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公开(公告)号：KR101549597B1
公开(公告)日：2015-09-03
申请号：KR1020130129660
申请日：2013-10-30
Applicant: 한국세라믹기술원
Abstract: 본발명은탄화규소가코팅된도가니를이용한탄화규소단결정의제조방법에관한것으로서, 보다상세하게는탄화규소코팅층이적어도 500㎛이상이고, 상기탄화규소는베타상결정의순도 99.9% 이상인것을특징으로하는탄화규소가코팅된그라파이트도가니를사용하는탄화규소단결정의제조방법에관한것이다. 본발명에따르면액상성장법을이용한탄화규소단결정성장에있어서, 실리콘용융액에그라파이트도가니로부터분진이이탈됨을방지하여최종성장된탄화규소단결정에카본함침등 결함을제어함으로써고품위탄화규소단결정제조가가능하고코팅된베타상의탄화규소는액상규소에대한용해도가높아별도의소스공급없이탄화규소단결정성장이가능하다.
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公开(公告)号：KR101375616B1
公开(公告)日：2014-03-18
申请号：KR1020120026857
申请日：2012-03-16
Applicant: 한국세라믹기술원
IPC: C23C16/44 , C23C16/455
Abstract: 본 발명은, 액상의 원료를 저장하는 원료저장부와, 상기 원료를 버블링 시키기 위한 적어도 하나의 버블 가스를 공급하는 버블 가스 공급부와, 상기 버블 가스에 의해 버블링된 원료를 가열하여 기화시키기 위한 가열 수단과, 상기 버블 가스가 상기 원료저장부로 유입되는 통로를 제공하는 버블 가스 유입구 및 상기 원료가 기화되어 형성된 원료 가스가 상기 원료저장부에서 배출되어 고온화학기상증착 장치의 반응챔버로 공급하기 위한 통로를 제공하는 원료 가스 배출구를 포함하는 고온화학기상증착용 버블링 장치에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 고온화학기상증착에 액상의 원료를 사용할 수 있으므로 많은 다양한 물질을 적용하여 목표하는 물질을 제조할 수 있고, 버블링을 이용하므로 액상의 원료를 기화시키기가 용이하며, 비교적 저온에서 액상의 원료를 기화시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR101290278B1
公开(公告)日：2013-07-26
申请号：KR1020110034014
申请日：2011-04-13
Applicant: 라인치과기공주식회사 , 한국세라믹기술원
Abstract: 본 발명은, 인공치아 도포용 조성물 및 이를 이용한 인공치아의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 인공치아를 제조하는 과정 중에 표면에 ZrO
2 와 융합시 색을 띠는 첨가제를 혼합하는 방법으로 치아미백 효과를 이룰 수 있다.
이러한 첨가제는 산화물로 구성되어 있어서 고온으로 열처리하여도 모양이나 성질이 변하지 않기 때문에 금속이나 기타 보철물을 사용하는 경우와 다르게 영구적으로 사용이 가능하고, 변형되지 않는 인공치아의 제조가 가능하다.-
公开(公告)号：KR1020130054888A
公开(公告)日：2013-05-27
申请号：KR1020110120543
申请日：2011-11-17
Applicant: 한국세라믹기술원
Abstract: PURPOSE: A thermoelectric device with a copper electrode and a method for manufacturing the same are provided to restrain the growth of the particles by using a discharge plasma sintering process. CONSTITUTION: A first metal plate(20), a second metal plate(30), and a copper electrode(40) are successively laminated. The first metal plate is made of aluminum or aluminum alloy. A second metal plate is made of an alloy. The alloy includes at least one element selected among titanium, zirconium, and tungsten. The thickness of the second metal plate is 10 um-1 mm.
