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公开(公告)号：KR102227148B1
公开(公告)日：2021-03-15
申请号：KR1020190017368A
申请日：2019-02-14
Applicant: 한국세라믹기술원 , 동의대학교 산학협력단
CPC classification number: C30B15/12 , C30B15/206 , C30B29/36 , C30B35/002
Abstract: 본 발명은 결정 성장 장치용 가변 리플렉터에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 결정 성장을 위한 원료 용융액이 수용되는 도가니; 상기 원료 용융액에 침잠되며, 결정핵이 부착되는 지지봉; 및 상기 지지봉과 도가니를 상부가 개방되고 측부가 폐쇄되도록 마련되는 절연용기; 상기 절연용기의 외주부에 상기 절연용기를 감싸도록 마련되는 가열부;를 포함하여 구성되는 결정 성장 장치에 있어서, 상기 절연용기는 그 내주면에 슬릿이 형성되고, 상기 슬릿을 연결하여 형성되는 가상의 폐곡선은 하나의 수평면 내에 위치되며, 상기 슬릿이 복수개인 경우, 상기 슬릿은 절연용기의 내주면에 상하로 배치되어 상기 슬릿 중 어느 하나에 리플렉터가 가변적으로 장착되는 것을 특징으로 하는 결정 성장 장치용 가변 리플렉터를 제공한다.
이상과 같은 본 발명에 따르면, 리플렉터의 위치를 가변화하고 가변화된 리플렉터의 위치를 조절함으로써 결정 시드로의 열 흐름을 제어하여 결정 성장 속도를 높이고, 결정 성장을 보다 원활하게 할 수 있도록 하는 효과를 기대할 수 있다.-
公开(公告)号：WO2020080856A1
公开(公告)日：2020-04-23
申请号：PCT/KR2019/013676
申请日：2019-10-17
IPC: C30B29/36
Abstract: 본 발명은 증착공정에서 발생되는 탄화규소 부산물을 단결정 원료로 재생하는 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 증착용 챔버에서 탄화규소 전구체를 원료로 증착공정을 완료한 후, 챔버내의 탄화규소가 증착된 부품을 회수하는 단계; 상기 회수된 부품으로부터 증착된 탄화규소를 수집하는 단계; 상기 수집된 탄화규소로부터 PVT법 단결정 원료에 적합한 크기의 탄화규소를 선별하는 단계; 및 선별된 탄화규소를 정제하는 단계;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 증착공정에서 발생되는 탄화규소 부산물을 단결정 원료로 재생하는 방법을 제공한다.
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公开(公告)号：WO2017183747A1
公开(公告)日：2017-10-26
申请号：PCT/KR2016/004150
申请日：2016-04-21
Applicant: 한국세라믹기술원
Abstract: 본 발명은 도가니 및 도가니에서의 용액성장 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 도가니 성분과 반응하여 단일성분 또는 화합물 단결정을 성장시키기 위한 도가니에 있어서, 상기 도가니 내에는 단일성분의 융액 또는 화합물을 구성하는 일부 성분의 융액이 수용되며, 상기 융액은 상기 도가니의 내벽과 반응하도록 하되, 상기 도가니의 내벽은 거칠기가 부여되는 것을 특징으로 하는 용액성장용 도가니를 제공한다. 이상과 같은 본 발명에 따르면, 도가니의 내표면에 거칠기를 부여함으로써 매끈한 내표면의 도가니에 비하여 용해속도를 높여서 단일성분 또는 화합물 단결정의 성장속도를 제고할 수 있으며, 또한 도가니의 내표면에 거칠기를 부여하는 대신, 또는 거칠기 부여와 동시에 도가니의 내부에 표면 거칠기를 갖는 도가니와 동일성분의 블록을 장입하고 단결정을 성장시킴으로써 단결정의 성장과정에서 발생되는 도가니의 빠른 침식효과를 블록의 침식에 의해 분산시켜 도가니의 급속한 붕괴를 예방하는 작용효과가 기대된다.
