Abstract:
PURPOSE: A d spin digital control oscillator having low power is provided to obtain Q value having high frequency by controlling frequency and to change minute frequency. CONSTITUTION: A spin digital control oscillator(40) includes a spin oscillation structure. The digital control spin oscillator includes a reference oscillator(41), a phase detector(42), a charge pump(43), and an analog to digital converter(44). The digital control spin oscillator includes first/second thermometer transcoders, first/second transistor arrays, an amplifier, and a divider. The spin digital control oscillator controls first control current.
Abstract:
본 발명은 서로 다른 주파수 특성을 갖고, 입력 데이터를 OOK 변조 또는 멀티레벨 ASK 변조하여 다중대역의 OOK 변조신호 또는 다중대역의 멀티레벨 ASK 변조신호를 출력하는 복수의 스핀토크전달소자, 상기 복수의 스핀토크전달소자의 개별 임피던스를 정합하는 복수의 정합 네트워크 및 상기 복수의 정합 네트워크의 일단부로부터 상기 다중대역의 OOK 변조신호 또는 상기 다중대역의 멀티레벨 ASK 변조신호를 전송받아 동시에 외부로 송신하는 광대역 안테나를 포함하는 것을 특징으로 하는 다중대역 주파수와 진폭을 동시에 변조하는 스핀트로닉스 무선통신 시스템에 관한 것이다.
Abstract:
대각방향의방사를위한밀리미터파대역안테나가개시된다. 유전체기판의저면의적어도일부영역에제1 금속층이코팅되고, 상면의적어도일부영역에는마이크로스트립선로형태의제2 금속층이코팅된다. 유전체기판의상면쪽에서저면쪽으로보았을때, 제2 금속층은제1 금속층영역에포함되게배치된다. 제2 금속층의마이크로스트립선로는무선송출할신호의파장의절반이상의길이를가진다. 제1 금속층이접지된상태에서, 제2 금속층의마이크로스트립선로에무선송출할신호가인가되면, 위쪽대각선방향으로의무선신호방사패턴을나타낸다. 제2 금속층은직선형, Y자형,-자형또는다지형마이크로스트립선로형태로만들수 있다. 유전체기판의상면에는제2 금속층과연결되어안테나의임피던스정합도를향상시켜주는임피던스정합용금속층이더 마련될수도있다.
Abstract:
본 발명은 유전체, 상기 유전체 내부에 적층되어 매립되는 중공된 사각 또는 원형의 복수의 금속 패턴, 상기 금속 패턴의 층간에 매립되어 상하로 연결하는 복수의 금속 비아 및 상기 유전체의 상부에 형성된 접지면을 포함하며, 상기 복수의 금속 패턴은 방사형으로 적층되어 전자기파가 집중되어 전파되는 웨이브가이드 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 수평 방사와 수직 방사의 선택적 이용이 가능한 매립형 혼 안테나에 관한 것이다. 본 발명에 따른 수평 방사와 수직 방사의 선택적 이용이 가능한 매립형 혼 안테나는 유전체 기판 내에 금속 패턴 및 비아를 통해 구현함으로써 상대적으로 작은 크기에 큰 이득을 갖는 효과를 얻을 수 있고 수평 방향과 수직 방향의 구성을 하나의 기판에 배치하여 선택적으로 이용이 가능하고 단순한 제조 공정의 제조방법을 제공할 수 있다.
Abstract:
본 발명은 mxn 행렬의 스핀 발진기들로 구성된 스핀 어레이(m ≥ 1 , n ≥1); 동작 조건에 따라 상기 스핀 발진기들을 선택적으로 동작시키기 위한 선택제어수단; 및 상기 동작 조건의 변동에 따라 상기 스핀 발진기들의 위상 동기 동작을 조정하기 위한 mxn 위상 조정수단들로 구성된 위상조정 어레이를 포함하는 것을 특징으로 하는 위상 조정수단을 가진 스핀 변조기에 관한 것이다.
Abstract:
PURPOSE: An efficiency-improved envelope amplifier using a dual switching amplifier and a designing method thereof are provided to reduce power consumption, thereby improving efficiency compared with an existing envelope amplifier. CONSTITUTION: An efficiency-improved envelope amplifier includes a linear amplifier (1) and a switching amplifier (2). The switching amplifier includes at least two switching stages (21,22) which are selectively actuated by the size of an envelope input signal. The switching stage comprises a p-channel metal-oxide semiconductor (PMOS) and an n-channel metal oxide semiconductor (NMOS). The envelop amplifier has a structure in which the linearity of the linear amplifier and the high efficiency of the switching amplifier. The linear amplifier is actuated by an independent voltage source amplifying the envelope input signal, and the switching amplifier is actuated by a dependent current source feeding most of an electric current required for the output of the switching amplifier. An output voltage is controlled by an input voltage, and an output current is a sum of the current of the linear amplifier and the current of the switching amplifier.
Abstract:
A resistive frequency mixer and a signal processing method using by the same are provided to improve the isolation of RF-IF through a resistivity frequency mixing unit. A resistive frequency mixer includes a first frequency mixer(304) and a secondary frequency mixer(308). The first frequency mixer has a source follower FET(M2), and a first frequency mixer comprises a first inductor. The first inductor is connected a drain of source follower FET to compensate capacitance generated between a gate-source and a drain-source while the second frequency mixer has a common source FET(M1).