Abstract:
본 발명은, 금속나노벨트와 탄소나노소재 복합체를 포함하는 전도성 섬유, 전도성 섬유 제조방법, 섬유형 스트레인 센서 및 섬유형 스트레인 센서 제조방법에 있어서, 탄소나노소재-금속나노벨트로 이루어진 복합체를 준비하는 단계와; 상기 복합체를 폴리머와 혼합하여 전도성 섬유를 제조하는 단계를 포함하는 것을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 면접촉이 이루어지는 금속나노벨트를 합성하여 전도성 섬유의 전도성을 증가시키며, 탄소나노소재의 표면에 금속나노벨트가 합성되기 때문에 탄소나노소재와 금속나노벨트 간에 접촉성이 우수하며, 골고루 분산된 상태의 분산성이 우수한 금속나노벨트와 탄소나노소재 복합체를 포함하는 전도성 섬유 및 섬유형 스트레인 센서를 얻을 수 있다. 또한, 면접촉이 이루어지는 금속나노벨트를 인장변형 일으킬 경우 섬유방향으로 정렬된 금속나노벨트간 거리가 벌어져 저항이 급격하게 증가하는 원리에 의해 스트레인 센서에 적용 가능한 효과를 얻을 수 있다.
Abstract:
본 발명은, 반죽을 이용한 산화흑연 제조방법 및 반죽을 이용해 제조된 산화흑연에 있어서, 흑연과 산화제를 혼합하여 혼합 분말을 형성하는 단계와; 상기 혼합 분말에 상기 흑연의 중량 대비 0.5 내지 7중량비의 강산을 나누어 첨가하면서 반죽하는 단계와; 반죽을 통해 형성된 흐름성이 없는 반죽물을 방치하여 상기 흑연을 산화시켜 산화흑연을 형성하는 단계와; 잔여하는 상기 산화제 및 상기 강산을 정제하는 단계를 포함하는 것을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 흑연과 산화제가 혼합된 분말에 강산을 소량 첨가하여 종래의 슬러리와 달리 흐름성이 없는 반죽을 통해 산화흑연을 얻을 수 있으며, 이로 인해 산폐수의 양을 줄이고 산화흑연 제조를 위한 반응시간을 단축시킬 수 있다
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본 발명은, 금속입자 및 나노카본을 포함하는 전도성 분산액 조성물 및 그 제조방법에 있어서, 금속입자 표면에 나노카본이 코팅된 금속입자/나노카본-코어/쉘(core/shell) 구조의 복합입자를 준비하는 단계와; 상기 복합입자를 표면 개질시키는 단계와; 표면 개질된 상기 복합입자에 이소시아네이트계 화합물과 피리미딘계 화합물을 혼합하여 다중 수소결합 반응을 통해 고차구조 조성물을 형성하는 단계를 포함하는 것을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 나노카본에 다중 수소결합을 이룰 수 있는 관능기를 도입함으로서 분산제를 사용하지 않고 소재 간에 분산이 용이한 효과를 얻을 수 있다. 또한 전도성이 큰 금속입자와 나노카본을 포함하는 복합입자를 적용함으로써 전도성을 증가시킬 수 있으며, 분산제를 사용하지 않아 분산제를 통해 전도성이 감소되는 것을 방지할 수 있다.
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본 발명은 2차원 나노소재에 의해 전도성이 향상된 1차원 전도성 나노소재기반 전도성 필름에 관한 것으로, 기판과, 상기 기판 상면에 형성된 1차원 전도성 나노소재층과, 상기 1차원 전도성 나노소재층 상면에 형성된 2차원 나노소재층을 포함하여 전도성 필름이 형성되되, 상기 1차원 전도성 나노소재층에 포함된 1차원 전도성 나노소재는 탄소나노튜브, 금속나노와이어, 금속나노로드(metal nanorod) 중에서 선택된 1종 이상으로 형성되고, 상기 2차원 나노소재층에 포함된 2차원 나노소재는 그래핀, 보론나이트라이드(boron nitride), 텅스텐옥사이드(WO 3 ), 몰리브데넘설파이드(MoS 2 ), 몰리브데넘텔루라이드(MoTe 2 ), 니오비움 디셀레나이드(NbSe 2 ), 탄탈륨 디셀레나이드(TaSe 2 ), 망간옥사이드(MnO 2 ) 중에서 선택된 1종 이상으로 형성되는 2차원 나노소재에 의해 전도성이 향상된 1차원 나노소재기반 전도성 필름을 기술적 요지로 한다. 이에 따라, 탄소나노튜브나 금속나노와이어 등의 1차원 전도성 나노소재 상면에 2차원 나노소재인 그래핀 등을 적층하여 1차원 전도성 나노소재 필름의 전도성 등을 향상시키는 이점이 있다.
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본 발명은 저결함 탄소나노튜브 슬러지 및 그 제조방법, 상기 저결함 탄소나노튜브 기반 전도성 복합소재, 이를 이용한 음극 슬러리, 음극 및 리튬 이차전지에 관한 것으로, 하기 관계식 1을 만족하여 결정성을 갖는 탄소나노튜브를 포함하는 것을 기술적 요지로 한다. [관계식 1] 5 ≤ IG/ID ≤ 50 (단, IG/ID는 라만 스펙트럼의 파수 영역 중 1,580 ± 50㎝-1에서 측정되는 최대 피크 세기(IG)와, 1,360 ± 50㎝-1에서 측정되는 최대 피크 세기(ID)의 비로 계산된 값이다.)
