고체전해질 연료전지의 제조방법
    11.
    发明公开
    고체전해질 연료전지의 제조방법 有权
    固体氧化物燃料电池及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020110026944A

    公开(公告)日:2011-03-16

    申请号:KR1020090084813

    申请日:2009-09-09

    CPC classification number: Y02P70/56 H01M8/02 H01M8/12 H01M8/24

    Abstract: PURPOSE: A solid oxide fuel cell is provided to improve capacity per unit volume since assembly members are not used and to achieve miniaturization and lightweightness. CONSTITUTION: A solid oxide fuel cell is a one or more unit module laminates. The unit module laminate includes first and second solid electrolyte layers including a plurality of strip-shaped fuel electrodes(26), and first and second supports including a plurality of slits. The first and second solid electrolyte layers are respectively overlapped at the lower and upper of the first support. The second support is overlapped at the lower part of the first or second solid electrolyte layers. The slit of the first support has a fuel flow channel(38) having the fuel electrode. The slit of the second support has an air channel(34) having an air electrode(36).

    Abstract translation: 目的:提供固体氧化物燃料电池,以提高单位体积的容量,因为不使用组装构件并实现小型化和轻量化。 构成:固体氧化物燃料电池是一个或多个单元模块层压板。 单元模块层叠体包括包括多个条形燃料电极(26)的第一和第二固体电解质层,以及包括多个狭缝的第一和第二支撑件。 第一固体电解质层和第二固体电解质层分别在第一载体的下部和上部重叠。 第二支撑件在第一或第二固体电解质层的下部重叠。 第一支架的狭缝具有具有燃料电极的燃料流动通道(38)。 第二支架的狭缝具有空气通道(34),空气通道(36)具有空气电极(36)。

    ZnO계 바리스터 조성물 및 그 제조 방법과, 그 바리스터

    公开(公告)号:KR102209467B1

    公开(公告)日:2021-01-29

    申请号:KR1020190165749

    申请日:2019-12-12

    Abstract: 본발명은 Bi2O3, V2O5, Pr6O11 및 Pr2O3의첨가가의도적으로배제된 ZnO계바리스터조성물을개시한다. 본발명에따른 ZnO계바리스터조성물은 ZnO : 85.5 ~ 99mol%; Te2MoO7 : 0.1 ~ 2 mol%; 및 Mn 산화물및 Co 산화물중 적어도하나이상 : 0.1 ~ 2mol%;를포함하는것을특징으로한다. 이결과, 본발명에따른 ZnO계바리스터조성물은높은비선형계수와낮은누설전류를갖고제조시작업안정성이우수하며, 무엇보다도대략 900℃전후의저온에서소결이가능하여금속전극과의동시소성이가능하므로디스크형또는벌크형바리스터, 또는 100% Ag 등저온용융금속소재의내부전극을사용하여적층형바리스터소자를제조할수 있으므로제조비용을절감할수 있는효과가있다.

    압전 스피커용 적층형 압전 세라믹 필름 및 그 제조 방법
    14.
    发明授权
    압전 스피커용 적층형 압전 세라믹 필름 및 그 제조 방법 有权
    用于压电扬声器的层叠压电薄膜及其制造方法

    公开(公告)号:KR101635815B1

    公开(公告)日:2016-07-05

    申请号:KR1020140194631

    申请日:2014-12-31

    Abstract: 세라믹고분자복합체층과전도성고분자전극층을상호교대로적층할시 세라믹고분자복합체층과전도성고분자전극층간의융착및 용착을용이하게하고, 접촉면의특성에따라달라질수 있는결함이나박리현상을최소화할수 있는압전스피커용적층형압전세라믹필름및 그제조방법에대하여개시한다. 본발명에따른압전스피커용적층형압전세라믹필름은적어도둘 이상이적층되며, 각각압전세라믹및 제1 고분자바인더로형성된세라믹고분자복합체층; 및상기세라믹고분자복합체층과상호교대로적어도둘 이상이적층되며, 전도성물질및 제2 고분자바인더로형성된전도성고분자전극층;을포함하며, 상기제1 및제2 고분자바인더는상호동일한물질로형성하여세라믹고분자복합체층과전도성고분자전극층간의융착및 용착이용이한것을특징으로한다.

