公开(公告)号：KR100857085B1

公开(公告)日：2008-09-05

申请号：KR1020070048464

申请日：2007-05-18

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 윤준보 ,  장원위 ,  이정언

IPC: G11C7/00

CPC classification number: G11C23/00 ,  G11C11/565

Abstract: A method for operating a memory array using a mechanical switch is provided to perform random access addressing by selecting a single memory cell, by assembling a source voltage and a gate voltage. According to a method for operating a memory array using a mechanical switch, a first voltage is applied to a selected bit line(B/L0) of a number of bit lines. A second voltage is applied to a selected word line(W/L0) of a number of word lines. The second voltage is larger than the sum of the first voltage and a pull-in voltage. A voltage smaller than the sum of a minimum voltage of the bit line and the pull-in voltage and larger than the difference between a maximum voltage of the bit line and the pull-in voltage is applied to an unselected word line.

Abstract translation: 提供了使用机械开关操作存储器阵列的方法，通过组合源极电压和栅极电压来选择单个存储器单元来执行随机存取寻址。 根据使用机械开关操作存储器阵列的方法，第一电压被施加到多个位线的选定位线（B / L0）。 第二电压被施加到多个字线的选定字线（W / L0）。 第二电压大于第一电压和引入电压之和。 小于位线的最小电压和引入电压之和并且大于位线的最大电压和引入电压之间的差的电压被施加到未选择的字线。

公开(公告)号：KR1020150062670A

公开(公告)日：2015-06-08

申请号：KR1020130147560

申请日：2013-11-29

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 임한영 ,  이정언 ,  이경태 ,  김태환 ,  최일도 ,  이주용

IPC: H04B7/08

CPC classification number: H04B7/0831 ,  H04B1/10

Abstract: 본발명은송수신기및 송수신기의 RF 회로신호왜곡보완방법에관한것으로, 본발명은적어도하나의수신안테나및 RF 회로를포함하는수신기의 RF 회로신호왜곡보완방법으로, 하나의상기수신안테나에기설정된제 1 안테나신호를인가하여, 상기제 1 안테나신호를상기 RF 회로에전송하는단계; 상기 RF 회로에서출력되는제 1 RF 신호를수신하는단계; 상기제 1 안테나신호및 제 1 RF 신호를이용하여, 상기제 1 안테나신호가상기 RF 회로를거치면서발생된왜곡정도를수치화한값인 RF 왜곡정보를생성하는단계; 및상기 RF 왜곡정보를이용하여, 외부통신시스템으로부터상기수신안테나에서수신된제 2 안테나신호를보상하는단계를포함하는 RF 회로신호왜곡보완방법을제공한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于校正RF电路信号失真的收发器和方法，其中包括至少一个接收天线和RF电路的接收机的RF电路信号失真被校正。 该方法包括以下步骤：将预定的第一天线信号施加到接收天线，并将第一天线信号发射到RF电路; 接收从RF电路输出的第一RF信号; 产生RF失真信息，该信号是通过使用第一天线信号和第一RF信号从第一天线信号通过RF电路产生的失真程度数字化的值; 以及通过使用所述RF失真信息从外部通信系统补偿从所述接收天线接收的第二天线信号。

公开(公告)号：KR1020120067707A

公开(公告)日：2012-06-26

申请号：KR1020100129255

申请日：2010-12-16

Applicant: 엘지이노텍 주식회사 ,  한국과학기술원

Inventor： 이영재 ,  유경종 ,  김진수 ,  이준 ,  이용인 ,  윤준보 ,  연정호 ,  이주형 ,  이정언

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0337 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/0338 ,  Y10S438/947 ,  H01L21/0274

Abstract: PURPOSE: A method for forming a large area nano-scale pattern is provided to uniformly produce a fine pattern by repeatedly reducing pattern pitch without distortion of shape after forming a pattern of micrometer scale. CONSTITUTION: Main thin films(140, 160) which are separated by a protective layer are formed. The protective layer is formed into a silicon nitride film or a silicon oxide film. A first main pattern(121) is formed by patterning a first main thin film. A first spacer pattern(191) is formed based on the first main pattern. A second main pattern(141) is formed by transferring the first spacer pattern to a second main thin film. A second spacer pattern is formed based on the second main pattern. A third main pattern is formed by transferring the second spacer pattern to a third main thin film.

Abstract translation: 目的：提供一种形成大面积纳米尺度图案的方法，通过在形成微米尺度的图案之后，通过重复地减少图形间距而不变形，均匀地产生精细图案。 构成：形成由保护层分离的主薄膜（140,160）。 保护层形成为氮化硅膜或氧化硅膜。 第一主图案（121）通过图案化第一主薄膜而形成。 基于第一主图形形成第一间隔图案（191）。 第二主图案（141）通过将第一间隔图案转印到第二主薄膜而形成。 基于第二主图形形成第二间隔图案。 通过将第二间隔图案转印到第三主薄膜上形成第三主图案。

