公开(公告)号：KR1020150066322A

公开(公告)日：2015-06-16

申请号：KR1020130151710

申请日：2013-12-06

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  한국과학기술원

Inventor： 배지현 ,  박종진 ,  김일두 ,  이병선 ,  이서진

IPC: G01N27/12

CPC classification number: G01N27/127

Abstract: 가스센서용감지재료, 이를포함하는가스센서, 가스센서용감지재료의제조방법및 상기감지재료를이용한가스센서의제조방법을제시한다.

Abstract translation: 本发明提出了一种用于气体传感器的感测材料，包括该气体传感器的气体传感器，用于气体传感器的感测材料的制备方法以及使用感测材料的气体传感器的制备方法。 气体传感器包括具有传感材料的Ni3V2O8纳米结构可以改善感觉特征。 根据本发明，提供了包含Ni3V2O8纳米结构的传感材料; Ni3V2O8纳米结构可以具有纳米颗粒附着的纳米纤维的网络结构; 纳米纤维的平均直径可以为50nm至5000nm; Ni3V2O8纳米结构可能是多孔的; 并且Ni 3 V 2 O 8纳米结构具有可以根据特定气体的浓度和存在而改变的电阻值。

公开(公告)号：KR100193747B1

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR1019980036589

申请日：1998-09-04

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김진백 ,  박종진

IPC: C07D207/40

公开(公告)号：KR100180973B1

公开(公告)日：1999-04-01

申请号：KR1019960013288

申请日：1996-04-27

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김진백 ,  박종진

IPC: G03F7/004

Abstract: 본 발명은 감광성 열경화제로 치환된 공중합성 단량체를 포함하는 감광성 열경화성 조성물에 관한 것으로, 이 조성물은 (ⅰ) UV 조사에 의해 산이나 염기를 발생하는 단량체, (ⅱ) 공중합성 라디칼 광개시제; (ⅲ) 이온성 광중합용 단량체, 에폭시기를 갖는 올리고머 또는 이들의 혼합물; (ⅳ) 라디칼 광중합용 에틸렌계 불포화 화합물; (ⅴ) 증감제; 및, (ⅵ) 희석제를 구성성분으로 하고 있다. 본 발명의 감광성 열경화성 조성물은 포토레지스트 패턴을 형성하는 공정 중, 레지스트피막에 남아있는 용매를 제거하기 위해 실시하는 열건조 공정에서 에폭시의 경화제가 열경화 반응을 일으키지 않고 있다가, UV조사에 의하여 산성기와 염기성기를 발생하고 이어 열경화 반응을 일으켜서 포토레지스트의 현상성을 향상시킨다.

公开(公告)号：KR100173432B1

公开(公告)日：1999-03-20

申请号：KR1019960011140

申请日：1996-04-13

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김진백 ,  박종진

IPC: G03F7/037

Abstract: 본 발명은 하기 일반식(Ⅰ)로 표시되는 스티렌계 유도체의 단독중합체 또는 공중합체를 이용한 화학증폭형 프로레지스트 및 그를 이용한 레지스트 패턴 형성방법에 관한 것이다.

상기 식에서, R
1 은 수소, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 6 내지 12의 아릴기 또는 탄소수 3 내지 9의 트리알킬실릴기이고; R
2 는 탄소수 1내지 10의 알킬기, -O-, -OR', -CO
2 R', -CONR', -SO
2 R' 또는 -PO
2 R'(R'는 탄소수 1내지 12의 알킬기; 탄소수 6내지 12의 아릴기; 또는, 시클로알킬기)이며; R
3 는 -OR', -SO
3 R', -CO
2 R', -PO
3 R' 또는 -SO
2 R' 또는 -PO
2 R'(R'는 탄소수 1내지 12의 알킬기; 탄소수 6내지 12의 아릴기; 시클로알킬기; 또는, N, O, P 또는 S의 헤테로원자를 포함한 시클로기)이고; R
4 및 R
5 는 탄소수 0 내지 5의 알킬기, -OH 또는 -OR(R은 탄소수 1내지 10의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기)이며; R
6 는 수소, 탄소수 1내지 5의 알킬기, 시클로알킬기, -OH, -CO
2 H, -CO
2 R'(R'는 탄소수 1 내지 10의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기) 또는 R
5 와 동일한 기이고; 및 m은 0 내지 10의 정수이다.