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본 발명은 고내열성 산화그래핀, 이를 이용한 전도성 그래핀 섬유의 제조방법 및 이로부터 제조되는 전도성 그래핀 섬유에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 에폭시기 또는 하이드록시기인 산소 함유 관능기를 표면에 포함하되 락톨기 또는 카르복실기인 산소 함유 관능기가 표면에 존재하지 않아 내열안정성을 갖는 것을 특징으로 하는 고내열성 산화그래핀, 이를 이용한 전도성 그래핀 섬유의 제조방법 및 이로부터 제조되는 전도성 그래핀 섬유를 기술적 요지로 한다
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본 발명은, 산화그래핀환원물-실리콘 금속입자 복합체, 복합체 제조방법 및 복합체를 포함하는 이차전지용 전극에 있어서, 산화그래핀환원물-실리콘 금속입자 복합체 제조방법에 있어서, 양이온-파이 상호작용을 통해 형성된 산화그래핀을 환원시킨 산화그래핀환원물 분산용액을 제조하는 단계와 상기 산화그래핀환원물 분산용액을 실리콘 금속입자와 혼합하여 산화그래핀환원물-실리콘 금속입자 분산용액을 제조하는 단계와 상기 산화그래핀환원물-실리콘 금속입자 분산액을 건조하여 코어-쉘 구조의 복합체 분말을 제조하는 단계를 포함하는 것을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 양이온-파이 상호작용을 통해 형성되는 저결함/고순도 산화그래핀 분산용액을 이용하여 산화그래핀환원물을 형성하고, 이를 건조하여 코어-쉘 구조의 복합체 분말을 얻을 수 있으며 이를 이차전지용 전극에 적용 가능하다.
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본 발명은, 탄소나노튜브 조성물, 탄소나노튜브 조성물 제조방법, 산화 탄소나노튜브 환원물 및 산화 탄소나노튜브 환원물 제조방법에 있어서, 산처리를 통해 탄소나노튜브를 산화하여 산화 탄소나노튜브를 형성하는 단계와; 상기 산화 탄소나노튜브를 알코올에 분산시켜 탄소나노튜브 조성물을 얻는 단계를 포함하는 것을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 알코올에 분산성이 낮은 탄소나노튜브를 분산제를 사용하지 않고 알코올에서의 분산성을 향상시키기 위해 산화과정을 통해 탄소나노튜브를 처리하여 기재에 인쇄 및 코팅이 용이하며, 환원과정을 통해 탄소나노튜브의 형상이 복원되어 고전기전도성을 띄는 분산제 없이 알코올에 분산된 탄소나노튜브 조성물을 얻을 수 있다. 또한 탄소나노튜브의 분산성을 향상시키기 위해 산화 과정을 수행하여도 환원 과정을 통해 탄소나노튜브의 형상을 회복시킬 수 있어 탄소나노튜브의 전기전도성을 유지할 수 있는 환원에 의해 구조가 복원되어 고전기전도성을 띄는 산화 탄소나노튜브 환원물을 얻을 수 있다.
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본 발명의 마이크로웨이브 가열 장치는, 도파관 내의 피가열물로 마이크로웨이브를 진행시키되, 고체 상태 물체로서 상기 도파관 내의 일정 공간을 점유하도록 구비된 파장 조절기에 의해 줄어든 마이크로웨이브의 진행 공간으로 마이크로웨이브를 진행시켜, 상기 줄어든 공간 상에 놓인 상기 피가열물을 가열하고, 상기 줄어든 공간으로 진행하는 상기 마이크로웨이브의 파장이 차단 근접(near-cutoff) 조건에 따라 상기 줄어든 공간으로 진입하기 전의 파장보다 일정 배수 이상으로 길어지는 효과를 이용한다.
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본 발명은, 이차원 나노소재의 전구체 또는 전구체 화합물에 촉매금속이 분산되어 있는 혼합액을 형성하는 단계와, 상기 혼합액에 초음파를 조사하여 미세기포를 발생시키고 상기 미세기포의 붕괴시 발생하는 에너지를 이용하여 상기 전구체 화합물을 분해시켜 상기 이차원 나노소재를 상기 촉매금속의 외벽에 합성하여 촉매금속/이차원 나노소재를 형성하는 단계를 포함하는 전도막 제조방법에 있어서, 상기 촉매금속/이차원 나노소재를 분산액에 분산시켜 잉크를 제조하는 단계와; 상기 잉크를 기판에 도포하고 급속 대기소성(sintering)하는 단계를 포함하는 것을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 높은 산화도 특성을 가지는 비귀금속계 금속의 외벽에 이차원 나노소재를 합성하여 공기로부터 금속이 산화되는 것을 방지함과 동시에 열전도성 및 전기전도성을 증가시키는 효과를 얻을 수 있다. 또한 광 에너지 흡수가 뛰어난 이차원 나노소재에 의해 광 에너지를 이용하여 급속 대기소성이 가능하며, 급속 소성에 의해 금속의 산화를 최소화하고 공정시간을 단축하는 효과를 얻을 수 있다.