Abstract translation:
本发明涉及一种涉及在坩埚中的溶液生长法和坩埚，并且更具体地涉及一种坩埚用于生长单个成分或化合物的单晶在坩埚与坩埚组分反应具有单个 和构成熔体或组件容纳所述熔体的化合物的成分的一部分，将熔体使其反应，但在坩埚的内壁，该炉的内壁，提供一种用于生长坩埚内的溶液，其特征在于粗糙度中给出。 根据本发明，如上述那样，通过相比于光滑的内表面的坩埚可以提高单个部件的生长速度或化合物的单晶，而在坩埚的内表面上的粗糙度提高溶解速率提供所述坩埚的内表面上的粗糙度。 加载的同样的时间和地点的，或具有在炉内坩埚与同一部件的内部的表面粗糙度的粗糙度许可授予的块，以及由在所述单晶块的侵蚀的生长过程由生长单晶产生的坩埚的快速侵蚀效应分散 预计可以达到防止坩埚快速崩溃的效果。
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公开(公告)号：WO2018194210A1
公开(公告)日：2018-10-25
申请号：PCT/KR2017/005071
申请日：2017-05-16
Applicant: 한국세라믹기술원
Abstract: 본 발명은 자외선 포토루미네선스를 이용한 결정의 폴리타입 분석방법에 관한 것으로, 광원으로부터 발광된 자외선이 샘플의 표면 측으로 조사되는 자외선조사단계; 상기 자외선조사단계에서 상기 자외선이 조사된 상기 샘플의 표면 측으로부터 방출되는 포토루미네선스를 카메라장치가 입사받아서 포토루미네선스 이미지정보를 획득하는 포토루미네선스 이미지정보 획득단계; 및 상기 포토루미네선스 이미지 획득단계에서 상기 카메라장치에 획득된 상기 포토루미네선스 이미지정보가 상기 카메라장치 측으로부터 데이터처리장치 측으로 전달되고, 상기 샘플의 폴리타입(polytype)이 판단될 수 있도록, 상기 데이터처리장치가 상기 포토루미네선스 이미지정보를 소정의 색상공간 상에 나타낼 수 있는 적어도 하나 이상의 색상점으로 변환시키는 데이터처리단계를 포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101760030B1
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：KR1020160025356
申请日：2016-03-02
Applicant: 한국세라믹기술원
Abstract: 본발명은탄화규소의성장방법에관한것으로, 보다상세하게는챔버에도가니를안치하고, 상기도가니의하부에탄화규소분말을장입하며, 상부에탄화규소단결정시드를고정하는단계; 상기챔버를가열하여탄화규소분말을기화하는단계; 상기기화된탄화규소분말이도가니상부에고정된시드에서부터탄화규소단결정으로성장되는단계;를포함하여구성되되, 상기도가니의중간부직경은상기성장되는탄화규소의직경에대응하는크기를가지며, 상기도가니는상기챔버에안치될수 있는도가니중 중간부직경이가장큰 최외곽도가니로부터그 도가니내부에중간부직경이작아지는방향으로순차적으로안착되는복수의도가니중 하나인것을특징으로하는대구경탄화규소단결정성장장치로부터소구경탄화규소단결정을성장시키는방법을제공한다.
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公开(公告)号：KR101733698B1
公开(公告)日：2017-05-08
申请号：KR1020150168515
申请日：2015-11-30
Applicant: 한국세라믹기술원
Abstract: 본발명은도가니및 도가니에서의용액성장방법에관한것으로서, 보다상세하게는도가니성분과반응하여단일성분또는화합물단결정을성장시키기위한도가니에있어서, 상기도가니내에는단일성분의융액또는화합물을구성하는일부성분의융액이수용되며, 상기융액은상기도가니의내벽과반응하도록하되, 상기도가니의내벽은거칠기가부여되는것을특징으로하는용액성장용도가니를제공한다. 이상과같은본 발명에따르면, 도가니의내표면에거칠기를부여함으로써매끈한내표면의도가니에비하여용해속도를높여서단일성분또는화합물단결정의성장속도를제고할수 있으며, 또한도가니의내표면에거칠기를부여하는대신, 또는거칠기부여와동시에도가니의내부에표면거칠기를갖는도가니와동일성분의블록을장입하고단결정을성장시킴으로써단결정의성장과정에서발생되는도가니의빠른침식효과를블록의침식에의해분산시켜도가니의급속한붕괴를예방하는작용효과가기대된다.