    Abstract translation: 公开了一种用于压电扬声器的层叠压电陶瓷膜,当陶瓷聚合物复合层和导电聚合物电极层交替层叠时,能够容易地在陶瓷聚合物复合层和导电聚合物电极层之间进行焊接,并且最小化缺陷或分层 其可以根据接触表面性质而改变; 及其制造方法。 根据本发明的用于压电扬声器的叠层压电陶瓷膜包括至少两层层叠的膜,其中每个膜包括由压电陶瓷和第一聚合物粘合剂形成的陶瓷聚合物复合层; 以及形成有导电材料和第二聚合物粘合剂的导电聚合物电极层,其中导电聚合物电极层包括至少两层,并且导电聚合物电极层和陶瓷聚合物复合层交替层压。 因此,第一和第二聚合物粘合剂由相同的材料形成,使得陶瓷聚合物复合层和导电聚合物电极层之间的焊接可以容易地进行。

    ZnO계 바리스터 조성물
    15.
    发明授权
    ZnO계 바리스터 조성물 有权
    基于ZNO的VARISTOR组合物

    公开(公告)号:KR101454683B1

    公开(公告)日:2014-10-27

    申请号:KR1020130152941

    申请日:2013-12-10

    Abstract: The present invention discloses a ZnO-based varistor composition which has a greatly improved ESD (Electro-Static Discharge) property and excellent working stability and can reduce the fabrication cost. To this end, the ZnO-based varistor composition is provided which includes ZnO as a main component, Co3O4 and Cr2O, and does not include Bi2O3, Sb2O3, Pr6O11, Pr2O3, Mn3O4, MnO2, MnCO3, MnO and La2O3.

    Abstract translation: 本发明公开了一种具有极大改善的ESD(静电放电)性能和优异的工作稳定性的ZnO基非线性电阻组合物,并且可以降低制造成本。 为此,提供了以ZnO为主要成分的ZnO系压电体组合物,Co 3 O 4,Cr 2 O,不含Bi 2 O 3,Sb 2 O 3,Pr 6 O 11,Pr 2 O 3,Mn 3 O 4,MnO 2,MnCO 3,MnO,La 2 O 3等。

    ZnO계 바리스터 조성물
    16.
    发明授权
    ZnO계 바리스터 조성물 有权
    基于ZnO的变阻器组成

    公开(公告)号:KR101161924B1

    公开(公告)日:2012-07-03

    申请号:KR1020090079746

    申请日:2009-08-27

    Abstract: 본 발명은 산화아연(ZnO)을 주성분으로 하며, 칼슘(Ca)을 함유한 화합물을 부성분으로 포함하는 것을 특징으로 하는 ZnO계 바리스터 조성물에 관한 것이다. 상기 바리스터 조성물은 항복전압, 누설전류, 비선형계수, 클램핑 전압비, 써어지 흡수능, 열화특성 등의 면에서 우수하며, 특히, Bi
    2 O
    3 를 포함하지 않기 때문에 우수한 EDS(Electro-Static Discharge) 특성을 제공한다. 또한, 환경규제 성분인 Sb
    2 O
    3 를 포함하지 않으므로 우수한 작업안전성을 제공하며, 고온소결이 요구되어 제조원가 상승을 야기하는 Pr계 성분을 포함하지 않으므로 낮은 제조단가로 제조될 수 있다.
    ZnO, Ca, 바리스터, EDS, 안전성

    후막형 CIGS 태양전지 및 그 제조방법
    17.
    发明授权
    후막형 CIGS 태양전지 및 그 제조방법 有权
    厚膜型太阳能电池及其制造方法

    公开(公告)号:KR101160487B1

    公开(公告)日:2012-07-03

    申请号:KR1020100115342

    申请日:2010-11-19

    CPC classification number: Y02E10/50

    Abstract: 본 발명에서는 기판과 이의 상부에 차례로 적층된 하부전극 및 Cu(In
    1
    -x Ga
    x )Se
    2 (이하, "CIGS") 조성의 광전변환층을 포함하는 CIGS 태양전지에 있어서, 상기 하부전극은 Ni, Au, Pt 및 Pd 중에서 선택된 하나 이상의 조성을 갖는 단일층으로 되거나, 또는 상기 하부전극은 복수층으로 되고 상기 복수층 각층은 상호 상이하게 되도록 Ni, Mo, Au, Pt 및 Pd 중에서 하나 이상 선택된 조성을 갖는 CIGS 태양전지가 개시된다.