公开(公告)号：KR100980679B1

公开(公告)日：2010-09-07

申请号：KR1020080086118

申请日：2008-09-02

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 윤준보 ,  이정언 ,  양현호

IPC: G11C16/04 ,  G11C16/30

Abstract: 3차원 적층이 용이하고, 소비전력이 낮으며, 동작속도가 빠른 기계 스위치를 이용하여 비휘발성 다중 비트 메모리 셀을 구현함으로써, 용량을 확장시키기가 용이하고 반도체 소자의 필요가 없으며 간략한 구성으로서 집적화가 용이한 비휘발성 다중 비트 메모리 셀 및 이의 구동 방법이 개시된다. 본 발명에 따르면, 비휘발성 다중 비트 메모리 셀로서, 저장하고자 하는 데이터에 대응되는 데이터 전압 신호를 인가하는 데이터 신호선(100); 상기 데이터 전압 신호를 상기 메모리 셀에 쓰는 경우 쓰기 전압을 인가하는 쓰기 신호선(101)을 게이트 입력으로 하고, 상기 데이터 신호선(100)을 소스 전극으로 하는 쓰기 스위치(102); 일단이 상기 쓰기 스위치(102)의 드레인 전극으로서 기능하는 전극(103)에 연결되고, 타단은 상기 메모리 셀에 저장된 데이터 전압신호를 읽고자 하는 경우 읽기 전압을 인가하는 읽기 신호선(106)에 연결되는 커패시터(104); 및 상기 전극(103)을 게이트 입력으로 하고, 기준 전압에 연결되는 소스 전극을 갖는 읽기 스위치(107)를 포함하는 비휘발성 다중 비트 메모리 셀 및 이의 구동 방법이 제공된다.
비휘발성 메모리 셀, 기계 스위치, 커패시터, MEMS, NEMS

公开(公告)号：KR1020100080679A

公开(公告)日：2010-07-12

申请号：KR1020090000079

申请日：2009-01-02

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 윤준보 ,  송용하 ,  이정언 ,  김민우

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/82

CPC classification number: H03K19/215 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: PURPOSE: A logic circuit in which a mechanical switch and a metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor(MOS FET) are combined is provided to reduce the area of a semiconductor device by saving a space for separating a p-MOS device and an n-MOS device. CONSTITUTION: A source(102) and a drain(103) are spaced apart from each other in a substrate(101). A gate insulating film(104) is formed on the substrate. A gate(105) is formed on the gate insulating film. A first electrode(201) is electrically connected with the source. A second electrode(202) is electrically connected with the drain. A mechanical switch comprises a movable electrode(204).

Abstract translation: 目的：提供组合机械开关和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOS FET）的逻辑电路，通过节省用于分离p-MOS器件的空间来减小半导体器件的面积， 一个n-MOS器件。 构成：源（102）和漏极（103）在衬底（101）中彼此间隔开。 在基板上形成栅绝缘膜（104）。 栅极（105）形成在栅极绝缘膜上。 第一电极（201）与源电连接。 第二电极（202）与漏极电连接。 机械开关包括可动电极（204）。

公开(公告)号：KR1020080079364A

公开(公告)日：2008-09-01

申请号：KR1020070019349

申请日：2007-02-27

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 윤준보 ,  이정언 ,  장원위

IPC: G09G3/30

Abstract: An OLED(Organic Light Emitting Diode) driving circuit, a display apparatus including the same, and a method for driving the same are provided to maintain uniformity of gray scales by changing generation time of a second scan signal during a predetermined time. An OLED(Organic Light Emitting Diode) driving circuit includes a first switch(102), a storing unit(103), an OLED(105), and a second switch(104). The first switch, connected with a data line(100) and a scan line(101), outputs a data signal according to a data signal of the data line and a scan signal of the scan line. The storing unit electrically connected with the first switch stores the data signal outputted from the first switch. The OLED is electrically connected with a power supply unit(106). The second switch connects electrically the OLED and a reference voltage according to the data signal stored in the storing unit.

Abstract translation: 提供OLED（有机发光二极管）驱动电路，包括其的显示装置及其驱动方法，以通过在预定时间内改变第二扫描信号的产生时间来保持灰度的均匀性。 OLED（有机发光二极管）驱动电路包括第一开关（102），存储单元（103），OLED（105）和第二开关（104）。 与数据线（100）和扫描线（101）连接的第一开关根据数据线的数据信号和扫描线的扫描信号输出数据信号。 与第一开关电连接的存储单元存储从第一开关输出的数据信号。 OLED与电源单元（106）电连接。 第二开关根据存储在存储单元中的数据信号电连接OLED和参考电压。

公开(公告)号：KR100810519B1

公开(公告)日：2008-03-07

申请号：KR1020070050341

申请日：2007-05-23

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 윤준보 ,  장원위 ,  이정언

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/2463 ,  H01L21/28273

Abstract: A non-volatile memory cell using a mechanical switch and an array thereof are provided to reduce power consumption by performing an operation at a low voltage. A dielectric layer(202) is formed on a substrate(201). A gate electrode(203) is formed on the dielectric layer. A source electrode(204) is separated from one side of the gate electrode and is formed on the dielectric layer. A drain electrode(205) is separated from the other side of the gate electrode and is formed on the dielectric layer. A moving electrode includes an adhesive part(206) formed on the source electrode and a moving part(207) connected electrically to the adhesive part and extended to an upper part of the drain electrode. A protrusion part is formed at the upper part of the drain electrode.

Abstract translation: 提供使用机械开关及其阵列的非易失性存储单元，以通过执行低电压的操作来降低功耗。 介电层（202）形成在基板（201）上。 在电介质层上形成栅电极（203）。 源电极（204）从栅电极的一侧分离并形成在电介质层上。 漏电极（205）与栅电极的另一侧分离，形成在电介质层上。 移动电极包括形成在源电极上的粘合部分（206）和电连接到粘合部分并延伸到漏电极的上部的移动部分（207）。 突起部形成在漏电极的上部。