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公开(公告)号：KR1020130011556A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：KR1020110072788
申请日：2011-07-22
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: G01N27/30 , C12Q1/6825 , G01N33/48
Abstract: PURPOSE: A detection substance sensor, a detection substance sensing method, and an application device using the same are provided to detect an electric charge by an electric detection method. CONSTITUTION: A detection substance sensor comprises an insulating substrate(110), a main electrode(120), a detection substance attachment unit(140), and a movable electrode(150). The main electrode is formed on the insulating substrate. The detection substance attachment unit is electrically insulated with the main electrode and a detection substance(145) having an electric charge is attached to the detection substance attachment unit. The movable electrode is arranged in the upper part of the detection substance attachment unit, is spaced from the main electrode and the detection substance attachment unit, and is faced to the main electrode and the detection substance attachment unit. Driving voltage between the main electrode and the movable electrode moves the movable electrode to a direction where the main electrode is arranged.
Abstract translation: 目的：提供检测物质传感器，检测物质检测方法以及使用该物质检测方法的应用装置，以通过电检测方法检测电荷。 构成：检测物质传感器包括绝缘基板（110），主电极（120），检测物质附着单元（140）和可动电极（150）。 主电极形成在绝缘基板上。 检测物质的附着部与主电极电绝缘，将具有电荷的检测物质（145）附着在检测物质的安装部上。 可动电极布置在检测物质附着单元的上部，与主电极和检测物质附着单元隔开，并且面向主电极和检测物质附着单元。 主电极和可动电极之间的驱动电压使可动电极向主电极排列的方向移动。
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公开(公告)号：KR1020080112662A
公开(公告)日：2008-12-26
申请号：KR1020070061361
申请日：2007-06-22
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H02N1/006
Abstract: An electrostatic actuator capable of implementing consecutive operation, actuating method thereof, and applicable device using the same are provided to improve durability about an external noise by arbitrarily controlling a driving voltage. An electrostatic actuator capable of implementing consecutive operation comprises a main electrode(620), an electric charge charging part(640), a flow electrode(650), an insulating substrate(610), and a discharge-preventing layer. The electric charge charging part is electrically insulated with the main electrode. The flow electrode is separated with the main electrode and the electric charge charging part. The main electrode is formed in the insulating substrate. The discharge-preventing layer is formed on a surface of the electric charge charging part.
Abstract translation: 提供能够实现连续操作的静电致动器，其致动方法以及使用其的适用装置，以通过任意控制驱动电压来提高对外部噪声的耐久性。 能够实现连续操作的静电致动器包括主电极（620），电荷充电部分（640），流动电极（650），绝缘基板（610）和防止放电层。 电荷充电部与主电极电绝缘。 流动电极与主电极和充电部分分离。 主电极形成在绝缘基板中。 防止放电层形成在充电部的表面上。
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公开(公告)号：KR101322354B1
公开(公告)日：2013-10-25
申请号：KR1020110032135
申请日：2011-04-07
Applicant: 한국과학기술원
IPC: G01N27/22
CPC classification number: G01N27/048 , G01N27/4141
Abstract: 본 발명의 습도 센서는 기판에 채널 영역을 사이에 두고 서로 이격되어 형성된 소스 및 드레인, 상기 채널 영역 상부에 형성된 절연층, 및 상기 절연층상에 형성된 게이트를 포함하는 트랜지스터; 상기 게이트에 전하를 충전하는 하는 충전기; 및 상기 게이트에 전하를 충전한 후 소정 시간 동안 상기 트랜지스터의 드레인 전류의 변화량을 측정하는 측정기를 포함한다.
Abstract translation: 公开了一种湿度传感器，包括：电荷被充电的导电材料; 对导电材料中的电荷进行充电的充电器; 以及测量器，其测量在导电材料中充电的电荷的变化量。
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公开(公告)号：KR101104461B1
公开(公告)日：2012-01-12
申请号：KR1020100051958
申请日：2010-06-01
Applicant: 엘지이노텍 주식회사 , 한국과학기술원
IPC: H01G5/16
Abstract: 본 발명은 멤즈 가변 캐패시터에 관한 것이다.
즉, 본 발명의 멤즈 가변 캐패시터는 제 1 전극과; 상기 제 1 전극 상부에 플로팅되어 있는 제 2 전극과; 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이의 간격을 조절하여, 캐패시턴스값을 가변시킬 수 있으며, 고정되어 있는 제 3 전극을 포함한다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101104537B1
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：KR1020100050590
申请日：2010-05-28
Applicant: 엘지이노텍 주식회사 , 한국과학기술원
IPC: H01G5/04
Abstract: 본 발명은 가변 캐패시터 및 그의 구동 방법에 관한 것이다.
즉, 본 발명의 가변 캐패시터는 이동할 수 있는 제 1 전극과; 절연막이 형성되어 있고, 고정되어 있으며, 상기 제 1 전극이 이동되어 상기 절연막에 접촉되는 제 2 전극을 포함한다.-
公开(公告)号：KR1020100130016A
公开(公告)日：2010-12-10
申请号：KR1020090048662
申请日：2009-06-02
Applicant: 한국과학기술원
IPC: B81B7/02
CPC classification number: B81C1/00333 , B81C2203/0145
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of 3-dimensional structures using thin film with columnar nano pores and a corresponding product are provided to enable a process of forming a nano size of mold to be removed since the thin film with columnar nano pores is used as a mold for forming a nano wire or a nano structure. CONSTITUTION: A manufacturing method of 3-dimensional structures using thin film with columnar nano pores is as follows. A sacrificial layer is formed on a substrate, on which elements are formed, to cover them. The thin film(140) with columnar nano pores is formed by depositing one of a metal, an oxide, a nitride and fluorine on the sacrificial layer using a physical vapor deposition and a chemical vapor deposition. A support layer(50) is formed on the thin film and is patterned so that a part of the thin film is exposed. A cavity is formed in the thin film and the support layer by removing the sacrificial layer through the nano pores on the exposed thin film. A shielding layer(170) is formed on the thin film and the support layer.
