬기)이며;
R
3 는 -OR', -SO
3 R', -CO
2 R', -SO
2 R' 또는 -PO
2 R(R'는 탄소수 1 내지 12의 알킬기; 탄소수 6 내지 12의 아릴기; 시클로알킬기; 또는, N, O, P 또는 S의 헤테로원자를 포함한 시클로기)이고;
R
4 및 R
5 는 탄소수 0 내지 5의 알킬기, -OH 또는 -OR(R은 탄소수 1 내지 10의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기)이며;
R
6 는 수소, 탄소수 1 내지 5의 알킬기, 시클로알킬기, -OH, -CO
2 H, -CO
2 R'(R'는 탄소수 1 내지 10의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기) 또는 R5와 동일한 기이고; 및, n은 0또는 1의 정수이다.

公开(公告)号：KR1019970071139A

公开(公告)日：1997-11-07

申请号：KR1019960011140

申请日：1996-04-13

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김진백 ,  박종진

IPC: G03F7/037

Abstract: 본 발명은 하기 일반식(Ⅰ)로 표시되는 스티렌계 유도체의 단독중합체 또는 공중합체를 이용한 화학증폭형 포토레지스트 및 그를 이용한 레지스트 패턴의 형성방법에 관한 것이다.

상기 식에서, R
1 은 수소, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 6 내지 12의 아릴기 또는 탄소수 3 내지 9의 트리알킬실릴기이고; R
2 는 탄소수 1 내지 10의 알킬기, -O-, -OR', -CO
2 R', -CONR', -SO
2 R' 또는 -PO
2 R'(R'는 탄소수 1 내지 12의 알킬기; 탄소수 6 내지 12의 아릴기; 또는, 시클로알킬기)이며; R
3 는 -OR', -SO
2 R', -CO
2 R', -PO
3 R', -SO
2 R' 또는 -PO
2 R'(R'는 탄소수 1 내지 12의 알킬기; 탄소수 6 내지 12의 아릴기; 또는, 시클로알킬기; 또는, N, O, P 또는 S의 헤테로원자를 포한 시클로기)이고; R
4 및 R
5 는 탄소수 0 내지 5의 알킬기, -OH 또는 -OR(R은 탄소수 1 내지 10의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기)이며; R
6 는 수소, 탄소수 1 내지 5의 알킬기, 시클로알킬기, -OH, -CO
2 H, -CO
2 R'(R'는 탄소수 1 내지 10의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기) 또는 R
5 와 동일한 기이고; 및 n은 0 또는 1의 정수이다.