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公开(公告)号：KR101581645B1
公开(公告)日：2016-01-04
申请号：KR1020150126855
申请日：2015-09-08
Applicant: 한국세라믹기술원
IPC: H01L31/0224 , H01L31/04 , C01G9/02 , C01B35/10 , C01B33/12
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은주 조성을 Bi-Zn-B-Si-O로하고이에첨가제로서 NaO를포함하되, CaO는함유하지않는글라스프릿조성물을개시한다. 또한, 본발명은이에부가하여 BaO, ZrO, KO및 LiCl 중의하나이상이첨가된글라스프릿조성물을개시한다. 이들글라스프릿조성물은낮은계면저항값을갖고특히태양전지에있어서반사방지막이코팅된 Si 기판상에전면전극으로서형성될때 상기반사방지막에대한우수한식각특성을보이고 Si 기판과의우수한오믹컨택을형성함으로써우수한계면저항특성을나타낸다.
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公开(公告)号：KR1020140051501A
公开(公告)日：2014-05-02
申请号：KR1020120117015
申请日：2012-10-22
Applicant: 한국세라믹기술원
IPC: H01L31/0749 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/0749 , H01L31/042 , H01L31/18
Abstract: The present invention relates to a manufacturing method of single phased CIS nanopowder, which comprises the following steps preparing raw material powder according to empirical formula of CuInSe_2 by using Cu source powder, In source powder and Se source powder; and synthesizing CuInSe_2 powder by inserting and milling the raw material powder and solvent in a mechanochemical way. The solvent is formed of one or more among diethylamine, ethanol, methanol, toluene, xylene, acetone, and ethylendiamine. The amount of solvent can be 1-50wt% compared to total amount ratio of Cu source powder, In powder, and Se source powder.
Abstract translation: 本发明涉及单相CIS纳米粉末的制造方法，其包括以下步骤：通过使用Cu源粉末，源源粉末和硒源粉末，根据CuInSe_2的经验公式制备原料粉末; 并通过以机械化学方式插入和研磨原料粉末和溶剂来合成CuInSe 2粉末。 溶剂由二乙胺，乙醇，甲醇，甲苯，二甲苯，丙酮和乙二胺中的一种或多种形成。 与源源粉末，粉末和硒源粉末的总量比相比，溶剂量可以为1-50重量％。
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公开(公告)号：KR101110214B1
公开(公告)日：2012-03-13
申请号：KR1020090112033
申请日：2009-11-19
Applicant: 한국세라믹기술원
IPC: H01L31/0445
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 태양전지용 광전변환막으로 사용되는 Cu(In
1
-
x Ga
x )Se
2 (이때, 0＜x＜1)막의 균일한 제조가 가능하고 대형화 및 대량생산이 가능한 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 먼저 솔보써멀법에 의하여 CuInSe
2 및 CuGaSe
2 의 각 나노분말을 합성한다. 그리고, 상기 나노분말들을 입자크기 수준에서 혼합하고 페이스트로 제조한 후 소결하여 균일한 Cu(In
1
-x Ga
x )Se
2 막을 합성하거나, 또는 상기 나노분말들로 되는 각 막들의 페이스트를 교호 적층하여 소결함으로써 상기 두 층간의 확산을 통해 균일한 Cu(In
1
-
x Ga
x )Se
2 막을 합성한다.
광전변환막, 태양전지-
公开(公告)号：KR1020150114451A
公开(公告)日：2015-10-12
申请号：KR1020150126855
申请日：2015-09-08
Applicant: 한국세라믹기술원
IPC: H01L31/0224 , H01L31/04 , C01G9/02 , C01B35/10 , C01B33/12
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은주 조성을 Bi-Zn-B-Si-O로하고이에첨가제로서 NaO, AlO및 PbO 중의하나이상을포함하되, CaO는함유하지않는글라스프릿조성물을개시한다. 또한, 본발명은이에부가하여 BaO, ZrO, KO및 LiCl 중의하나이상이첨가된글라스프릿조성물을개시한다. 이들글라스프릿조성물은낮은계면저항값을갖고특히태양전지에있어서반사방지막이코팅된 Si 기판상에전면전극으로서형성될때 상기반사방지막에대한우수한식각특성을보이고 Si 기판과의우수한오믹컨택을형성함으로써우수한계면저항특성을나타낸다.