Abstract translation: 本发明涉及坩埚和坩埚中的溶液生长方法，更具体地涉及通过与坩埚部件反应生长单一组分或化合物单晶的坩埚， 其中使熔体与坩埚的内壁发生反应，其中坩埚的内壁具有粗糙度。 根据本发明，如上述那样，通过相比于光滑的内表面的坩埚，可以增加单个成分或化合物的单晶的生长速度，并考虑到坩埚的内表面上的粗糙度提高溶解速率提供所述坩埚的内表面上的粗糙度。 代替，或者由相同的时间由在所述单晶块的侵蚀的生长过程中产生的坩埚的快速侵蚀效应给出与具有在坩埚的内部的表面粗糙度相同的部件坩埚的带电块，并且分散在该粗糙度由生长单晶的坩埚 预计防止快速崩溃的效果
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公开(公告)号：KR1020160089973A
公开(公告)日：2016-07-29
申请号：KR1020150009672
申请日：2015-01-21
Applicant: 한국세라믹기술원
Abstract: 본발명은탄화규소분말의질소함유량을감소시키는방법및 이에의해제조된탄화규소단결정에관한것이다. 본발명에따르면탄화규소분말의질소함유량을 100 ppm 이하로낮출수 있고, 이를이용하여탄화규소단결정성장시 10ohm-cm 이상의고저항탄화규소단결정의수득이가능하다.
Abstract translation: 本发明涉及一种减少碳化硅粉末的氮含量和由此制备的碳化硅单晶的方法。 根据本发明，可以将碳化硅粉末的氮含量降低到100ppm以下，并且当碳化硅单晶可以获得10 ^ 3欧姆 - 厘米或更高的高电阻碳化硅单晶时是可能的 生长使用相同。
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公开(公告)号：KR1020160047659A
公开(公告)日：2016-05-03
申请号：KR1020140143500
申请日：2014-10-22
Applicant: 한국세라믹기술원
Abstract: 본발명은용액성장법을이용한탄화규소단결정의제조방법에관한것으로서, 그내면에다공성흑연또는다공성카본을적용한흑연도가니를사용해서탄화규소단결정을제조하는방법에관한것이다. 이상과같은본 발명에따르면, 용액성장법을이용한탄화규소단결정성장에있어서동일한실험조건에서카본의용해도를단시간에극대화하여결정성장속도를높일수 있는작용효과가기대된다.
Abstract translation: 本发明涉及一种使用溶液生长法制造SiC单晶的方法，更具体地说，涉及一种使用石墨坩埚制造SiC单晶的方法，该SiC单晶在其内部被施加多孔石墨或多孔碳。 根据本发明的实施例，提供一种用于制造SiC单晶的石墨坩埚，其中石墨坩埚的内表面由多孔石墨或碳层组成。 根据上述本发明，通过在使用溶液生长的SiC信号晶体的生长期间，在相同的实验条件下，在短时间内最大化碳的溶解度，可以预期运行效果能够提高晶体生长速度 方法。
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公开(公告)号：KR101568118B1
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：KR1020130166935
申请日：2013-12-30
Applicant: 한국세라믹기술원
IPC: H01L35/12
Abstract: 본발명에따라서기판을제공하는단계와; 상기기판상에다층구조의열전재료박막을형성하는단계로서, 상기다층구조의열전재료박막은상기기판상에형성되는제1 열전재료박막과, 상기제1 열전재료박막상에형성되는제2 열전재료박막을포함하고, 상기제1 열전재료박막을구성하는원소의이동도는상기제2 열전재료박막을구성하는원소의이동도보다큰 것인, 상기다층구조의열전재료박막을형성하는단계와; 상기다층구조의열전재료박막이형성된기판을소정의반응로내부에장착하여열처리를수행하는단계와; 상기반응로내부에일정유량이상의불활성가스를도입하여, 상기다층구조의열전재료박막이형성된기판을향해흘려주는단계와; 상기다층구조의열전재료박막을상기기판으로부터분리하는단계를포함하는자립형열전재료박막제조방법이제공된다.
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