Abstract:
플래시 메모리 장치의 셀 간 간섭을 최소화하기 위한 격자 부호 변조 방법, 이를 이용하는 격자 부호 변조 회로, 오류 정정 회로 및 플래시 메모리 장치의 데이터 입력 방법과 플래시 메모리 장치를 공개한다. 플래시 메모리를 위한 격자 부호 변조에서 신호 성상으로 생성 가능한 모든 포인트로부터 사용하지 않는 포인트들을 제거함에 있어서 E-PH 패턴을 포함한 포인트를 우선적으로 제거하므로, 셀간 간섭이 크게 발생하는 E-PH 패턴으로 인한 오류율의 증가를 감소시켜 오류율의 이득을 얻을 수 있다.
Abstract:
PURPOSE: A multilayer decoding circuit of a multi-dimensional trellis-RS concatenated code, a method thereof, an error correcting circuit for a flash memory device using the same, and the flash memory device are provided to improve error correction capability by preventing the transition of an error through multilayer decoding. CONSTITUTION: A first stage decoding unit(210) receives a part of trellis-RS(Reed-Solomon) concatenated code and outputs a first output data by successively performing a multidimensional demodulation, viterbi decoding, and RS decoding. A second stage decoding unit(230) output a second output data by RS-decoding after the remaining trellis-RS concatenated code is multi-dimensionally demodulated through the first output data. [Reference numerals] (200) Flash memory core; (210) First stage decoding unit; (211) First multi-directional demodulator; (213) Viterbi decider; (215) First RS decoder; (230) Second stage decoding unit; (231) Second multi-dimensional demodulator; (233) Second RS decoder