Abstract:
본 발명의 실시예에 따른 네트워크 상에서 전자기기가 합의된 데이터를 전송하는 방법은, 상기 네트워크 상에 참여하는 상기 전자기기를 포함하는 복수의 전자기기의 개수와 상기 복수의 전자기기 사이에서 공유하기 위한 복수의 데이터 블록의 개수를 기초로 생성된 발생 행렬을 저장하는 단계 및 상기 발생 행렬을 기초로 상기 복수의 전자기기에 포함되는 타 전자기기와 공유하기로 합의한 합의된 데이터 블록을 상기 타 전자기기에 전송하는 단계를 포함할 수 있다.
Abstract:
본 발명의 실시예에 따른 신경망 학습을 통한 데이터 처리 방법은, 신경망을 통해 처리되는 태스크(task)의 제1 입력값을 상기 신경망을 통해 처리하여 제1 출력값을 획득하는 단계, 상기 제1 출력값에 기초하여 투영(projection) 공간을 형성하는 단계, 상기 태스크의 입력값 중 제2 입력값을 상기 신경망을 통해 처리하여 제2 출력값을 획득하는 단계, 상기 제2 출력값을 상기 투영 공간에 투영하는 단계 및 상기 투영 공간 상에서 상기 제2 출력값의 처리과정을 수행하는 단계를 포함할 수 있다.
Abstract:
The present technology relates to a method for estimating the channel characteristic of a nonvolatile memory device. According to an aspect of the present invention, the input data of the nonvolatile memory device, on which a user wants to analyze, is reconstituted by considering the physical structure, the nonvolatile memory device. A mask including cells neighboring with a damaged cell is established based on the reconstituted data. The output data is grouped through the established mask. A lookup table is constructed using an arithmetical mean method or a RAM training technology. Interference is analyzed by the neighboring cells, and the output distribution of the damaged cell is constructed based on the lookup table. In addition, The distribution based on the interference of the neighboring cells can be estimated respectively by executing an algorithm by converting the shape of the mask into the various shapes. Meanwhile, Noise is analyzed by shifting the output data as the average value.
Abstract:
본 발명은 다차원 격자-RS 연접 부호의 다계층 복호 회로 및 방법, 이를 이용한 플래쉬 메모리 장치를 위한 오류 정정 회로, 및 플래쉬 메모리 장치에 관한 것으로서, 특히 본 발명의 플래쉬 메모리 장치의 오류 정정 회로는 플래쉬 메모리 코어로부터 제공되는 저장 데이터 중 일부를 인가받아 다차원 복조, 비터비 복호, 및 RS 복호를 순차적으로 수행하여 부분격자 선택 데이터를 출력하는 제1 스테이지 복호부; 및 상기 제1 스테이지 복호부의 부분격자 선택 데이터 및 상기 플래쉬 메모리 코어로부터 제공되는 저장 데이터의 나머지를 인가받아 다차원 복조, 및 RS 복호를 순차적으로 수행하여 신호점 선택 데이터를 출력하는 제2차 스테이지 복호부를 포함할 수 있다.
Abstract:
본발명의연접오류정정장치는열방향과행방향으로배열된복수의블록에대해서상기열방향과상기행방향각각에대해서제1오류정정코드를적용하여열코드와행코드로구성된블록단위프로덕트코드로인코딩하는제1인코더; 및 K개의소스심볼을입력받아제2오류정정코드를적용하여 N-K개의패러티심볼을포함하는 N개의심볼로인코딩하는제2인코더를포함하며,상기 N개의심볼은상기복수의블록을구성하고, 여기서, K 및 N은자연수이다.
Abstract:
PURPOSE: A trellis coded modulation method, a trellis coded modulation circuit, an error correcting circuit, a method for inputting data of a flash memory device and the flash memory device are provided to minimize interference between cells by decreasing an error rate due to an E-PH pattern. CONSTITUTION: A convolutional encoder(11) receives the first input data of k bits among input data of n bits. The k is smaller than the n. The convolutional encoder outputs the encoded input data of k+r bits by adding the surplus data of r bits to the first input data of k bits. An m dimensional modulator(12) rearranges m modulation data on an m dimensional trellis point by receiving the encoded input data of k+r bits and the second input data of the n-k bits except the first input data. The m dimensional modulator stores the m modulation data in m memory cells of a flash memory device by corresponding to the rearranged trellis point.