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公开(公告)号：KR1020100113823A
公开(公告)日：2010-10-22
申请号：KR1020090032338
申请日：2009-04-14
IPC: B82B3/00 , C01B31/02 , C08G64/00 , C09C1/44 , C09D169/00
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/174 , C01P2004/13 , C09C1/44 , B82B3/0009 , C08G64/00 , C08J5/005 , C09D169/00
Abstract: PURPOSE: A dispersible carbon nanotube-polymer complex is provided to improve interfacial adhesion between the dispersible carbon nanotube and polymer. CONSTITUTION: A dispersible carbon contains carbon nanotube backbone and one or more organic moiety with C6-C14 aromatic functional group having one or more hydroxy group. A method for preparing the dispersible carbon nanotube-polymer complex comprises: a step of introducing the organic moiety to carbon nanotube backbone to form dispersible carbon nanotube; and a step of mixing the dispersible carbon nanotube and polymer.
Abstract translation: 目的：提供可分散的碳纳米管 - 聚合物复合物，以改善可分散碳纳米管和聚合物之间的界面粘合。 构成：可分散碳含有碳纳米管骨架和一个或多个具有一个或多个羟基的具有C 6 -C 14芳族官能团的有机部分。 制备可分散碳纳米管 - 聚合物复合物的方法包括：将有机部分引入碳纳米管主链以形成可分散碳纳米管的步骤; 以及混合可分散碳纳米管和聚合物的步骤。
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公开(公告)号：KR100180974B1
公开(公告)日：1999-04-01
申请号：KR1019980036332
申请日：1998-09-03
Applicant: 한국과학기술원
IPC: G03F7/039
Abstract: 본 발명은 하기 일반식(Ⅰ)로 표시되는 스티렌계 유도체의 단독중합체 또는 공중합체를 이용한 화학증폭형 포토레지스트 및 그를 이용한 레지스트 패턴의 형성방법에 관한 것이다:
상기 식에서,
R
1 은 수소, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 6 내지 12의 아릴기 또는 탄소수 3 내지 9의 트리알킬실릴기이고;
R
2 는 탄소수 1 내지 10의 알킬기, -O-, -OR', -CO
2 R', -CONR', -SO
2 R' 또는 -PO
2 R'(R'는 탄소수 1 내지 12의 알킬기; 탄소수 6 내지 12의 아릴기; 또는, 시클로알킬기)이며;
R
3 는 -OR', -SO
3 R', -CO
2 R', -PO
3 R', -SO
2 R' 또는 -PO
2 R'(R'는 탄소수 1 내지 12의 알킬기; 탄소수 6 내지 12의 아릴기; 시클로알킬기; 또는, N, O, P 또는 S의 헤테로원자를 포함한 시클로기)이고;
R
4 및 R
5 는 탄소수 0 내지 5의 알킬기, -OH 또는 -OR(R은 탄소수 1 내지 10의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기)이며;
R
6 는 수소, 탄소수 1 내지 5의 알킬기, 시클로알킬기, -OH, -CO
2 H, -CO
2 R'(R'는 탄소수 1 내지 10의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기) 또는 R
5 와 동일한 기이고; 및,
m은 0 내지 10의 정수이다.-
公开(公告)号：KR101435325B1
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：KR1020130039010
申请日：2013-04-10
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H04N13/00
CPC classification number: H04N13/271 , H04N2013/0081
Abstract: A method and an apparatus for generating a depth map are disclosed. The method for generating a depth map comprises the steps of: matching a three-dimensional (3D) template model with a 2D object, based on an error function, with respect to a plurality of key frames; predicting the depth information of the 2D object, based on the matched 3D template model; splitting the 2D object into a plurality of color segments, and generating a depth map, based on the split color segments and the depth information of the 2D object. Therefore, a visual distortion of a displayed 3D image can be reduced.
Abstract translation: 公开了一种用于生成深度图的方法和装置。 用于生成深度图的方法包括以下步骤：相对于多个关键帧，基于误差函数将三维（3D）模板模型与2D对象相匹配; 基于匹配的3D模板模型预测2D对象的深度信息; 将2D对象分割为多个颜色段，并且基于2D对象的分割颜色段和深度信息生成深度图。 因此，可以减少显示的3D图像的视觉失真。
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公开(公告)号：KR1020000012859A
公开(公告)日：2000-03-06
申请号：KR1019980031402
申请日：1998-08-01
Applicant: 한국과학기술원
IPC: G03F7/039
CPC classification number: G03F7/038 , G03F7/0045 , G03F7/039 , Y10S430/106 , Y10S430/11 , Y10S430/111
Abstract: PURPOSE: A photoresist using a compound having a dioxaspiro ring radical derivative to an acrylic branched chain is provided, which compounds an acrylic derivative having a dioxaspiro ring radical to a branched chain and uses a photosensitive characteristic of a polymer for polymerizing the compounded acrylic derivative and a copolymer for polymerizing the compounded acrylic with a vinyl acrylic derivative. CONSTITUTION: A photoresist using a compound having a dioxaspiro ring radical derivative to an acrylic branched chain comprises: a single polymer for polymerizing an acrylic derivative compound having a dioxaspiro ring radical to a branched chain or a copolymer to be polymerized with a vinyl acrylic derivative, wherein the single polymer and the copolymer forms a positive pattern and a negative pattern using a sludge salt and the copolymer has protectors, and an exposure in the manufacturing photoresist progress using the single polymer or the copolymer forms a pattern a state which a photo mask is contacted to a coating or is not contacted to the coating. Thereby, the pattern form of a sub micron is improved.