Abstract translation: 本发明涉及包含Na 2 O，Al 2 O 3和PbO中的一种或多种作为添加剂但不含CaO的玻璃料组合物，其中主要成分是Bi-Zn-B-Si-O。 此外，本发明还公开了包含Ba 2 O 3，ZrO，K 2 O 2和LiCl中的一种或多种的玻璃料组合物。 玻璃料组合物具有低的界面电阻值，特别地，当在防反射层上涂覆有防反射层的Si衬底上形成防反射层作为前电极时，抗反射层具有优异的蚀刻特性 太阳能电池，并通过与Si衬底形成突出的欧姆接触而表现出极好的界面电阻特性。
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公开(公告)号：KR101442496B1
公开(公告)日：2014-09-29
申请号：KR1020120117015
申请日：2012-10-22
Applicant: 한국세라믹기술원
IPC: H01L31/0749 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명에 의한 CIS 분말의 제조방법은 Cu 소스 분말과 In 소스 분말 및 Se 소스 분말로부터 조성식 CuInSe
2 에 따라 원료분말을 준비하는 단계와, 상기 원료분말과 솔벤트를 밀봉용기에 장입하고 기계화학적 방법으로 밀링함으로써 CuInSe
2
분말을 합성하는 단계를 포함한다. 이때, 상기 솔벤트는 디에틸아민(diethylamine), 에탄올(ethanol), 메탄올(methanol), 톨루엔(toluene), 크실렌(xylene), 아세톤(acetone) 및 에틸렌디아민(ethylendiamine) 중의 하나 이상으로 될 수 있고, 상기 솔벤트의 량은 상기 Cu 소스 분말과 In 소스 분말 및 Se 소스 분말의 총량 대비 1~50wt%일 수 있다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101292040B1
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：KR1020110100528
申请日：2011-10-04
Applicant: 한국세라믹기술원
Abstract: 본 발명에서는 소결온도가 900℃ 이하인 복수의 저온동시소성세라믹스(LTCC) 시트를 제조하는 단계와, 소결온도가 1150℃ 이상인 하나 이상의 지지층 시트를 제조하는 단계와, 상기 복수의 LTCC 시트의 각 면에 전기회로패턴을 형성하는 단계와, 상기 전기회로패턴이 형성된 상기 복수의 LTCC 시트를 적층하여 서브 어셈블리를 형성하는 단계와, 상기 서브 어셈블리의 상면 및 저면 중의 하나 이상에 상기 하나 이상의 지지층 시트를 부착하여 어셈블리를 형성하는 단계와, 상기 어셈블리를 900℃ 이하의 온도에서 소결하는 단계와, 소결된 상기 어셈블리로부터 이에 부착되어 있는 상기 하나 이상의 지지층 시트를 제거하는 단계를 포함하는 LTCC 기판의 제조방법을 개시한다.
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公开(公告)号：KR1020140074437A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：KR1020120141851
申请日：2012-12-07
Applicant: 한국세라믹기술원
IPC: H01L31/042 , H01L31/0749 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/042 , H01L31/0749 , H01L31/18
Abstract: The present invention to manufacture Cu(In,Ga)Se2 composition powder by a mechanochemical method. The Cu(In,Ga)Se2 composition powder having a maximum light conversion efficiency can be manufactured since Ga employment molar ratio in the Cu(In,Ga)Se2 can be effectively increased by milling and synthesizing Cu(In,Ga)Se2 powder, with a maximum molar ratio of Ga not exceeding 0.2, and at least once performing further milling by addking source powder of CuGaSe2 composition to the Cu(In,Ga)Se2 powder.