Abstract translation: 目的：提供具有铜电极的热电装置及其制造方法，以通过使用放电等离子体烧结工艺来抑制颗粒的生长。 构成：依次层叠第一金属板（20），第二金属板（30）和铜电极（40）。 第一金属板由铝或铝合金制成。 第二金属板由合金制成。 该合金包括选自钛，锆和钨中的至少一种元素。 第二金属板的厚度为10μm-1mm。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150077953A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：KR1020130166935
申请日：2013-12-30
Applicant: 한국세라믹기술원
IPC: H01L35/12
Abstract: 본발명에따라서기판을제공하는단계와; 상기기판상에다층구조의열전재료박막을형성하는단계로서, 상기다층구조의열전재료박막은상기기판상에형성되는제1 열전재료박막과, 상기제1 열전재료박막상에형성되는제2 열전재료박막을포함하고, 상기제1 열전재료박막을구성하는원소의이동도는상기제2 열전재료박막을구성하는원소의이동도보다큰 것인, 상기다층구조의열전재료박막을형성하는단계와; 상기다층구조의열전재료박막이형성된기판을소정의반응로내부에장착하여열처리를수행하는단계와; 상기반응로내부에일정유량이상의불활성가스를도입하여, 상기다층구조의열전재료박막이형성된기판을향해흘려주는단계와; 상기다층구조의열전재료박막을상기기판으로부터분리하는단계를포함하는자립형열전재료박막제조방법이제공된다.
Abstract translation: 根据本发明，提供一种用于制造用于热电材料的自支撑薄膜的方法，其包括以下步骤：提供基板; 在所述基板上形成由多层结构的热电材料制成的薄膜，其中所述多层结构的热电材料薄膜包括形成在所述基板上的第一热电材料薄膜和第二热电材料 薄膜，其中构成第一热电材料薄膜的元素的迁移率大于构成第二热电材料薄膜的元素的迁移率; 将形成有多层结构的热电材料用薄膜的基板安装在预定的反应炉内部并进行热处理; 将预定流量或更多的惰性气体引入反应炉中，并使惰性气体流向形成多层结构的热电材料薄膜的基板; 并将多层结构中的热电材料薄膜与基板分离。
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公开(公告)号：KR101483540B1
公开(公告)日：2015-01-22
申请号：KR1020130130849
申请日：2013-10-31
Applicant: 한국세라믹기술원
IPC: C01B21/072 , C04B35/581
CPC classification number: C30B1/00 , C04B35/581 , C04B35/6264 , C04B35/62695 , C04B35/63416 , C04B2235/5436
Abstract: 질화알루미늄 나노 분말과 마이크로크기의 분말을 혼합하여 입도 100 ㎛이상이고 고순도의 질화알루미늄 과립을 제조하는 방법이 개시된다. 본 발명은 단결정 성장용 질화알루미늄 분말 과립의 제조 방법에 있어서, (a) 평균입경 1~20 ㎛인 제1 입자로 구성되는 제1 질화 알루미늄 분말, 평균입경이 100 nm 이하인 제2 입자로 구성되는 제2 질화알루미늄 분말 및 유기 바인더의 혼합 분말을 제조하는 단계; (b) 상기 혼합 분말을 과립화 하는 단계; (c) 상기 혼합 분말을 1600~2000℃의 온도에서 열처리하는 단계를 포함하는 단결정 성장용 알루미늄 분말 과립의 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 소결조제의 사용 없이 크고 균일한 입경을 갖는 과립 분말을 제조하여 단결정 성장용의 고순도 질화알루미늄의 과립 분말을 제공할 수 있게 된다.
Abstract translation: 本发明涉及制造高纯度氮化铝颗粒的方法，其中即使当氮化铝纳米粉末和微尺寸粉末混合时，其尺寸为100μm以上。 本发明提供一种制造用于单晶生长的铝粉颗粒的方法，包括：（a）制造由平均粒径为1-20μm的第一颗粒组成的第一氮化铝粉末的混合粉末的步骤，第二氮化铝粉末 由平均粒径为100nm以下的第二粒子和有机粘合剂组成; （b）将混合粉末制粒的步骤; （c）在1600-2000℃的温度下加热混合粉末的步骤。 本发明能够通过制造具有大而均匀粒径的颗粒而没有烧结助剂来提供用于单晶生长的高纯度氮化铝颗粒。
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公开(公告)号：KR101469502B1
公开(公告)日：2014-12-05
申请号：KR1020130083238
申请日：2013-07-16