Abstract translation: 目的：提供使用具有二氧杂环己基衍生物的化合物至丙烯酸支链的光致抗蚀剂，其将具有二氧杂环己基的丙烯酸衍生物与支链化合，并使用聚合物的光敏特性聚合复合丙烯酸衍生物和 用于使复合丙烯酸与乙烯基丙烯酸衍生物聚合的共聚物。 构成：使用具有二氧杂环己基衍生物的化合物与丙烯酸支链的光致抗蚀剂包括：将具有二氧杂环己基的丙烯酸衍生物与支链聚合的单体聚合物或与乙烯基丙烯酸衍生物聚合的共聚物， 其中单一聚合物和共聚物使用污泥盐形成阳性图案和阴性图案，并且共聚物具有保护剂，并且使用单一聚合物或共聚物在制造光致抗蚀剂中曝光形成图案，其中光掩模为 与涂层接触或不与涂层接触。 由此，提高了亚微米的图案形式。
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公开(公告)号：KR100190908B1
公开(公告)日：1999-06-01
申请号：KR1019960013287
申请日：1996-04-27
Applicant: 한국과학기술원
IPC: C07D207/40
Abstract: 본 발명은 하기 일반식(I)로 표시되는 스티렌계 유도체의 단독중합체 또는 공중합체를 이용한 화학증폭형 포토레지스트 및 그를 이용한 레지스트 패턴의 형성방법에 관한 것이다.
상기 식에서,
R
1 은 수소, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 6 내지 12의 아릴기 또는 탄소수 3 내지 9의 트리알킬실릴기이고;
R
2 는 탄소수 1 내지 10의 알킬기, -O-, -OR', -CO
2 R', -CONR', -SO
2 R' 또는 -PO
2 R'(R'는 탄소수 1 내지 12의 알킬기; 탄소수 6 내지 12의 아릴기 ; 또는, 시클로알킬기)이며;
R
3 는 -OR', -SO
3 R', -CO
2 R', -SO
2 R' 또는 -PO
2 R(R'는 탄소수 1 내지 12의 알킬기; 탄소수 6 내지 12의 아릴기; 시클로알킬기; 또는, N, O, P 또는 S의 헤테로원자를 포함한 시클로기)이고;
R
4 및 R
5 는 탄소수 0 내지 5의 알킬기, -OH 또는 -OR(R은 탄소수 1 내지 10의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기)이며;
R
6 는 수소, 탄소수 1 내지 5의 알킬기, 시클로알킬기, -OH, -CO
2 H, -CO
2 R'(R'는 탄소수 1 내지 10의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기) 또는 R5와 동일한 기이고; 및, n은 0또는 1의 정수이다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019970071139A
公开(公告)日：1997-11-07
申请号：KR1019960011140
申请日：1996-04-13
Applicant: 한국과학기술원
IPC: G03F7/037
Abstract: 본 발명은 하기 일반식(Ⅰ)로 표시되는 스티렌계 유도체의 단독중합체 또는 공중합체를 이용한 화학증폭형 포토레지스트 및 그를 이용한 레지스트 패턴의 형성방법에 관한 것이다.