Abstract translation: 本发明通过机械化学方法制造Cu（In，Ga）Se2组合物粉末。 可以通过研磨和合成Cu（In，Ga）Se 2粉末来有效地提高Cu（In，Ga）Se 2中的Ga使用摩尔比，从而可以制造具有最大光转换效率的Cu（In，Ga）Se2组合物粉末， 其最大摩尔比Ga不超过0.2，并且至少一次通过将CuGaSe 2组合物的原料粉末进一步研磨至Cu（In，Ga）Se 2粉末。
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公开(公告)号：KR101282284B1
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：KR1020100115361
申请日：2010-11-19
Applicant: 한국세라믹기술원
IPC: C01G23/00 , C04B35/468 , B82B3/00
Abstract: 본 발명에서는 용융염법에 의한 BaTiO
3 나노분말의 제조방법이 개시되며, 이는 BaCO
3 및 BaO 중의 하나 이상의 원료분말과 TiO
2 원료분말을 혼합하여 제1혼합분말을 제조하는 단계와, 상기 제1혼합분말을 KCl, NaCl, LiCl, KF, LiCl-KCl, NaCl-KCl 및 KF-KCl로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 염과 혼합하여 제2혼합분말을 제조하는 단계와, 상기 제2혼합분말을 열처리하여 BaTiO
3 나노분말을 합성하는 단계를 포함한다. 이때, 상기 열처리 온도는 상기 염의 용융온도 이하의 온도로 되며, 특히 (상기 염의 용융온도-300℃) 내지 (상기 염의 용융온도-100℃) 범위로 될 수 있다. 또한, 상기 TiO
2 원료분말의 입자크기는 10~200㎚로 될 수 있고, 이때 상기 열처리 온도는 350~450℃일 수 있다.-
公开(公告)号：KR101194696B1
公开(公告)日：2012-10-29
申请号：KR1020110055909
申请日：2011-06-10
Applicant: 한국세라믹기술원
IPC: H01L31/04
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a photoelectric conversion layer for a solar cell is provided to prevent reaction between a Mo electrode and Se by sintering a thick CIGS film at low temperatures below 600 degrees centigrade after the thick CIGS film is impregnated in CiGS solutions. CONSTITUTION: A thick CIGS film(13) is made of CIGS powder and is firstly heat-treated. The firstly heat-treated thick CIGS film is impregnated in CiGS solutions(14) and is dried. The impregnated and dried thick CIGS film is secondly heat-treated.
Abstract translation: 目的：提供一种制造太阳能电池用光电转换层的方法，以便在将CIGS薄膜浸渍在CiGS溶液中之后，通过在低于600摄氏度的低温下烧结厚CIGS膜来防止Mo电极与Se之间的反应。 构成：厚CIGS薄膜（13）由CIGS粉末制成，首先进行热处理。 将首先经热处理的厚CIGS膜浸渍在CiGS溶液（14）中并干燥。 浸渍和干燥的厚CIGS膜第二次热处理。
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公开(公告)号：KR1020110055138A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：KR1020090112033
申请日：2009-11-19
Applicant: 한국세라믹기술원
IPC: H01L31/0445
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/0445
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a photoelectric conversion layer for a solar cell is provided to implement a large solar cell by using HTCC and LTCC for forming a substrate. CONSTITUTION: CuInSe2 nano powder and CuGaSe2 nano powder are respectively manufactured. A paste is made by mixing two sample powders. A thick film is formed by coating the paste on the substrate. A photoelectric conversion layer is made by mixing Cu(In1-xGax)Se2 by thermally processing the thick film.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造太阳能电池用光电转换层的方法，以通过使用HTCC和LTCC来形成基板来实现大型太阳能电池。 构成：分别制造CuInSe2纳米粉末和CuGaSe2纳米粉末。 通过混合两个样品粉末制成糊状物。 通过在基材上涂布糊料形成厚膜。 光电转换层通过热处理厚膜来混合Cu（In1-xGax）Se2。
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