Applicant: 한국세라믹기술원
Abstract: 본 발명은, 원료 가스가 공급되어 목표하는 물질을 합성하는 공간을 제공하는 반응챔버와, 상기 반응챔버를 지지하기 위한 반응챔버 지지부와, 상기 반응챔버 내에 구비되고 자체 가열원으로 작용하는 도가니와, 상기 도가니를 지지하기 위한 도가니 지지부와, 상기 반응챔버의 둘레를 감싸게 구비되고 상기 도가니를 고주파 유도가열 방식으로 가열하기 위한 가열수단과, 상기 도가니 상부에 위치되고 목표하는 물질이 증착되는 타겟과, 상기 타겟을 지지하기 위한 타겟 지지부와, 상기 반응챔버에 원료 가스를 공급하는 원료공급부와, 상기 원료 가스를 상기 반응챔버에 공급하기 위한 통로를 제공하는 가스유입구 및 상기 반응챔버 내의 가스를 배출하기 위한 가스배출구를 포함하는 단결정 성장용 고온화학기상증착 장치에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及用于生长单晶的高温化学气相沉积装置，其包括：提供作为原料供应气体的空间的反应室以合成所需材料; 用于支撑反应室的反应室支撑部分; 设置在反应室中并用作自热源的坩埚; 用于支撑坩埚的坩埚支撑部件; 设置在反应室周围的加热装置，并且根据高频感应加热方法加热坩埚; 设置在坩埚的上侧的靶，其中期望的材料沉积在靶上; 支持目标的目标支持部分; 将作为原料的气体供给到反应室的原料供给部， 气体导入口，提供用于将气体供应到反应室的通道; 以及用于从反应室排出气体的气体排出口。
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公开(公告)号：KR101227702B1
公开(公告)日：2013-01-29
申请号：KR1020100123572
申请日：2010-12-06
Applicant: 한국세라믹기술원
Abstract: 본 발명은 다양한 형태의 소재 물성정보의 데이터베이스의 구축 및 효율적인 운영을 통한 적합 정보의 제공을 가능하도록 한 세라믹 물성정보 데이터의 수치화에 의한 동적 그래프 생성 방법에 관한 것으로, 세라믹 물성정보의 소스 데이터에서 그래프로 구현하기 위한 데이터를 수치값(Numeric data)으로 추출하는 단계;관계형 데이터베이스에 속성(attribute)을 생성하고 화학 조성,공정조건,측정조건,물성값을 갖는 상기 추출된 수치값 데이터를 입력하는 단계;상기 추출된 수치값 데이터의 입력이 완료되면 차트 S/W를 이용하여 다차원 그래프를 생성하는 단계;를 포함하고, 상기 생성되는 그래프는, 조성-물성 데이터 그래프, 측정 조건-물성 데이터 그래프, 물성-물성 데이터 그래프들 중에서 어느 하나를 포함하는 것이다.
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公开(公告)号：KR101224219B1
公开(公告)日：2013-01-21
申请号：KR1020100122791
申请日：2010-12-03
Applicant: 한국세라믹기술원
IPC: G06F19/00
Abstract: 본 발명은 다양한 형태의 소재 물성정보의 데이터베이스의 구축 및 효율적인 운영을 통한 적합 정보의 제공 그리고 물성정보의 신뢰도 높일 수 있도록 한 세라믹 물성정보의 데이터 신뢰도 관리 시스템에 관한 것으로, 세라믹 물성정보의 데이터베이스 구축을 위하여 입력되는 데이터의 신뢰도를 평가하기 위한 데이터 신뢰도를 평가하는 주체가 갖는 신뢰도 평가에 관한 권한을 관리하고, 상기 입력되는 데이터의 신뢰도 평가에 필요한 품목을 설정하고, 입력되는 데이터의 신뢰도를 평가하기 위한 데이터 신뢰도를 평가하는 주체의 할당을 처리하는 데이터 신뢰도 관리 처리부;상기 데이터 신뢰도 관리 처리부에서 처리되는, 입력되는 데이터의 신뢰도를 평가하는 주체의 할당 및 데이터 신뢰도를 평가하는 주체가 갖는 신뢰도 평가에 관한 권한 부여에 따라 데이터베이스 구축을 위한 데이터를 생성하고, 생성된 데이터를 데이터베이스 구축에 사용되도록 확인하거나, 데이터베이스 구축에 사용되지 않고 반려되도록 처리하는 데이터 입력 프로세스 처리부;상기 데이터 입력 프로세스 처리부에서 생성된 데이터를 평가하여 평가가 이루어진 항목에 관한 평가 내역, 평가에 따라 결정된 신뢰도 등급의 입력 처리를 하고, 평가가 이루어진 데이터의 공개를 위한 승인 작업을 수행하는 데이터 검증 프로세스 처리부;를 포함하는 것이다.
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