公开(公告)号：KR100980678B1

公开(公告)日：2010-09-07

申请号：KR1020080101228

申请日：2008-10-15

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 송인상 ,  박철순 ,  정동윤 ,  은기찬 ,  이재진 ,  조성준

IPC: H03H9/66

CPC classification number: H01P1/184

Abstract: 본 발명에 따른 위상 천이기는 기판의 소정 위치에 형성된 신호 라인과, 기판 내에 형성되어 상기 기판의 효과 유전율을 변화시켜 상기 신호 라인에 유기된 신호의 위상을 지연시키는 공기 공극을 포함한다.
이와 같이, 본 발명은 공기 공극으로 기판의 효과 유전율을 조절하여 신호의 위상을 지연시킴으로써, 기존의 위상 천이기와 비교하여 획기적으로 적은 삽입 손실을 갖고, 기판과 길이 변화가 없기 때문에 소형 제작이 가능한 장점이 있다.
위상천이기, 공기공극, 저손실

公开(公告)号：KR100974574B1

公开(公告)日：2010-08-06

申请号：KR1020080005011

申请日：2008-01-16

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 정동윤 ,  박철순

IPC: H03D7/12 ,  H03D7/00

CPC classification number: H04B1/28 ,  H03D7/125

Abstract: 본 발명은 저항성 주파수 혼합기(Resistive Frequency Mixer)에 관한 것으로, 본 발명은, RF 입력단과 IF 출력단이 FET의 드레인단에 연결되어 있거나, 다수의 커플러(또는 벌룬)와 필터가 구비되어 있는 저항성 주파수 혼합기와는 달리, 소스 폴러워 FET(Source Follower FET)를 갖는 제 1 주파수 혼합부와, 공통 소스 FET(Common Source FET)를 갖는 제 2 주파수 혼합부를 포함하며, 소스 폴러워 FET에 입력된 RF(Radio Frequency) 신호를 공통 소스 FET에 입력된 LO(Local Oscillation) 신호에 따라 주파수 혼합하여 다운 컨버전(down-conversion)된 IF(Intermediate Frequency) 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 저항성 주파수 혼합 장치를 구현함으로써, LO-RF 간 격리도뿐만 아니라 RF-IF 간 격리도를 향상시켜 RF-IF 정합회로를 용이하게 설계할 수 있고, LO단과 RF단이 바뀌어도 무방한 본 회로는 공통 소스 FET의 드레인에 입력된 IF신호를 공통 소스 FET의 게이트에 입력된 LO 신호에 따라 주파수를 혼합하는 업 컨버전(up-conversion)된 RF 신호를 출력하는 업 컨버전 주파수 혼합 장치에도 적용할 수 있는 것이다.
저항성 주파수 혼합기(Resistive Frequency Mixer), 소스 폴러워 FET(Source Follower FET), 공통 소스 FET(Common Source FET)

公开(公告)号：KR1020100042091A

公开(公告)日：2010-04-23

申请号：KR1020080101228

申请日：2008-10-15

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 송인상 ,  박철순 ,  정동윤 ,  은기찬 ,  이재진 ,  조성준

IPC: H03H9/66

CPC classification number: H01P1/184

Abstract: PURPOSE: A phase shifter is provided to implement small insertion loss through a phase delay of a signal by controlling an effect dielectric constant of a substrate with an air gap. CONSTITUTION: A GCPW(Ground Co-Planar Wave Guide) phase shifter is composed of a transfer substrate(100), a first metal layer(102), a signal line(104), a second metal layer(106), and an air gap(108). The transfer substrate is formed by using a plurality of ceramic substrates. The first metal layer is grounded in a lower part of the transfer substrate. A signal line is formed in the constant area of the upper part of the transfer substrate. The second metal layer is grounded in an upper part of the transfer substrate. The air gap is formed inside the transfer substrate between the first metal layer and the signal line.

Abstract translation: 目的：通过控制具有气隙的衬底的效应介电常数，提供移相器以通过信号的相位延迟来实现小的插入损耗。 构成：GCPW（地面共平面波导）移相器由转移基板（100），第一金属层（102），信号线（104），第二金属层（106）和空气 间隙（108）。 通过使用多个陶瓷基板来形成转印基板。 第一金属层在转印衬底的下部接地。 信号线形成在转印基板的上部的恒定区域中。 第二金属层在转印基板的上部接地。 在第一金属层和信号线之间的转移基板的内部形成气隙。

公开(公告)号：KR1020090079064A

公开(公告)日：2009-07-21

申请号：KR1020080005011

申请日：2008-01-16

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 정동윤 ,  박철순

IPC: H03D7/12 ,  H03D7/00

CPC classification number: H04B1/28 ,  H03D7/125

Abstract: A resistive frequency mixer and a signal processing method using by the same are provided to improve the isolation of RF-IF through a resistivity frequency mixing unit. A resistive frequency mixer includes a first frequency mixer(304) and a secondary frequency mixer(308). The first frequency mixer has a source follower FET(M2), and a first frequency mixer comprises a first inductor. The first inductor is connected a drain of source follower FET to compensate capacitance generated between a gate-source and a drain-source while the second frequency mixer has a common source FET(M1).

Abstract translation: 提供了一种电阻式混频器及其使用的信号处理方法，以通过电阻率频率混频单元改善RF-IF的隔离。 电阻式混频器包括第一混频器（304）和次频混频器（308）。 第一混频器具有源极跟随器FET（M2），第一混频器包括第一电感器。 第一电感器连接源极跟随器FET的漏极以补偿在栅极 - 源极和漏极 - 源极之间产生的电容，而第二个混频器具有公共源极FET（M1）。