Abstract translation: 目的：提供使用具有柱状纳米孔的薄膜和相应的产品的三维结构的制造方法，以使得能够形成纳米尺寸的模具被去除的过程，因为具有柱状纳米孔的薄膜用作模具 用于形成纳米线或纳米结构。 构成：使用具有柱状纳米孔的薄膜的三维结构的制造方法如下。 牺牲层形成在其上形成有元件的基板上以覆盖它们。 具有柱状纳米孔的薄膜（140）通过使用物理气相沉积和化学气相沉积在牺牲层上沉积金属，氧化物，氮化物和氟中的一种而形成。 支撑层（50）形成在薄膜上并被图案化以使得薄膜的一部分被暴露。 通过在暴露的薄膜上的纳米孔去除牺牲层，在薄膜和支撑层中形成空腔。 在薄膜和支撑层上形成屏蔽层（170）。
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公开(公告)号：KR100980679B1
公开(公告)日：2010-09-07
申请号：KR1020080086118
申请日：2008-09-02
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 3차원 적층이 용이하고, 소비전력이 낮으며, 동작속도가 빠른 기계 스위치를 이용하여 비휘발성 다중 비트 메모리 셀을 구현함으로써, 용량을 확장시키기가 용이하고 반도체 소자의 필요가 없으며 간략한 구성으로서 집적화가 용이한 비휘발성 다중 비트 메모리 셀 및 이의 구동 방법이 개시된다. 본 발명에 따르면, 비휘발성 다중 비트 메모리 셀로서, 저장하고자 하는 데이터에 대응되는 데이터 전압 신호를 인가하는 데이터 신호선(100); 상기 데이터 전압 신호를 상기 메모리 셀에 쓰는 경우 쓰기 전압을 인가하는 쓰기 신호선(101)을 게이트 입력으로 하고, 상기 데이터 신호선(100)을 소스 전극으로 하는 쓰기 스위치(102); 일단이 상기 쓰기 스위치(102)의 드레인 전극으로서 기능하는 전극(103)에 연결되고, 타단은 상기 메모리 셀에 저장된 데이터 전압신호를 읽고자 하는 경우 읽기 전압을 인가하는 읽기 신호선(106)에 연결되는 커패시터(104); 및 상기 전극(103)을 게이트 입력으로 하고, 기준 전압에 연결되는 소스 전극을 갖는 읽기 스위치(107)를 포함하는 비휘발성 다중 비트 메모리 셀 및 이의 구동 방법이 제공된다.
비휘발성 메모리 셀, 기계 스위치, 커패시터, MEMS, NEMS-
公开(公告)号：KR100896981B1
公开(公告)日：2009-05-14
申请号：KR1020070133155
申请日：2007-12-18
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: G11C5/14 , G11C7/12 , G11C8/08 , G11C29/025
Abstract: 본 발명은 마이크로 전자기계 시스템(Micro Electro Mechanical System: MEMS)을 이용한 메모리 어레이 구동방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 메모리 어레이 구동방법은 기판 상에 서로 이격되어 형성된 주전극 및 접점전극, 주전극 과 전기적으로 절연되고, 전하가 기충전된 전하충전부 및 주전극, 전하충전부 및 접점전극 상부에 형성된 유동전극을 포함하는 메모리 셀이 복수 개 배열된 메모리 어레이의 구동방법에 있어서, 주전극에 전하충전부에 충전된 전압과 동일극성의 제1 구동전압을 인가하는 단계 및 유동전극에 제1 구동전압과 반대 극성의 제2 구동전압을 인가하는 단계를 포함한다.
본 발명에 따른 메모리 어레이 구동방법은 기충전된 메모리 셀을 이용하여 낮은 구동전압에서 메모리 어레이를 동작시킬 수 있으며, 외부 노이즈에 대한 내구성 및 신뢰성이 향상된 연속동작이 가능하다.
마이크로 전자기계 시스템(Micro Electro Mechanical System: MEMS), 구동기(Actuator), 정전 구동, 메모리, 스위치-
公开(公告)号：KR101359578B1
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：KR1020120068856
申请日：2012-06-27
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01G5/16
Abstract: 본 발명은 멤즈 가변 커패시터에 관한 것으로서, 제 1전극, 상기 제1 전극과 이격되어 있는 제2 전극, 상기 제1 전극 상부에 플로팅되는 제3 전극, 및 상기 제2 전극과 대향되는 제4 전극, 상기 제3 전극과 상기 제4 전극을 연결하는 연결부, 및 상기 연결부의 일부 영역을 지지하는 지지부를 포함하는 액츄에이터를 포함하고, 상기 제3 전극 및 상기 연결부는 일체로 형성되며, 상기 제2 전극에 전압이 인가되어 상기 제1 전극과 상기 제3 전극 사이의 간격을 조절하여 커패시턴스를 가변시킬 수 있다.
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