상기 식에서, R
1 은 수소, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 6 내지 12의 아릴기 또는 탄소수 3 내지 9의 트리알킬실릴기이고; R
2 는 탄소수 1 내지 10의 알킬기, -O-, -OR', -CO
2 R', -CONR', -SO
2 R' 또는 -PO
2 R'(R'는 탄소수 1 내지 12의 알킬기; 탄소수 6 내지 12의 아릴기; 또는, 시클로알킬기)이며; R
3 는 -OR', -SO
2 R', -CO
2 R', -PO
3 R', -SO
2 R' 또는 -PO
2 R'(R'는 탄소수 1 내지 12의 알킬기; 탄소수 6 내지 12의 아릴기; 또는, 시클로알킬기; 또는, N, O, P 또는 S의 헤테로원자를 포한 시클로기)이고; R
4 및 R
5 는 탄소수 0 내지 5의 알킬기, -OH 또는 -OR(R은 탄소수 1 내지 10의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기)이며; R
6 는 수소, 탄소수 1 내지 5의 알킬기, 시클로알킬기, -OH, -CO
2 H, -CO
2 R'(R'는 탄소수 1 내지 10의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기) 또는 R
5 와 동일한 기이고; 및 n은 0 또는 1의 정수이다.-
公开(公告)号：KR1019970071132A
公开(公告)日：1997-11-07
申请号：KR1019960013288
申请日：1996-04-27
Applicant: 한국과학기술원
IPC: G03F7/004
Abstract: 본 발명은 감광성 열경화제로 치환된 공중합성 단량체를 포함하는 감광성 열경화성 조성물에 관한 것으로, 이 조성물은 (ⅰ) UV 조사에 의해 산이나 염기를 발생하는 단량체; (ⅱ) 공중합성 라디칼 광개시제; (ⅲ) 이온성 광중합용 단량체; 에폭시기를 갖는 올리고머 또는 이들의 혼합물; (ⅳ) 라디칼 광중합용 에틸렌계 불포화 화합물; (ⅴ) 증감제; 및, (ⅵ) 희석제를 구성성분으로 하고 있다. 본 발명의 감광성 열경화성 조성물은 포토레지스트 패턴을 형성하는 공정 중, 레지스트피막에 남아 있는 용매를 제거하기 위해 실시하는 열건조 공정에서 에폭시의 경화제가 열경화 반응을 일으키지 않고 있다가, UV 조사에 의해서 산성기과 염기성기를 발생하고 이어 열경화 반응을 일으켜서 포토레지스트의 현상성을 향상시킨다.
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公开(公告)号：KR100273172B1
公开(公告)日：2001-03-02
申请号：KR1019980031402
申请日：1998-08-01
Applicant: 한국과학기술원
IPC: G03F7/039
Abstract: 본 발명은 디옥사스피로환기를 측쇄에 갖는 아크릴 유도체들을 합성하고 이들을 단독으로 중합시킨 중합체 또는 다른 비닐아크릴 유도체와 중합시킨 공중합체의 감광특성을 이용한 포토레지스트에 관한 것이다.
종래의 포토레지스트는 광산발생제(photoacid generator)에 의해 탈리된 보호기가 강알카리 수용액에 용해되는 반면 본 발명은 탈리된 보호기를 선택 조절하여 약알카리 수용액이나 순수 수용액만으로도 포지티브 패턴을 형성시킬 수 있고 가공상의 조건을 조절하여 네가티브 패턴도 형성 할 수 있다.
본 발명에 의하여 디옥사스피로기를 측쇄에 갖는 아크릴 유도체들은 다음과 같은 일반식 (I), (Ⅱ)의 화학구조를 갖는다.-
公开(公告)号：KR1019970071138A
公开(公告)日：1997-11-07
申请号：KR1019960013287
申请日：1996-04-27
Applicant: 한국과학기술원
IPC: C07D207/40
Abstract: 본 발명은 하기 일반식(Ⅰ)로 표시되는 스티렌계 유도체의 단독중합체 또는 공중합체를 이용한 화학증폭형 포토레지스트 및 그를 이용한 레지스트 패턴의 형성방법에 관한 것이다.
상기 식에서, R
1 은 수소, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 6 내지 12의 아릴기 또는 탄소수 3 내지 9의 트리알킬실릴기이고; R
2 는 탄소수 1 내지 10의 알킬기, -O-, -OR', -CO
2 R', -CONR', -SO
2 R' 또는 -PO
2 R'(R'는 탄소수 1 내지 12의 알킬기; 탄소수 6 내지 12의 아릴기; 또는, 시클로알킬기)이며; R
3 는 -OR', -SO
2 R', -CO
2 R', -PO
3 R', -SO
2 R' 또는 -PO
2 R'(R'는 탄소수 1 내지 12의 알킬기; 탄소수 6 내지 12의 아킬기; 또는, 시클로알킬기; 또는, N, O, P 또는 S의 헤테로원자를 포한 시클로기)이고; R
4 및 R
5 는 탄소수 0 내지 5의 알킬기, -OH 또는 -OR(R은 탄소수 1 내지 10의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기)이며; R
6 는 수소, 탄소수 1 내지 5의 알킬기, 시클로알킬기, -OH, -CO
2 H, -CO
2 R'(R'는 탄소수 1 내지 10의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기) 또는 R
5 와 동일한 기이고; 및 n은 0 또는 1의 정수이다.-
公开(公告)号：KR101598544B1
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：KR1020090032338
申请日：2009-04-14
IPC: B82B3/00 , C01B31/02 , C08G64/00 , C09C1/44 , C09D169/00
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/174 , C01P2004/13 , C09C1/44
Abstract: 분산성탄소나노튜브, 분산성탄소나노튜브-고분자복합체및 이의제조방법이제시된다.
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