    후막형 CIGS 태양전지 및 그 제조방법
    18.
    发明公开
    후막형 CIGS 태양전지 및 그 제조방법 有权
    厚膜型太阳能电池及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020120054127A

    公开(公告)日:2012-05-30

    申请号:KR1020100115342

    申请日:2010-11-19

    CPC classification number: Y02E10/50 H01L31/0445 H01L31/0224

    Abstract: PURPOSE: A thick film CIGS solar battery and a manufacturing method thereof are provided to improve the property of a bottom electrode by having the bottom electrode of a single layer structure or a multi-layer structure. CONSTITUTION: A CIGS solar battery comprises a substrate(12), a bottom electrode(14) which is laminated on the upper side of the substrate, and a photoelectric transformation layer(16) of CIGS composition. The bottom electrode is composed of a single layer having one or more compositions selected among Ni, Au, Pt, and Pd. The bottom electrode is composed of a first bottom electrode layer and a second bottom electrode layer. The first bottom electrode layer is close to the bottom surface of the second bottom electrode layer. The second bottom electrode layer is close to the bottom surface of the photoelectric transformation layer.

    Abstract translation: 目的:提供厚膜CIGS太阳能电池及其制造方法,以通过具有单层结构的底电极或多层结构来改善底电极的性能。 构成:CIGS太阳能电池包括层叠在基板的上侧的基板(12),底部电极(14)和CIGS组合物的光电转换层(16)。 底电极由具有选自Ni,Au,Pt和Pd中的一种或多种组成的单层组成。 底部电极由第一底部电极层和第二底部电极层构成。 第一底部电极层靠近第二底部电极层的底表面。 第二底电极层靠近光电转换层的底表面。

    써미스터-바리스터 복합칩 소자 및 그 제조방법
    19.
    发明公开
    써미스터-바리스터 복합칩 소자 및 그 제조방법 失效
    热敏电阻器的复合芯片器件及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020090112005A

    公开(公告)日:2009-10-28

    申请号:KR1020080037655

    申请日:2008-04-23

    Abstract: PURPOSE: A composite chip device of thermistor-varistor and manufacturing method thereof are provided to reduce the manufacturing cost of element by using a low Ni inner electrode. CONSTITUTION: The Ni inner electrodes(112, 114, 122, 124) of patterns are formed on the thermistor sheet and varistor sheet. The electrode(114) is formed in the bottom surface of the thermistor sheet. The electrode(124) is formed in the bottom surface of the varistor sheet. Two terminations of inner electrodes(112,114) of the thermistor sheet are electrically connected to the thermistor electrode terminal formed with final. Two terminations of inner electrodes(122, 124) of the varistor sheet are electrically connected to the varistor electrode terminal.

    Abstract translation: 目的:提供一种热敏电阻压敏电阻的复合芯片器件及其制造方法,通过使用低Ni内电极来降低元件的制造成本。 构成:图案的Ni内部电极(112,114,122,124)形成在热敏电阻片和压敏电阻片上。 电极(114)形成在热敏电阻片的底面。 电极(124)形成在压敏电阻片的底面。 热敏电阻片的内部电极(112,114)的两个端子与最终形成的热敏电阻电极端子电连接。 可变电阻片的内部电极(122,124)的两个端子电连接到变阻器电极端子。

    ZnO계 바리스터 조성물 및 그 제조 방법과, 그 바리스터

    公开(公告)号:KR102209469B1

    公开(公告)日:2021-01-29

    申请号:KR1020190165751

    申请日:2019-12-12

    Abstract: 본발명은 Bi2O3, V2O5, Pr6O11 및 Pr2O3의첨가가의도적으로배제된 ZnO계바리스터조성물을개시한다.본발명에따른 ZnO계바리스터조성물은 ZnO : 85.5 ~ 99mol%; TeO2 및 WO6 합산첨가량 : 0.1 ~ 2 mol%; 및 Mn 산화물및 Co 산화물중 적어도하나이상 : 0.1 ~ 2mol%;를포함하는것을특징으로한다.이결과, 본발명에따른 ZnO계바리스터조성물은높은비선형계수와낮은누설전류를갖고제조시작업안정성이우수하며, 무엇보다도대략 900℃전후의저온에서소결이가능하여금속전극과의동시소성이가능하므로디스크형또는벌크형바리스터, 또는 100% Ag 등저온용융금속소재의내부전극을사용하여적층형바리스터소자를제조할수 있으므로제조비용을절감할수 있는효과가있다.

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