Abstract:
본 발명은, 나노금속과 탄소나노소재의 복합체 제조방법에 있어서, 전도성 탄소나노소재에 관능기를 도입하기 위해 탄소나노소재의 표면을 개질시키는 단계와; 표면 개질된 상기 탄소나노소재에 이소시아네이트계 화합물과 피리미딘계 화합물을 혼합하여 반응시킴에 의해 금속 이온과 반응성이 있는 탄소나노소재 분산액을 형성하는 단계와; 상기 탄소나노소재 분산액에 금속염 전구체, 환원제 및 용매를 첨가하여 나노금속 입자를 제조하는 단계와; 상기 탄소나노소재가 포함된 상기 나노금속 입자를 분리하는 단계를 포함하는 것을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 탄소나노소재에 이소시아네이트계 화합물 및 피리미딘계 화합물을 혼합하여 반응시킴에 의해 금속 이온과 반응성이 있는 탄소나노소재를 첨가제로 사용하여 3차원 미만의 저차원 형상을 보이는 나노금속을 얻을 수 있다. 또한, 탄소나노소재와의 복합화가 나노금속을 형성과 동시에 이루어지고, 이소시아네이트계 화합물과 피리미딘계 화합물을 혼합하여 반응시켜 형성된 관능기에 의해 용매 분산성이 확보되어 전도성 잉크 또는 페이스트의 제조가 매우 용이한 효과가 있다.
Abstract:
본 발명은, 다중수소결합에 의해 고차구조를 지니는 탄소나노소재와 금속나노소재를 하이브리드하여 형성된 고전도성 소재 및 그 제조방법에 관한 것으로, 전도성 탄소나노소재에 다중수소결합이 가능한 관능기를 도입함에 의해 탄소나노소재간의 다중수소결합에 의해 고차구조를 지니는 탄소나노소재를 형성하고, 상기 고차구조를 지니는 탄소나노소재와 금속나노소재를 혼합하여 복합소재가 형성되는 다중수소결합에 의해 고차구조를 지니는 탄소나노소재와 금속나노소재를 하이브리드하여 형성된 고전도성 소재를 기술적 요지로 한다.
Abstract:
본 발명은 다중수소결합에 의해 고차구조를 지니는 탄소나노소재 및 그 제조방법에 관한 것으로, 표면 개질에 의해 기능기가 도입되어 기능화된 전도성 탄소나노소재에 다중수소결합이 가능한 관능기를 반응시킴에 의해 탄소나노소재간에 다중수소결합이 이루어지는 다중수소결합에 의해 고차구조를 지니는 탄소나노소재를 기술적 요지로 한다. 그리고 본 발명은 전도성 탄소나노재료에 다중수소결합을 이룰 수 있는 기능기를 도입하기 위해 탄소나노소재의 표면을 개질시키는 제1단계와; 상기 제1단계에서 기능화된 탄소나노소재와 반응을 통해 다중수소결합을 할 수 있는 관능기를 도입하는 제2단계와; 상기 제2단계의 다중수소결합이 도입된 탄소나노소재를 이용해 페이스트를 제조하는 제3단계;를 포함하여 이루어지는 다중수소결합에 의해 고차구조를 지니는 탄소나노소재 제조방법을 또한 기술적 요지로 한다. 이에 따라, 탄소나노튜브, 그래핀, 탄소섬유, 카본블랙 등의 전도성 탄소나노소재에 3개 이상의 다중수소결합을 이룰 수 있는 관능기를 도입함으로써 소재간 초분자 구조 형성을 유도하여 인쇄전자용으로 사용이 가능할 뿐만 아니라, 종이형태의 전도성 막을 제조할 경우, 이차전지, 슈퍼커패시터 등의 에너지 저장소자의 전극으로 활용할 수 있고 전도성 섬유제조에 응용이 가능하다는 이점이 있다.
Abstract:
본 발명은 양이온-파이 상호작용에 의해 고농도 분산된 산화 그래핀 환원물 및 그 제조방법에 관한 것으로, 분말상태의 그래파이트 플레이크(flake)로부터 분말상태의 산화 그래파이트 플레이크를 합성하는 제1단계와; 상기 제1단계의 산화그래파이트 플레이크를 용매 내에 분산시켜 산화그래핀 분산용액을 형성시키는 제2단계와; 상기 제2단계에서 형성된 분산용액 내에 탄소 원자들이 2차원 상에서 sp 2 결합에 의해 연결된 배열의 중심에 양이온을 위치시킴에 의해, 상기 양이온과 sp 2 영역의 파이구조와의 상호작용을 통한 양이온반응 산화그래핀 분산용액을 제조하는 제3단계와; 상기 제3단계의 양이온반응 산화그래핀 분산용액을 환원시켜 양이온반응 산화 그래핀환원물을 제조하는 제4단계;를 포함하여 형성되는 양이온-파이 상호작용에 의해 고농도 분산된 산화 그래핀 환원물 제조방법에 관한 것이다.
Abstract:
본 발명은 음전하를 가지는 산화 그래핀을 이용한 전하 농도가 증가된 발광소자에 관한 것으로, 기판과; 상기 기판 위에 형성된 n형 반도체층과; 상기 n형 반도체층 위에 형성되어 빛을 발생시키는 활성층과; 상기 활성층 위에 형성된 p형 반도체층과; 상기 p형 반도체층 위에 형성된 투명 전극층; 그리고, 음전하를 가지는 산화그래핀을 상기 투명전극층의 상면 또는 하면에 도포하여 형성되고, 상기 p형 반도체층에 산화그래핀에 의한 이중극장(dipole field)을 형성시켜 활성층으로 이동되는 정공 농도를 증가시키는 이중극장 형성층;을 포함하여 형성되는 음전하를 가지는 산화 그래핀을 이용한 전하 농도가 증가된 발광소자를 기술적 요지로 한다. 이에 따라, p형 도펀트(dopant)로서 산화그래핀을 도입하여 고출력 발광소자를 제작하는 것이 가능하며, 기존의 발광소자의 p형 반도체 층에 형성되어 있는 에너지 밴드의 휘어짐에 의한 정공(hole)의 고립을 산화그래핀의 이중극장(dipole field) 형성을 통해 와해시킴으로써, 평평한 에너지 밴드의 복귀를 유도시킬 수 있다. 이를 통하여 p형 반도체 층의 정공농도를 증가 시킴으로서 발광이 형성되는 활성층인 다중양자샘(multi quantum well) 층에서 전자(electron)와 정공의 방사 재결합(radiative recombination)을 촉진시켜 발광 시 고출력을 형성시킬 수 있는 이점이 있다.